Laser · Scribe · Data Matrix標記類型
SEMI T7 · M12 · M13合規標準
1–50μm標記深度範圍
Si · GaAs · SiC · Glass基板類型
概述
雷射標記和重標識是晶圓追蹤和供應鏈管理的重要環節。GINECHIP提供符合SEMI標準的軟打標和硬打標雷射服務，支援OCR、2D矩陣和自定義識別圖案，確保晶圓在整個生命週期中的完整可追溯性。
我們提供業界領先的品質和精度，所有標記均符合SEMI T7、SEMI M1和SEMI M12/M13標準。
打標服務
SEMI標準晶圓標記
於矽晶圓正面或背面以5–50μm可控深度施加字母數字、Data Matrix及SEMI字型標記。可完全被OCR及機器視覺系統讀取，符合SEMI T7、M12及M13標準。
Mark: Alphanumeric, Data Matrix, SEMI fontLocation: frontside or backsideDepth: 5–50μm (Si), controlledReadable: OCR + machine visionStandards: SEMI T7, M12, M13Wafer: 100mm–300mm
淺層／低損傷標記
於元件面及後製圖案晶圓上施加1–5μm深度的點陣標記，位置設於切割道，並配備碎屑抽取系統以最小化微粒產生及製程污染。
Depth: 1–5μm (shallow profile)Dot matrix formatDevice-side compatibleScribe-line placementMinimal debris: extraction systemIdeal for post-pattern wafers
晶圓重標識
為再生晶圓施加新標識，同時保留與原始標識的交叉對照，維持完整批次歷史記錄。相容薄晶圓，可於正面或背面施作，並提供照片文件記錄。
New ID applied to reclaimed wafersCross-reference to original ID maintainedCompatible with thin wafersFrontside or backside optionsFull lot history traceablePhoto documentation provided
高產能序列化
依SEMI T7標準以2D Data Matrix碼進行連續序列化，編碼批次、晶圓編號、產品及日期。標記後OCR驗證及MES整合支援每小時高達100片的產能。
Sequential serialization2D Data Matrix per SEMI T7Encoded: lot, wafer#, product, dateOCR verification post-markMES integration readyThroughput: up to 100 wph
化合物半導體與特殊基板標記
針對每種材料調校低功率標記：GaAs及InP採低功率、SiC採用355nm UV雷射、玻璃採用CO₂或UV雷射、TCO鍍膜晶圓採非穿透式標記，薄基板則採淺層標記。
GaAs, InP: low-power markingSiC: UV (355nm) laserGlass: CO₂ or UV laserTCO-coated: non-penetrative markCeramic (Al₂O₃, AlN): standardThin wafer: shallow profile
標記移除與表面修復
化學機械方式移除既有標記後進行表面修復，經AFM驗證確認無次表面裂紋且無殘留標記。相容所有晶圓類型，並提供前後對照照片文件。
Chemical-mechanical removalSurface reconditioning post-removalVerification: no residual markAFM: no sub-surface cracksCompatible with all wafer typesPhoto documentation before/after
SEMI標準合規
所有雷射標記均符合SEMI T7、SEMI M1和SEMI M12/M13標準。標記包括字母數字字符、Data Matrix（ECC200）、QR碼和自定義符號系統。可根據晶圓重複使用需求選擇硬標記（20-80μm深度）和軟標記（5-20μm深度）。
重標識流程
我們的重標識流程遵循系統化的工作流程：雷射燒蝕舊標記、表面清潔和準備、新標記雕刻、自動光學檢測標記驗證以及最終認證。每片晶圓在整個過程中都被全程追蹤。
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ISO 9001 認證OCR可讀標記SEMI T7 合規影像記錄