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4″–6″ 直徑 尺寸範圍
SAW k² = 5.5% SAW 耦合係數
焦電 熱電等級
42° Y-X SAW 等級 晶向切割
現貨鉭酸鋰(LiTaO₃)晶圓基板 — 線上選擇直徑、切割與拋光等級。
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產品概述

GINECHIP 提供 鉭酸鋰(LiTaO₃)晶圓,涵蓋一致熔融組成(congruent)與化學計量(stoichiometric)規格,並可提供 單疇(single-domain)極化結構以支援高效能的機電元件。基板提供 4″ (100mm) 與 6″ (150mm) 口徑,材料可選 CLT/SLT 與摻雜 MgO,以符合多樣化的設計需求。

為了支援可靠的鍍膜晶圓加工,我們的 LiTaO₃ 基板具備 SSP 與 DSP 表面品質,表面粗糙度 Ra < 0.5nm。厚度控制在 250μm–500μm,並以真空封裝的 Class 100 包裝出貨,以降低污染並在搬運與沉積過程中保護表面完整性。

42° Y-X SAW 級切割,適用於 5G RF 前端:<strong>k² ≈ 5.5%</strong> 耦合係數,TCF ~ <strong>-35 ppm/°C</strong>,提供穩定的濾波器效能。

晶向切割與 SAW 性能

42° Y-X 切割是 SAW 濾波器的業界標準。它具備高耦合係數 k² ≈ 5.5%,並展現穩健的聲學性能(SAW 速度 3,900–4,200 m/s);同時溫度敏感度低(TCF 42° Y-X ~ -35 ppm/°C),有助於 RF 頻率穩定性。

我們也提供 X/Y/Z 與其他面向 SAW 的切割,包括 36° Y-X 與 48° Y-X,以支援不同裝置需求。對於具溫度補償的 TC-SAW 解決方案,可使用 SiO₂ 上層鍍膜以提升基地台濾波器與多工器的穩定性。

材料等級與熱電特性

LiTaO₃ 晶圓提供一致熔融組成(congruent)與化學計量(stoichiometric)規格,並可選擇摻雜 MgO 的版本以調整材料特性。所有晶圓皆採用單疇(single-domain)極化,以確保整片晶圓之間的元件性能一致。

LiTaO₃ 的焦電係數 2.3 × 10⁻⁸ C/cm²·K 與低介電常數 ε = 41–43,使其特別適用於室溫紅外偵測器、PIR 人體感測,以及 NDIR 氣體分析。其在 633nm 的光學折射率(nₒ = 2.176, nₑ = 2.180)與寬廣的透光範圍 350nm–5,500nm,也支援非線性光學應用,例如 PPLT。

TC-SAW 與溫度補償解決方案

針對對溫度高度敏感的 5G 基地台濾波器,TC-SAW 結構將添加 SiO₂ 封層,使 TCF 降至接近零值(±5 ppm/°C),在不需要主動補償的情況下,讓濾波器可在 -40°C 至 +85°C 範圍內保持穩定。結合 42° Y-X 切割的高耦合特性,我們的鉭酸鋰(LiTaO₃)晶圓可支援高線性度、高功率的射頻前端設計。

鈮酸鋰 (LiNbO₃)

鈮酸鋰 (LiNbO₃) 提供最高的電光係數 r₃₃ = 30.8 pm/V,適用於調變器;同時具備強非線性,可進行高效率 PPLN 頻率轉換,並在 128° Y-X 具備高 SAW 耦合 k² = 5.5%。特別適合電光、非線性光學與高性能 SAW 應用。

r₃₃ = 30.8 pm/V k² = 5.5% (128° Y-X)

客製化與訂購選項

客製化內容包含材料等級(CLT/SLT/MgO-doped)、晶體切割與取向(X/Y/Z、36° Y-X、42° Y-X、48° Y-X)、基板厚度(250μm–500μm)以及直徑(4″ (100mm)、6″ (150mm)),以符合您的產品設計。也提供單疇極化(single-domain poled)基板,用於確保一致的焦電及聲學性能。

品質與交期以每批次驗證為支撐:X-ray rocking curve(XRC)、SAW 速度與耦合量測、TCF 在 -40°C 至 +85°C 的特性分析、焦電係數量測、AFM 表面粗糙度(Ra < 0.5nm)、居里溫度介電異常、域蝕刻檢查,以及光學分光光度測量(350nm–5,500nm)。晶圓在 Class 100 條件下真空封裝出貨。

LiNbO₃ 與 LiTaO₃:關鍵差異

在 LiNbO₃ 與 LiTaO₃ 之間做選擇取決於您的目標應用。LiNbO₃ 更適用於電光(electro-optics)、非線性頻率轉換(PPLN)以及高耦合 SAW 設備。在最需要溫度穩定性的場景(例如 5G SAW/BAW 濾波器)以及用於焦電感測時,則建議選用 LiTaO₃。兩種材料皆可向 GINECHIP 採購。

LiTaO₃ 的雙折射更低(nₑ - nₒ ≈ 0.004,相較之下 LiNbO₃ 為 0.08),因此可實現 LiNbO₃ 無法做到的相位匹配幾何結構,包括透過 SHG 進行的 UV 生成(例如 710nm 轉換得到 355nm),以及利用差頻混頻產生 THz 波。其較高的聲速與較低的 TCF 也使其成為溫度補償射頻濾波器的首選基板。

技術規格

參數規格值
材料 Congruent LiTaO₃ (CLT), Stoichiometric LiTaO₃ (SLT), MgO-doped
直徑 4″ (100mm), 6″ (150mm)
晶體取向 X-cut, Y-cut, Z-cut, 36° Y-X, 42° Y-X (SAW), 48° Y-X
厚度 250μm–500μm standard
表面拋光 SSP, DSP, Ra < 0.5nm
SAW 速度 3,900–4,200 m/s (varies with cut)
TCF(頻率溫度係數) 42° Y-X: ~ -35 ppm/°C
焦電係數 2.3 × 10⁻⁸ C/cm²·K
居里溫度 610°C
折射率 nₒ = 2.176, nₑ = 2.180 @ 633nm
光學穿透率 350nm–5,500nm
介電常數 ε = 41–43
疇結構 Single-domain poled
密度 7.46 g/cm³
包裝 Conductive or standard, vacuum-sealed, Class 100

應用領域

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5G SAW/BAW 濾波器

LiTaO₃ 是 5G 智慧型手機 RF 前端中表面聲波與體聲波濾波器的主流基板。42° Y-X 切型兼具高機電耦合(k² ≈ 5.5%)、適中的 SAW 速度(~4,000 m/s)與較低的 TCF(-35 ppm/°C,相較於 LiNbO₃ 的 -75 ppm/°C)。每支 5G 手機包含 15–30 顆 LiTaO₃ 濾波器,涵蓋 600 MHz 至 2.7 GHz 的頻段。

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焦電感測器

LiTaO₃'s high pyroelectric coefficient (2.3 × 10⁻⁸ C/cm²·K) and low dielectric constant (ε = 41–43) make it the material of choice for room-temperature infrared detectors. Pyroelectric LiTaO₃ sensors are used in non-contact thermometry, flame detection, gas analysis (NDIR), motion sensing (PIR), and FTIR spectroscopy detectors — all operating without cryogenic cooling unlike semiconductor IR detectors.

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非線性光學元件

LiTaO₃'s lower birefringence (nₑ - nₒ ≈ 0.004 vs 0.08 for LiNbO₃) enables phase-matching geometries not possible in LiNbO₃. Periodically poled LiTaO₃ (PPLT) is used for UV generation via SHG (e.g., 355nm from 710nm) where LiNbO₃'s photorefractive damage threshold is insufficient, and for THz-wave generation via difference frequency mixing.

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BAW 多工器

固態安裝諧振器(SMR)與薄膜體聲波諧振器(FBAR)等 BAW 元件,越來越多地採用 LiTaO₃ 薄膜製作 3 GHz 以上的高頻多工器。相較於 AlN,其更高的聲速可在給定頻率下實現更薄的壓電層,而溫度穩定的 42° Y-X 切型則可將高功率雙工器應用中 TCF 引起的頻率漂移降至最低。

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5G 基地台濾波器

高功率 LiTaO₃ SAW 與 TC-SAW(溫度補償 SAW)濾波器可滿足 5G NR 基地台收發器嚴苛的線性度與功率需求。具 SiO₂ 覆蓋層的 TC-SAW 結構可將 TCF 降至接近零(±5 ppm/°C),使濾波器能在 -40°C 至 +85°C 的戶外基地台溫度範圍內運作,無需主動熱補償。

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SAW 感測器與晶片實驗室

LiTaO₃ SAW 元件的高質量靈敏度可實現無標記生物感測、化學氣體偵測與懸浮微粒監測。36° Y-X LiTaO₃ 上的 SAW 延遲線與諧振器配置可達到次皮克質量解析度,應用於氣相層析偵測器、濕度感測器與定點照護診斷平台。

計量與品質管控

每一批次均透過 X-ray rocking curve 驗證(FWHM < 30 arcsec)、SAW 速度與耦合量測(3,900–4,200 m/s)、TCF 表徵(~ -35 ppm/°C)、焦電係數量測(2.3 × 10⁻⁸ C/cm²·K)、AFM 表面粗糙度(Ra < 0.5nm)、居里溫度介電異常(610°C)、域蝕刻檢查,以及光學分光光度量測(> 65% 透過率,350nm–5,500nm)。以確保 SAW、焦電與非線性光學應用的基板性能一致。

X 射線搖擺曲線(XRC) (006) 反射的高解析度 XRD 搖擺曲線。FWHM < 30 arcsec 可確認單晶品質,並驗證晶體取向精度在指定切角 ±0.1° 以內。
SAW 速度與耦合量測 以網路分析儀量測見證樣品上的 SAW 延遲線測試結構。可確認指定晶體切型的聲速(3,900–4,200 m/s)與機電耦合係數(k²)。
TCF 特性分析 在 -40°C 至 +85°C 進行溫度掃描,量測 SAW 諧振器頻率偏移。可驗證 TCF 規格(42° Y-X 通常為 -35 ppm/°C)並識別任何由晶體缺陷引起的異常行為。
焦電係數量測 在受控溫度升溫過程中直接量測焦電電流。可確認感測器級基板的焦電係數規格(2.3 × 10⁻⁸ C/cm²·K)。
AFM 表面粗糙度 在 1×1μm 與 10×10μm 掃描區域進行原子力顯微鏡量測。所有光學與 SAW 級基板的表面粗糙度 Ra < 0.5nm 均逐批確認。
居里溫度介電異常 介電常數對溫度的量測。Tc = 610°C 處的尖銳介電峰值可確認同成分化學計量;峰值變寬或溫度偏移則表示非化學計量組成或雜質併入。
疇蝕刻與顯微鏡檢查 選擇性化學蝕刻(HF:HNO₃)可顯露鐵電疇邊界。以 Nomarski 顯微鏡驗證單疇狀態;所有元件級材料均拒收殘留的多疇區域。
光學分光光度法 在 350nm 至 5,500nm 範圍進行 UV-Vis-NIR 穿透量測。確認光學級基板 > 65% 的穿透率,並識別任何來自過渡金屬雜質的吸收特徵。

準備好開始了嗎?

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