Galliumarsenid-Wafer
GINECHIP liefert GaAs-Wafer mit 2″–6″ Durchmesser, kontrolliertem Dotierprofil (N-type Si, P-type Zn) und produktionstauglichen Oberflächen für die Epitaxie. Verfügbar für die Orientierungen (100), (111)A, (111)B mit Off-cut 2°–15° und Wachstum nach VGF/LEC/HB.
Übersicht
Galliumarsenid (GaAs) ist ein Verbindungshalbleiter mit direkter Bandlücke von 1.424 eV und hoher Elektronenbeweglichkeit von 8,500 cm²/V·s.
Wählen Sie Substratoptionen wie SI undotiert, N-Typ Si (10⁻³–10⁻¹ Ω·cm) und P-Typ Zn; verfügbar sind die Orientierungen (100), (111)A und (111)B mit Off-Cut 2°–15° sowie Durchmesser von 2″–6″.
Die Epi-Ready-Oberflächen zielen auf RMS <3Å ab, für eine optimale Epitaxie-Vorbereitung; zudem erfüllen sie SEMI M1–M13 sowie RoHS, REACH und JEDEC.
Epi-Ready GaAs-Substrate mit EPD bis <5×10²/cm² (UHP).
Kristallwachstumsverfahren
Wir züchten GaAs mit den Verfahren VGF, LEC und HB, um unterschiedliche Anforderungen an Qualität und Epitaxie-Bereitschaft abzudecken.
VGF Prime
Beste Ausbeute und Qualität
VGF (Vertical Gradient Freeze) GaAs ist auf eine geringe Versetzungsdichte und eine hohe Eigenresistivität ausgelegt. Es bietet die beste Ausbeute und Qualität für photonische und RF-Substrate, wobei die EPD im Bereich <5×10²–5×10³/cm² kontrolliert wird.
LEC Volume
Ausgereifte Serienfertigung
LEC (Liquid-Encapsulated Czochralski) GaAs ist auf ausgereifte Serienfertigung und eine stabile Prozessführung ausgelegt. Es eignet sich besonders für größere Waferdurchmesser; die EPD liegt typischerweise im Bereich von 1–5×10⁴/cm² und liefert damit eine gute Gesamtleistung in der Volumenproduktion.
HB Specialty
Spezialgeometrien
HB (Horizontal Bridgman) GaAs kann für spezialisierte Formfaktoren als D-förmige, nicht kreisförmige Wafer bereitgestellt werden. Diese Auslegung ist auf Spezialgeometrien fokussiert und eignet sich für Anwendungen, bei denen die Waferkontur eine zentrale Rolle spielt; die EPD wird auf <5×10³/cm² kontrolliert.
Vergleich der Wachstumsverfahren
Vergleichen Sie VGF, LEC und HB, um nach Ihrer Priorität auszuwählen – ob EPD-Leistung, gewünschte Widerstandswerte oder die gesamte Ausbeute für Epitaxie-Anwendungen.
VGF — Ideal für Photonik & RF
VGF trägt dazu bei, einen niedrigen EPD-Wert, eine hohe Widerstandsfähigkeit und eine starke Ausbeute zu erreichen und unterstützt Epi-Ready-GaAs-Anforderungen für die Fertigung fortschrittlicher Bauteile.
LEC Serienfertigung
LEC bietet eine ausgereifte Volumenproduktion für größere GaAs-Waferdurchmesser und unterstützt damit skalierbare Fertigung.
HB Spezialität (D-Form)
HB-Wafer nutzen D-förmige Spezialgeometrien und bieten nicht-kreisförmige Formate für gezielte Anwendungen und kundenspezifische Layouts.
RF- und Mikrowellenanwendungen
Halbisolierendes GaAs ermöglicht niederverlustige Hochfrequenzbauteile für 5G, Radar und Satelliten, u. a. für Leistungsverstärker und rauscharme Verstärker.
RF-Bauelemente auf GaAs ermöglichen leistungsstarke Leistungsverstärker, rauscharme Verstärker und RF-Schalter für anspruchsvolle Systeme.
Mit einer Elektronenbeweglichkeit von 8,500 cm²/V·s unterstützt GaAs eine starke Hochfrequenzleistung für 5G, Radar und Satellitenanwendungen.
Halbisolierendes GaAs für niederverlustige RF-Frontends
Anwendungen in der Optoelektronik
GaAs besitzt eine direkte Bandlücke von 1,424 eV und unterstützt eine effiziente Lichtemission und -absorption für LEDs und Laser-Dioden.
GaAs-Wafer eignen sich gut für Photodetektoren und Bildgebung und liefern eine zuverlässige Leistung in anspruchsvollen optischen Systemen.
GaAs-Wafer unterstützen Photovoltaik und Solarzellen und kommen außerdem in Systemen der optischen Kommunikation zum Einsatz.
Technische Spezifikationen
| Parameter | Verfügbarer Bereich |
|---|---|
| Durchmesser | 2″ (50.8mm), 3″ (76.2mm), 4″ (100mm), 6″ (150mm) |
| Dotierstofftyp | SI-Undoped, N-type Si-doped, P-type Zn-doped |
| Spezifischer Widerstand | SI: >10⁷ Ω·cm; N-type: 10⁻³–10⁻¹ Ω·cm |
| Kristallorientierung | (100), (111)A, (111)B, off-cut 2°–15° toward (110) |
| Dicke | 350μm, 500μm, 625μm standard (custom on request) |
| Oberflächenpolitur | SSP, DSP, Epi-Ready — RMS < 3Å (AFM 5×5μm) |
| EPD (Ätzgrubendichte) | < 5×10³/cm² (prime); < 5×10²/cm² (UHP grade) |
| TTV / Bow / Warp | TTV < 5μm, Bow < 10μm, Warp < 15μm |
| Elektronenbeweglichkeit (μₑ) | 8,500 cm²/V·s (undoped GaAs at 300K) |
| Bandlücke | 1.424 eV (direct, Γ-valley) |
| Versetzungsdichte | Grade-dependent: prime < 5×10³/cm²; UHP < 5×10²/cm² |
| Zuchtverfahren | VGF (Vertical Gradient Freeze), LEC (Liquid-Encapsulated Czochralski), HB (Horizontal Bridgman) |
| Rückseitenbehandlung | Etched, polished, or laser-marked per customer specification |
| Lasermarkierung | SEMI M12/M13 compliant: soft-mark on front or back side |
| Flat / Notch | Per SEMI M1: EJ (EJ-standard) or US flat configuration |
| Partikelanzahl @ 0.3μm | ≤ 10 particles (laser surface scan, SEMI M53 equivalent) |
| Verpackung | Vacuum-sealed single-wafer cassettes, Class 100 cleanroom |
| Normkonformität | SEMI M1–M13, RoHS, REACH, JEDEC |
Anwendungen
HF- und Mikrowellenbauteile
Halbisolierendes GaAs ermöglicht hochfrequente, verlustarme Bauteile für 5G, Radar und Leistungsvorverstärker.
LEDs & Optoelektronik
Ein direkter Bandabstand ermöglicht eine effiziente Lichtemission und unterstützt LEDs sowie optoelektronische Komponenten.
Bildgebung & IR-Sensoren
GaAs-Photodetektoren und Infrarotbildgebung profitieren von den Eigenschaften des direkten Bandabstands.
F&E-Substrate
Individuelle Orientierungen unterstützen die Anforderungen der Forschung, u. a. mit Optionen wie (100) und (111)-Varianten.
Hochgeschwindigkeitskommunikation
Breitband- und Hochgeschwindigkeits-Digitalanwendungen können die Eigenschaften von GaAs für eine schnelle Leistung nutzen.
Satelliten- & Luft- und Raumfahrt-Elektronik
GaAs-Wafer unterstützen strahlungsfeste Elektronik für Satelliten- und Luft- und Raumfahrtsysteme.
Qualität & Zertifizierung
Die GaAs-Wafer von GINECHIP werden nach ISO 9001:2015 gefertigt und zu 100% geprüft; außerdem sind sie an die Standards SEMI M1–M13 sowie an RoHS/REACH-Anforderungen anpassbar.
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