HF- & Leistungsbauelemente
GaAs-, GaN-on-SiC- und SOI-Substrate für HF-Frontend-Module.
Übersicht
HF- und Leistungsbauelemente sind zentrale Komponenten der 5G-Kommunikation, von Radarsystemen und der Leistungssteuerung. GINECHIP bietet umfassende Substratlösungen für HF- und Leistungsbauelemente auf den Materialplattformen GaAs, GaN-on-SiC, 4H-SiC und RF-SOI — von Leistungsverstärkern für Mobiltelefone bis zu GaN-HEMTs für Basisstationen.
Wir liefern branchenführende Qualität und Präzision und stellen sicher, dass Ihre HF- und Leistungsbauelemente eine optimale Leistung erzielen.
HF-Technologie
Semi-isolierendes GaAs
Semi-isolierende Galliumarsenid-Substrate für Leistungsverstärker- und Schalter-MMICs unter 7GHz, epi-ready oder vorstrukturiert in 100mm- und 150mm-Durchmessern erhältlich.
GaN-on-SiC-HEMT
GaN-on-SiC-Epitaxie mit hoher Elektronenbeweglichkeit liefert eine Leistungsdichte von 5–10 W/mm und 50–65% PAE in Doherty-Verstärkerkonfigurationen für mmWave- und Sub-6GHz-Infrastruktur.
RF-SOI (Trap-Rich)
Hochohmiges SOI mit optionaler trap-rich Grenzschicht minimiert harmonische Verzerrungen und Substratverluste für RF-Schalter- und Antennen-Tuner-ICs.
GaN-on-Si (HF)
AlGaN/GaN-HEMT-Epitaxie auf hochohmigem Silizium (111) bietet eine kostengünstigere Alternative zu GaN-on-SiC für DC–6GHz-Leistungs- und HF-Anwendungen.
IPD-Substrate (Integrated Passive Device)
Hoch-Q-Induktivitäten, präzise MIM-Kondensatoren und Dünnschichtwiderstände auf hochohmigem Silizium oder Glas für kompakte HF-Frontend-Anpassnetzwerke.
Leistungstechnologie
4H-SiC-Leistungssubstrate
N-leitende Siliziumkarbid-Substrate für die Fertigung von SiC-MOSFETs und -Dioden mit 650V–3,3kV, mit einer Mikropipe-Dichte unter 0,5 cm⁻² für hohe Bauteilausbeute.
GaN-Leistungssubstrate
200mm-Silizium-(111)-Plattform für p-GaN-Enhancement-Mode-Leistungs-HEMTs, mit 100–650V Nennspannung und Schaltfrequenzen über 1MHz.
FZ-Silizium für IGBT/Thyristor
Float-Zone-Silizium mit Neutronen-Transmutationsdotierung und ultraniedrigem Sauerstoffgehalt für die Fertigung von IGBTs, Thyristoren und Hochleistungsdioden mit 600V–6,5kV.
Materialvergleich
| Parameter | GaAs | GaN-on-SiC | RF-SOI | 4H-SiC |
|---|---|---|---|---|
| Bandlücke | 1.42 | 3.39 | 1.12 | 3.26 |
| Kritisches Feld | 0.4 | 3.3 | 0.3 | 2.8 |
| Beweglichkeit | 8,500 | 2,000 (2DEG) | 1,400 | 1,000 |
| Defektdichte | N/A | ~1×10¹³ | N/A | N/A |
| Wärmeleitfähigkeit | 0.55 | 4.9 (SiC) | 1.5 | 4.9 |
| Spezifischer Widerstand | >10⁷ | >10⁵ (SiC) | >1,000 | 0.015–0.028 |
| Max. Frequenz | 100+ GHz | 100+ GHz | ~6 GHz | N/A (power) |
| Zielanwendung | PA, Switch | mmWave PA | Switch, Tuner | MOSFET, Diode |
Die oben genannten Werte sind typisch; die tatsächlichen Spezifikationen hängen vom jeweiligen Produkt und den Anwendungsanforderungen ab.
Anwendungen
GaN-on-SiC- und LDMOS-fähige Substrate treiben die hocheffizienten Verstärker für 5G-Massive-MIMO- und mmWave-Basisstationen an.
4H-SiC-MOSFET-Substrate ermöglichen höhere Schaltfrequenzen und geringere Verluste in EV-Traktionswechselrichtern und Bordladegeräten.
GaN-on-SiC- und semi-isolierende GaAs-Substrate unterstützen die leistungsstarken Hochfrequenzverstärker in Radar- und Satellitenkommunikationssystemen.
SiC- und FZ-Silizium-Leistungssubstrate verbessern den Wirkungsgrad in Solarwechselrichtern, Windkraftkonvertern und netzskaligen Speichersystemen.
RF-SOI- und GaAs-Substrate bilden die Schalter, LNAs und Leistungsverstärker in modernen Smartphone-HF-Frontend-Modulen.
GaN- und SiC-Leistungsbauelemente reduzieren Schaltverluste und verkleinern Passivbauteile in industriellen Motorantrieben und Netzteildesigns.
Epitaxie-Qualität
Epitaktische Schichten werden durch Photolumineszenz-Mapping, Röntgenbeugungs-Rocking-Curve-Analyse und Messung der Oberflächendefektdichte charakterisiert. Wir garantieren eine Epi-Schicht-Gleichmäßigkeit innerhalb von 2 % über den gesamten Wafer, mit einer RMS-Oberflächenrauheit unter 0,2 nm.
Lieferkette
Unser globales Lieferkettennetzwerk gewährleistet eine stabile, zuverlässige Substratversorgung. Wir haben langfristige Partnerschaften mit führenden Waferherstellern aufgebaut und halten ausreichende Lagerbestände vor, um Ihren Produktionsbedarf zu decken.
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