Materialanpassung
Passen Sie Ihre Substrat-Materialeigenschaften — Widerstand, Dotierung, Orientierung, Dicke, Oberflächenfinish — an Ihre Bauelementanforderungen an.
Übersicht
Standard-Wafer decken viele Anwendungen ab, aber bahnbrechende Bauelemente erfordern präzise angepasste Materialeigenschaften. Unser Service ermöglicht die Definition exakter Spezifikationen.
Overview Paragraph 2
Widerstands-Anpassung
Resistivity Description
| Parameter | Verfügbarer Bereich |
|---|---|
| Resistivity Range | 0.001–10,000 Ω·cm (custom narrow bands available) |
| Tolerance | ±5% standard, ±2% tight, ±1% ultra-tight |
| Radial Uniformity | ≤ 3% variation (4PP, 49-point map) |
| P-type Dopants | Boron (B) — 0.001–10,000 Ω·cm |
| N-type Dopants | Phosphorus (P), Arsenic (As), Antimony (Sb) |
| Intrinsic / High-Res | > 1,000 Ω·cm (FZ, neutron-transmutation doped) |
| Heavily Doped | < 0.005 Ω·cm (N+ Sb, P+ B for epi substrates) |
| Measurement Method | 4-point probe, eddy current, Hall effect per SEMI MF84 |
Resistivity Paragraph 2
Dotierungsprofil-Engineering
Doping Description
P-Typ (Bor-dotiert)
Bor-dotierte Si-Wafer für Löcherleitung. Von stark dotiert bis nahezu intrinsisch mit engen Toleranzen.
N-Typ (Phosphor/Antimon)
P- oder Sb-dotierte Si-Wafer für Elektronenleitung. Höhere Elektronenbeweglichkeit als P-Typ.
Intrinsisch / Hochohmig
Ultrahochohmiges Si (> 10 kΩ·cm) für HF-Substrate, Fotodetektoren. Minimale Absorption freier Ladungsträger.
Kristallorientierungs-Auswahl
Orientation Description
| Parameter | Verfügbarer Bereich |
|---|---|
| Standard Orientations | 〈100〉, 〈111〉, 〈110〉 |
| Off-Cut / Vicinal | 0.5°–6.0° toward 〈110〉, 〈111〉, or 〈211〉 |
| Tolerance | ±0.1° standard, ±0.05° precision |
| Flat Alignment | SEMI M1 primary/secondary flat or notch |
| Wafer ID Laser Mark | SEMI T7 OCR-compatible, alphanumeric, dot-matrix |
H 100Title
H 111Title
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Dicken-Anpassung
Thickness Description
| Parameter | Verfügbarer Bereich |
|---|---|
| Standard Range | 200μm–1000μm |
| Ultra-Thin | 100μm–200μm (ground + stress-relieved) |
| TTV (Total Thickness Variation) | < 2μm standard, < 1μm tight |
| Bow | < 30μm standard, < 10μm tight |
| Warp | < 40μm standard, < 15μm tight |
| Surface Roughness (Ra) | < 0.5nm CMP, < 5nm DSP, < 50nm lapped |
Thickness Paragraph 2
Oberflächenfinish-Optionen
Surface Finish Description
CMP-poliert
Chemisch-mechanische Planarisierung. Ein- oder beidseitig poliert mit Subnanometer-Rauheit.
- Ra < 0.5nm (AFM, 10×10μm scan)
- Haze < 0.2 ppm (SP1/Tencor)
- Available single-side or double-side
Einseitig poliert (SSP)
Vorderseite poliert (< 0,5nm Ra), Rückseite geätzt oder geläppt. Kostengünstige Option.
- Front: CMP (Ra < 0.5nm)
- Back: bright-etched or lapped
- SEMI M1 compliant
Beidseitig poliert (DSP)
Beide Seiten poliert. Erforderlich für MEMS, Optik und Wafer-Bonden.
- Both sides Ra < 0.5nm
- Improved wafer flatness
- 200mm and 300mm available
Epi-Ready-Finish
Ultra-saubere Oberfläche für Epitaxie. Oxid < 1nm. HF-last oder Ozon-last Reinigung. In N₂-gespülter Verpackung.
- Native oxide < 5Å (ellipsometry)
- COP-free for high-quality epi
- N₂-purged packaging
Geläppt / Schnittzustand
Wirtschaftliches Finish für mechanische Anwendungen und Prozessentwicklung. Rauheit 0,2–0,5μm Ra.
- Ra 0.5–5.0μm
- Fast delivery
- Bulk pricing available
Rückseitenbehandlungen
Backside Description
Gettering Title
Dielectric Backside Title
Spezielle Materialgüten
Special Description
Rückseiten-Oxid / Poly-Si
Thermisches Oxid oder Poly-Si auf der Rückseite für Getterung metallischer Verunreinigungen.
Bulk Micro Defect (BMD) Engineering
Kontrollierte Sauerstoff-Präzipitation für interne Getterzentren. BMD-Dichte und Denuded-Zone-Tiefe nach Spezifikation.
Crystal Originated Particle (COP) Kontrolle
COP-freie oder COP-reduzierte Si-Wafer. Kritisch für Gate-Oxid-Integrität in CMOS und Flash-Speicher.
Anwendungen
Qualität & Zertifizierung
Jedes Los wird mit Analysezertifikat geliefert: Widerstandskarte, Dotierungsprüfung, XRD, Dickenkarte, Rauheitsmessung, Partikelzählung.
Quality Paragraph 2
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