再生晶圓
通過化學機械剝離和拋光從使用過的主級和測試晶圓中回收的環保且經濟的矽晶圓。恢復至接近主級的表面品質，節省30-60%成本。適用於製程開發、設備認證和非關鍵器件層。
什麼是晶圓再生？
晶圓再生是將使用過的、非產品矽晶圓上的所有沉積薄膜、光阻殘留與表面污染剝除，再以化學機械方式重新拋光至接近全新主級晶圓狀態的工業製程。再生晶圓可重新導入半導體製造產線 — 可作為製程認證用的監控／測試晶圓，或就高階再生品而言，作為非關鍵層的元件級起始基板。
全球半導體產業每月消耗超過200 萬片矽晶圓用於非產品用途 — 測試晶圓、監控晶圓、虛擬晶圓與微粒檢查。若無再生，這些晶圓在使用一次後就會進入廢棄物流程。再生可將每片晶圓的可用壽命延長3 至 5 倍，同時帶來極具吸引力的經濟效益，並可量測地減少產業的矽廢棄足跡。頂尖晶圓代工廠例行將再生晶圓整合進其製程開發與監控工作流程，每年節省數千萬美元。
GINECHIP 提供涵蓋 100mm 至 300mm 所有標準直徑的多循環晶圓再生服務。每個再生批次均採用與主級晶圓相同的計量方案 — AFM 粗糙度、TTV／弓形／翹曲、微粒計數（SEMI M53）與 TXRF 金屬分析 — 並附完整分析證書出貨。我們同時支援委託式再生（您的晶圓原樣返還）與公開市場採購已再生庫存。
晶圓再生流程
嚴密控制的四階段序列，將承載多層薄膜堆疊、佈植損傷與有機殘留的使用過測試晶圓，轉變為可供重新進入晶圓廠的近主級表面。每個步驟均以統計製程控制（SPC）界限監控，以確保批次間一致性。
進料檢驗與分類
自動光學檢測與晶圓等級分類
每片進料晶圓都會經過光學掃描，以檢查不合格的機械缺陷 — 深刮痕、邊緣崩角、滑移線與超過允收門檻的裂紋。晶圓依再生後潛力分級並相應歸類。雷射刻號 ID 會被記錄，以實現整個再生週期的批次級追溯。
剝除與清洗
以化學機械方式移除所有薄膜、光阻與表面污染
多化學品濕式製程序列會移除晶圓表面與近表面區域的所有外來材料。介電薄膜在緩衝 HF 中蝕刻；金屬污染物在強氧化性酸混合液中溶解；有機殘留先於 O₂ 電漿艙中灰化，再以 RCA 標準清洗序列（SC-1／SC-2）去除。最後的 DHF 浸漬留下氫終止、疏水性的矽表面。
CMP 重新拋光
受控材料移除以恢復表面平坦度與微粗糙度
化學機械平坦化會移除受控厚度的矽 — 每個再生循環通常為 5 至 15μm — 以消除殘留的佈植損傷、次表面污染與先前晶圓廠使用造成的微刮痕。多區研磨盤壓力控制可優化晶圓內均勻度。CMP 後，表面以刷洗與兆聲波 DI 水沖洗清潔，以移除研磨液微粒殘留。
最終計量與包裝
完整表徵、卡匣映射與 Class 1 無塵室包裝
每片再生晶圓都與新的主級晶圓一樣，經過相同的出廠計量。AFM 確認表面粗糙度已恢復；雷射微粒掃描認證潔淨度；電容量測驗證幾何形狀。合格晶圓會依槽位映射裝入卡匣，並在 Class 1（ISO 3）無塵室環境中密封於氮氣填充的阻隔袋中。每批出貨均附完整分析證書。
再生循環性能
再生晶圓的品質會隨著每一次循環可預期地下降，因為累積的 CMP 材料移除會逐漸增加 TTV 並降低總厚度。下表比較了 200mm 主級起始晶圓在整個再生生命週期中的關鍵計量參數。
| 參數 | 全新主級 | 循環 1 | 循環 3 | 循環 5 |
|---|---|---|---|---|
| 厚度（μm） | 725 ± 15 | 715 ± 15 | 695 ± 20 | 675 ± 25 |
| TTV（μm） | < 2.0 | < 2.5 | < 3.5 | < 5.0 |
| 表面粗糙度 RMS（nm） | < 0.2 | < 0.3 | < 0.5 | < 0.8 |
| LPDs @ 0.2μm | ≤ 10 | ≤ 15 | ≤ 30 | ≤ 50 |
| 金屬（atoms/cm²） | < 5×10¹⁰ | < 1×10¹¹ | < 5×10¹¹ | < 1×10¹² |
| 建議用途 | 元件／產品 | 元件／非關鍵 | 監控／測試 | 虛擬／機械 |
技術規格
| 參數 | 可用範圍／數值 |
|---|---|
| Wafer Diameter | 100mm (4″), 150mm (6″), 200mm (8″), 300mm (12″) |
| Wafer Type | Prime, Test, Monitor, Dummy — all grades accepted for reclaim |
| Dopant Type | P-type (Boron), N-type (Phosphorus, Arsenic, Antimony) |
| Resistivity | As specified by original wafer grade; verified post-reclaim via 4PP |
| Orientation | 〈100〉, 〈111〉, 〈110〉 (off-cut preserved through reclaim) |
| Maximum Reclaim Cycles | Up to 5 cycles for prime-grade; 8+ cycles for monitor/test use |
| Thickness After Reclaim | Original thickness minus 5–15μm per cycle (CMP removal) |
| TTV After Reclaim | < 3μm (200mm), < 5μm (300mm) — verified per SEMI M1 |
| Surface Roughness (RMS) | < 0.5nm (AFM, 1×1μm scan) — Epi-Ready classification |
| Particle Specification | ≤ 30 particles @ 0.2μm (SEMI M53); ≤ 10 for premium grade |
| Metals Contamination | < 1×10¹¹ atoms/cm² (TXRF, VPD-ICP-MS) — Fe, Cu, Ni, Cr |
計量與品質認證
GINECHIP 對再生晶圓採用與主級基板相同的嚴謹計量方案。每個批次均附全面的分析證書（CoA），記載所有量測參數、儀器校準數據，以及相對於議定規格的合格／不合格判定。