用於透明電子的ITO鍍膜玻璃
<strong>ITO（In₂O₃:SnO₂ 90:10）</strong> 以DC/RF磁控濺鍍鍍覆於玻璃上。電阻率（方阻）等級5-500 Ω/sq，透過率>85%且霧度低。功函數4.4-4.8 eV。
產品概覽
ITO 是業界標準的透明導電氧化物；90:10 In₂O₃:SnO₂；以 DC/RF 磁控濺鍍沉積於玻璃；規格 5-500 Ω/sq；透過率 >85-90%；表面粗糙度 RMS <1nm。
為顯示器、觸控面板與太陽能電池量身打造「導電性/透光性」的平衡取捨，確保您在獲得所需電性能的同時，保有產品所需的光學清晰度。
核心優勢：可調薄膜方阻 + 高透過率 + 低霧度，Rs 均勻性 ±5% / T ±2%。
關鍵特性
依規格透過率 >85-95%，功函數 4.4-4.8 eV，<strong>RMS <1nm</strong>，霧度 <1%。
在空氣中耐環境穩定性最高可達 300°C，附著力通過膠帶測試 / MIL-STD-883。
透過率 vs. 薄膜方阻
根據您所需的光學透過率與電學薄膜方阻平衡，選擇合適的規格。以下為各規格的典型結果：
| 薄膜方阻 | 透過率 | 厚度 | 典型應用 |
|---|---|---|---|
| 5 Ω/sq | > 80% | ~280nm | EMI shielding, high-current electrodes |
| 15 Ω/sq | > 83% | ~150nm | OLED anodes, touch panels |
| 20 Ω/sq | > 85% | ~120nm | Display electrodes, solar cells |
| 100 Ω/sq | > 90% | ~25nm | Biosensors, anti-static coatings |
| 500 Ω/sq | > 95% | ~5nm | Research, low-current electrodes |
圖案化與客製化
可選擇未圖案化或透過濕法蝕刻/雷射進行圖案化的 ITO。實現用於觸控面板與顯示器的 <strong>精密圖案</strong>。
可提供最高 400×500mm 的客製長方形基板，並可依需求定制薄膜方阻規格與厚度。
基板選項
可從 <strong>鈉鈣玻璃</strong>、<strong>Borofloat 33</strong>、<strong>熔融石英</strong>、<strong>藍寶石</strong> 或 <strong>矽（含 SiO₂ 隔離層）</strong> 中選擇。依據熱預算、透光性與成本進行選型。
沉積製程
採用 <strong>DC/RF 磁控濺鍍</strong>（E-beam 蒸發為選配）。ITO 厚度：<strong>50nm-300nm</strong>。晶圓內均勻性：<strong>Rs ±5% / T ±2%</strong>。
品質與可靠度
通過 <strong>附著力膠帶測試</strong> / <strong>MIL-STD-883</strong>。空氣環境下熱穩定性達 <strong>300°C</strong>。老化：<strong>85°C/85% RH</strong>、<strong>500-1000h</strong>。包裝：真空密封 <strong>Class 100</strong>，並使用隔頁方式。
規格
| 參數 | 數值／規格 |
|---|---|
| 基礎基板 | Soda-Lime Glass, Borofloat 33, Fused Silica, Sapphire, Silicon (with SiO₂ barrier) |
| 塗層材料 | ITO (In₂O₃:SnO₂, 90:10 wt%) |
| 沉積方法 | DC/RF Magnetron Sputtering, E-beam evaporation optional |
| 片電阻 | 5, 10, 15, 20, 50, 100, 200, 500 Ω/sq, ±10% tolerance |
| 厚度 | ITO: 50nm–300nm; Custom thickness available |
| 穿透率 @ 550nm | > 85% for 20 Ω/sq, > 90% for 100 Ω/sq |
| 基板直徑 | 100mm, 150mm, 200mm, 300mm; custom rectangular up to 400×500mm |
| 晶圓內均勻度 | Rs ±5%, T ±2% |
| 附著力 | Passes Scotch tape test, MIL-STD-883 |
| 表面粗糙度 | RMS < 1nm |
| 霧度 | < 1% for display-grade |
| 功函數 | 4.4–4.8 eV |
| 圖案化選項 | Unpatterned, patterned (wet etch or laser) |
| 環境穩定性 | Thermal stability up to 300°C in air |
| 包裝 | Interleaved, vacuum-sealed, Class 100 |
應用
觸控面板與顯示器
ITO 鍍膜玻璃是智慧型手機、平板電腦與車用資訊娛樂系統電容式觸控面板中的主流透明電極技術。圖案化的 ITO 列與行構成投射式電容矩陣，能以亞毫秒級響應偵測多點觸控輸入。對於 LCD 與 OLED 顯示器，ITO 作為透明像素電極，需具備低於 20 Ω/sq 的片電阻，以將大尺寸面板的 RC 延遲降至最低。
OLED 照明與顯示器
具高功函數（4.4–4.8 eV）的 ITO 陽極可將電洞有效注入 OLED 顯示器與固態照明面板的有機半導體層。對於頂發光 OLED 架構，結合抗反射塗層的玻璃基 ITO 可達到 > 90% 穿透率，同時維持 < 15 Ω/sq — 這對 500+ nits 的高亮度智慧型手機顯示器至關重要。
薄膜太陽能電池
ITO 前電極是非晶矽（a-Si）、碲化鎘（CdTe）與鈣鈦礦太陽能電池等薄膜光伏技術的標準配置。片電阻（串聯電阻損耗）與光學穿透率（光電流產生）之間的取捨，會針對每種電池架構仔細優化。對於串疊式鈣鈦礦-矽電池，具有精確調控功函數的 ITO 複合層可實現子電池之間的高效載子傳輸。
EMI/RFI 屏蔽
ITO 鍍膜基板可為軍事、航太與醫療設備的顯示器與窗戶提供光學透明的電磁干擾（EMI）屏蔽。在 5 Ω/sq 時，ITO 薄膜於 100 MHz 至 10 GHz 範圍內可達到 > 30 dB 的屏蔽效能，同時維持 > 80% 的可見光穿透率 — 這對駕駛艙顯示器、MRI 室窗戶與安全設施觀察窗至關重要。
生物感測器與晶片實驗室
ITO 電極因其兼具導電性、光學透明性（可同時進行光學顯微觀察）與生物相容性，被廣泛應用於電化學生醫感測器、基於阻抗的細胞監測與微流體晶片實驗室平台。以酵素、抗體或適體功能化的 ITO 工作電極，可實現對葡萄糖、神經傳導物質與病原體 DNA 的安培法檢測。
電致變色與智慧窗戶
ITO 鍍膜玻璃在電致變色元件的兩側作為透明導體，該元件可在施加電壓下調節可見光與近紅外線的穿透率。節能建築的智慧窗戶採用米級玻璃面板上的 ITO/電致變色/ITO 堆疊，需要低於 10 Ω/sq 的片電阻，以在大面積上實現均勻的著色切換。
量測與品質控管
每一片基板皆經檢測；每次出貨附帶 CoA；<strong>100% 參數化數據</strong>。