砷化鎵晶圓
GINECHIP 提供砷化鎵 (GaAs) 晶圓，直徑 2″–6″、受控摻雜（N 型 Si、P 型 Zn），並具備可用於外延的製程就緒表面。提供晶向 (100)、(111)A、(111)B，偏切 2°–15°，生長採用 VGF/LEC/HB。
概述
砷化鎵（GaAs）是一種化合物半導體，具有直接能隙 1.424 eV 與高電子遷移率 8,500 cm²/V·s。
可選擇襯底選項：SI 不摻雜、N 型 Si（10⁻³–10⁻¹ Ω·cm）與 P 型 Zn；晶向包括 (100)、(111)A 與 (111)B，離軸度 2°–15°，直徑 2″–6″。
Epi-Ready 表面 RMS 目標 <3Å，確保適合外延製程；並符合 SEMI M1–M13 以及 RoHS、REACH 與 JEDEC。
Epi-Ready GaAs 襯底，EPD 低至 <5×10²/cm²（UHP）。
晶體生長方法
我們採用 VGF、LEC 與 HB 技術生長 GaAs，以滿足不同的品質與外延準備需求。
VGF 精選級
最佳良率與品質
VGF（Vertical Gradient Freeze）GaAs 面向低位錯密度與高電阻率。它在光子與射頻基板應用中提供最佳良率與品質，EPD 於 <5×10²–5×10³/cm² 範圍內受控。
LEC 量產級
成熟量產
LEC（Liquid-Encapsulated Czochralski）GaAs 針對成熟的量產與穩定的製程控制進行最佳化。它特別適合較大直徑的晶圓，EPD 通常落在 1–5×10⁴/cm² 範圍內，以提供良好的整體量產表現。
HB 專用級
專用幾何規格
HB（Horizontal Bridgman）GaAs 可提供 D 形非圓形晶圓，以滿足特定的外形需求。此級別著重於專用幾何規格，適合將晶圓輪廓列為關鍵需求的應用，並將 EPD 控制於 <5×10³/cm²。
生長方法對比
對比 VGF、LEC 與 HB，依據您的優先需求進行選擇：例如 EPD 表現、電阻率目標或用於外延應用的整體良率。
VGF — 最適用於光子與射頻
VGF 有助於實現低 EPD、高電阻率與良率表現，支援先進器件製造所需的外延就緒 GaAs 規格。
LEC 大量製程
LEC 提供成熟的大量生產能力，適用於更大直徑的 GaAs 晶圓，支援可擴展製造。
HB 專用（D 形）
HB 晶圓採用 D 形專用幾何設計，提供非圓形格式，滿足特定應用與客製化佈局。
射頻與微波應用
半絕緣 GaAs 能支援低損耗的高頻器件，應用於 5G、雷達與衛星系統，包括功率放大器與低雜訊放大器。
GaAs 上的射頻器件可用於高性能功率放大器、低雜訊放大器以及射頻開關，滿足嚴苛系統需求。
由於電子遷移率達 8,500 cm²/V·s，GaAs 有助於實現 5G、雷達與衛星等應用的卓越高頻性能。
用於低損耗射頻前端的半絕緣 GaAs
光電應用
GaAs 的直接能隙為 1.424 eV，可支援高效率的發光與吸光，適用於 LED 與雷射二極體。
GaAs 晶圓適用於光偵測器與影像應用，可在嚴苛的光學系統中提供可靠的表現。
GaAs 晶圓可用於太陽能光電與太陽能電池，也可用於光通信系統。
技術規格
| 參數 | 可用範圍 / 值 |
|---|---|
| 直徑 | 2″ (50.8mm), 3″ (76.2mm), 4″ (100mm), 6″ (150mm) |
| 摻雜類型 | SI-Undoped, N-type Si-doped, P-type Zn-doped |
| 電阻率 | SI: >10⁷ Ω·cm; N-type: 10⁻³–10⁻¹ Ω·cm |
| 晶體取向 | (100), (111)A, (111)B, off-cut 2°–15° toward (110) |
| 厚度 | 350μm, 500μm, 625μm standard (custom on request) |
| 表面拋光 | SSP, DSP, Epi-Ready — RMS < 3Å (AFM 5×5μm) |
| 蝕刻坑密度（EPD） | < 5×10³/cm² (prime); < 5×10²/cm² (UHP grade) |
| TTV／弓形／翹曲 | TTV < 5μm, Bow < 10μm, Warp < 15μm |
| 電子遷移率（μₑ） | 8,500 cm²/V·s (undoped GaAs at 300K) |
| 能隙 | 1.424 eV (direct, Γ-valley) |
| 位錯密度 | Grade-dependent: prime < 5×10³/cm²; UHP < 5×10²/cm² |
| 生長方法 | VGF (Vertical Gradient Freeze), LEC (Liquid-Encapsulated Czochralski), HB (Horizontal Bridgman) |
| 背面處理 | Etched, polished, or laser-marked per customer specification |
| 雷射標記 | SEMI M12/M13 compliant: soft-mark on front or back side |
| 定位邊 / 缺口 | Per SEMI M1: EJ (EJ-standard) or US flat configuration |
| 顆粒計數 @ 0.3μm | ≤ 10 particles (laser surface scan, SEMI M53 equivalent) |
| 封裝 | Vacuum-sealed single-wafer cassettes, Class 100 cleanroom |
| 合規標準 | SEMI M1–M13, RoHS, REACH, JEDEC |
應用
射頻與微波器件
半絕緣 GaAs 可用於高頻低損耗器件，適用於 5G、雷達與功率放大器。
LED 與光電元件
直接帶隙有助於有效發光，可用於 LED 與光電元件。
成像與紅外感測器
GaAs 光偵測器與紅外成像可受惠於直接帶隙特性。
研發襯底
可依研究需求提供客製化晶向，包含 (100) 與 (111) 等變體。
高速通訊
寬頻與高速數位應用可利用 GaAs 特性以實現快速效能。
衛星與航太電子
GaAs 襯底可用於衛星與航太系統，支援具輻射耐受性的電子元件。
品質與認證
GINECHIP 的 GaAs 晶圓依據 ISO 9001:2015 製造，並進行 100% 檢驗；同時可對應 SEMI M1–M13 標準以及 RoHS/REACH 需求。