Beschichtete Substrate
Vorbeschichtete Wafer mit thermischem Oxid, LPCVD-Nitrid, Metallfilmen.
Übersicht
Beschichtete Substrate sind eine grundlegende Voraussetzung für eine Vielzahl von Halbleiter- und MEMS-Bauelementen. GINECHIP bietet umfassende vorbeschichtete Wafersubstrat-Dienstleistungen — thermisches Oxid, LPCVD/PECVD-Nitrid, Polysilizium, Metallfilme und dielektrische Mehrschichtsysteme — für individuelle Schichtstapel auf Silizium-, Glas- und Verbindungshalbleitersubstraten.
Jedes beschichtete Substrat wird mit vollständigen Filmcharakterisierungsdaten und Materialzertifizierung geliefert. Unsere Abscheidungsanlagen umfassen thermische Oxidationsöfen, LPCVD/PECVD-Reaktoren und PVD-Sputter-/Verdampfungssysteme, was uns die Prozessflexibilität gibt, um enge Ziele für Dicke, Spannung und Gleichmäßigkeit über ein breites Spektrum an Substratmaterialien zu erfüllen.
Verfügbare Beschichtungsarten
Thermisches Oxid (SiO₂)
Trocken- und nassgewachsenes Siliziumdioxid für Gate-Dielektrika, Maskierung und Passivierung mit präzise kontrollierter Dicke und Brechzahl.
- Dry: 10nm–300nm, Wet: 100nm–2μm
- Uniformity: ±2% within-wafer
- Refractive index: 1.46 @ 633nm
- Breakdown field: > 10 MV/cm
Spannungsarmes Siliziumnitrid (Si₃N₄)
LPCVD-abgeschiedenes Nitrid mit geringer Eigenspannung und hoher KOH-Ätzselektivität, ideal für MEMS-Membranen und Diffusionsmaskierung.
- Thickness: 50nm–2μm
- Stress: < 100 MPa (low-stress nitride)
- Refractive index: 2.0 @ 633nm
- Etch selectivity to Si: > 500:1 in KOH
Polysilizium
Dotierte oder undotierte Polysiliziumfilme mit einstellbarem spezifischem Widerstand und Korngröße für Gate-Elektroden, Widerstände und MEMS-Strukturschichten.
- Thickness: 100nm–10μm
- Resistivity: 0.001–1000 Ω·cm (doped)
- As-deposited or annealed (stress control)
- Grain size: 20–100nm (deposition condition)
Metallfilme & Schichtstapel
Gesputterte oder aufgedampfte Al-, Au-, Pt- und Ni-Mehrschichtstapel für Drahtbondpads, ohmsche Kontakte und Diffusionsbarrieren.
- Al: 100nm–5μm (wirebonding)
- Ti/Au: 20/200nm–50/1000nm
- Cr/Au, Ti/Pt/Au, Ti/Ni/Au stacks
- Sheet resistance as specified per process
Verteilte-Bragg-Reflektor-Beschichtungen (DBR)
Mehrschichtige dielektrische Stapel aus abwechselnd hoch- und niedrigbrechenden Materialien, ausgelegt auf über 99,9 % Reflexionsgrad bei der Zielwellenlänge.
- SiO₂/TiO₂, SiO₂/Ta₂O₅, SiO₂/Si₃N₄
- 3–50 layer pairs
- Reflectivity > 99.9% at design wavelength
- Custom spectral targets: 400nm–2μm
Parylen-Konformbeschichtung
Porenfreies, biokompatibles Parylen, abgeschieden durch Gasphasenpolymerisation für hermetische, gleichmäßige Abdeckung komplexer Geometrien.
- Thickness: 0.5μm–50μm
- Dielectric constant: 2.65–3.15
- USP Class VI biocompatible
- No pinholes, true conformal coverage
Kompatible Substrate
Silizium-Wafer
Prime- und Testqualitäts-Si-Wafer von 50 mm bis 300 mm, in jeder Orientierung und jedem Widerstand für die Beschichtung erhältlich.
Glassubstrate
Borosilikatglas-, Quarzglas- und Display-Glassubstrate für optische, MEMS- und mikrofluidische Anwendungen.
GaAs-Substrate
Halbisolierende und n-Typ-Galliumarsenid-Wafer für die Beschichtung von RF-, Photonik- und optoelektronischen Bauelementen.
InP-Substrate
Indiumphosphid-Wafer für photonische und Hochfrequenz-Bauelementanwendungen, die eine präzise Filmabscheidung erfordern.
Flexible & Polymersubstrate
Niedertemperaturkompatible Beschichtungsprozesse für Polyimid, PET und andere flexible Substratmaterialien.
Saphir-Substrate
Al₂O₃-Substrate, beschichtet für LED-, optische Fenster- und Hochtemperatur-Elektronikanwendungen.
Abscheidungstechnologien
Thermische Oxidation
- Trockenoxidation (O₂): SiO₂ höchster Qualität für Gate-Dielektrika, 10nm–300nm
- Nassoxidation (H₂O-Dampf): höhere Wachstumsrate für dickere Oxide, 100nm–2μm
- Chlorierte Oxidation (TCA/TCE): Erhöhte Minoritätsträger-Lebensdauer für Leistungsbauelemente
- Verfügbar auf 100mm-, 150mm- und 200mm-Si-Wafern
LPCVD
- Si₃N₄: Rezeptur mit niedriger Spannung (< 100 MPa) für MEMS-Membranen
- Polysilizium: dotiert oder undotiert, einstellbare Korngröße und Spannung
- TEOS SiO₂: konformes Oxid mit ausgezeichneter Stufenbedeckung
- Batchverarbeitung für Kosteneffizienz bei Volumen
PECVD
- SiO₂: Niedrigtemperatur-Oxid (< 400°C) für die Passivierung nach der Metallisierung
- Si₃N₄: dielektrische Passivierung mit einstellbarer Spannung (Druck bis Zug)
- SiON, a-Si: Antireflexbeschichtungen, Absorberschichten
- Hohe Abscheiderate, kompatibel mit temperaturempfindlichen Substraten
PVD
- DC/RF-Magnetronsputtern: Al, Ti, Au, Pt, Cr, Ni, Cu, ITO
- E-Beam- / thermische Verdampfung: hochreine Metallfilme für Lift-off-Prozesse
- Reaktives Sputtern: TiN, TaN Barriere-/Haftschichten
- Schattenmasken- oder Ganzwafer-Abscheidung
Qualitätskontrolle
Jedes beschichtete Substrat durchläuft eine strenge Qualitätskontrolle, einschließlich Filmdickenkartierung, Gleichmäßigkeitsprüfung, Haftungstests und Oberflächeninspektion gemäß SEMI-Standards.
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