磷化銦晶圓
GINECHIP 提供 直徑 2″–4″ 的 InP 晶圓，具備受控摻雜（N 型 S/Sn、P 型 Zn、SI Fe 摻雜），並提供用於外延的量產就緒表面。支援 (100)、(111)A、(111)B 晶向，並可提供 off-cut 2° 或 3°，生長採用 VGF/LEC。
概述
磷化銦（InP）是一種化合物半導體，具直接帶隙 1.344 eV，並具有高電子遷移率 5,400 cm²/V·s。
可選基板方案，包括 SI Fe 摻雜（>10⁷ Ω·cm）、N 型 S 或 Sn，以及 P 型 Zn；可用晶向為 (100)、(111)A、(111)B，off-cut 方向朝 (110) 為 2° 或 3°，並提供 直徑 2″–4″。
Epi-Ready 表面以 RMS <2Å 為目標，確保外延就緒度高，並符合 SEMI M1–M13 以及 RoHS 與 REACH 規範。
具備 Epi-Ready 的 InP 晶圓基板，其 EPD 低至 <5×10³/cm²（先進等級）。
晶體生長方法
我們使用 VGF 與 LEC 技術來生長 InP，以滿足不同對品質與外延製備就緒性的需求。
VGF 精選級
最佳良率與品質
VGF（Vertical Gradient Freeze，垂直梯度凝固）InP 設計用於低位錯密度與高電阻率。適用於光子與雷射基板應用，能提供最佳良率與品質，並可將 EPD 控制在 <5×10³–5×10⁴/cm² 範圍內。
LEC 量產級
成熟量產
LEC（Liquid-Encapsulated Czochralski，液相封裝柴可拉斯基）InP 針對成熟的量產與穩定的製程控制進行優化。特別適用於大直徑晶圓，通常 EPD 介於 5×10⁴–1×10⁵/cm² 範圍，以確保整體量產表現良好。
成長方法比較
比較 VGF、LEC 與 新興 VCZ，以符合您的優先考量：無論是 EPD 表現、電阻率目標，還是用於外延（epi）應用的整體產率。
VGF — 最適用於光子與雷射
VGF 有助於提供低 EPD、高電阻率與高產率，支援先進裝置製造所需的 Epi-ready InP 規格。
LEC 大量製程
LEC 提供成熟的量產能力，適用於更大尺寸的 InP 晶圓直徑，支援可擴展的製造。
新興：VCZ 生長製程
受蒸氣壓控制的楚克拉斯基（VCZ）正逐步應用於 InP 晶圓，具有較低的 In-空位密度，支援下一代光子與電子器件的需求。
光子與雷射應用
磷化銦具有直接帶隙 1.344 eV，可在 1310 nm 與 1550 nm 的通訊波段下，為雷射二極體與光子積體電路提供高效率的光發射。
InP 晶圓支援 DFB 雷射、可調雷射以及 EML（電吸收調制雷射），用於資料中心、5G 光傳輸與相干光通訊網路。
晶片級光子整合將雷射、調制器、波導與光偵測器整合到單一 InP 晶片上，打造緊湊、高速的光學模組。
高達 5,400 cm²/V·s 的高電子遷移率與低光學損耗，讓 InP 成為 800G 與 1.6T 光收發器的首選襯底。
毫米波與高速電子
InP HEMT 與 HBT 可在毫米波頻段為 5G/6G、雷達與衛星通訊提供最高增益與效率。
InP 晶圓可實現具備 THz 能力的器件與超高速混合訊號電路，fT/fmax 超過 300 GHz。
用於 5G/6G、雷達與衛星的 InP — fT/fmax 超過 300 GHz
技術規格
| 參數 | 可用範圍 / 值 |
|---|---|
| 直徑 | 2″ (50.8mm), 3″ (76.2mm), 4″ (100mm) |
| 摻雜類型 | N-type S-doped, N-type Sn-doped, SI Fe-doped, P-type Zn-doped |
| 電阻率 | N-type: 10⁻³–10⁻¹ Ω·cm; SI Fe-doped: > 10⁷ Ω·cm |
| 晶體取向 | (100), (111)A, (111)B, off-cut 2° or 3° toward (110) |
| 厚度 | 350μm, 500μm, 625μm standard (custom on request) |
| 表面拋光 | SSP, DSP, Epi-Ready — RMS < 2Å (AFM 5×5μm) |
| 蝕刻坑密度（EPD） | < 5×10⁴/cm² (prime); < 5×10³/cm² (advanced grade) |
| TTV／弓形／翹曲 | TTV < 5μm, Bow < 10μm, Warp < 15μm |
| 電子遷移率（μₑ） | 5,400 cm²/V·s (N-type InP at 300K) |
| 能隙 | 1.344 eV (direct, zincblende structure) |
| 熱導率 | 68 W/m·K at 300K |
| 生長方法 | VGF (Vertical Gradient Freeze), LEC (Liquid-Encapsulated Czochralski) |
| 背面處理 | Etched, polished, or laser-marked per customer specification |
| 雷射標記 | SEMI M12/M13 compliant: soft-mark on front or back side |
| 定位邊配置 | Per SEMI M1: EJ or US standard flat per diameter |
| 顆粒計數 @ 0.3μm | ≤ 10 particles (laser surface scan) |
| 封裝 | Vacuum-sealed, single-wafer shippers, Class 100 cleanroom |
| 合規標準 | SEMI M1–M13, RoHS, REACH |
應用
光通訊
InP 雷射與光偵測器為高速光網路提供動力，範圍從資料中心到海底電纜。
光偵測與成像
InP 光偵測器提供高響應度與低暗電流，適用於電信、感測與成像應用。
高頻電子學
5,400 cm²/V·s 的高電子遷移率可支援 HBT 與 HEMT 元件，適用於高速數位與類比電路。
光子積體電路
雷射、調變器與波導的晶片上整合，可實現適用於次世代光學模組的緊湊型 PIC。
研發與量子光子學
研究級 InP 基板可支援量子光子學、糾纏光子源以及先進磊晶技術開發。
衛星與航太
耐輻射 InP 光電子元件可支援衛星雷射通訊與航太系統。
品質與認證
GINECHIP InP 晶圓依據 ISO 9001:2015 生產，並進行 100% 檢測；同時可符合 SEMI M1–M13 標準及 RoHS/REACH 要求。