Film- & Beschichtungsanpassung
Kundenspezifische Dünnfilmabscheidung — dielektrische, Metall- und Mehrschichtstapel nach präzisen Spezifikationen.
Übersicht
Dünnfilmabscheidung für Halbleiter, MEMS und Photonik. Von einschichtigen Dielektrika bis zu komplexen optischen Stapeln.
Jeder Film wird ellipsometrisch geprüft, 49-Punkt-Mapping und Krümmungsmessung. Abscheidung auf Si, SOI, Glas, Saphir.
Dielektrische Filme
Dielektrikumsabscheidung: Gate-Oxide, Zwischenschichtisolation, Passivierung. Thermisch, CVD, ALD.
| Parameter | Verfügbarer Bereich |
|---|---|
| Thermisches SiO₂ (trocken) | 5nm–500nm, uniformity ±1%, RI 1.462, breakdown > 10 MV/cm |
| Thermisches SiO₂ (nass) | 50nm–3μm, uniformity ±2%, growth rate 5–10× faster than dry |
| PECVD SiO₂ | 100nm–5μm, uniformity ±3%, stress tunable (compressive or tensile) |
| LPCVD TEOS SiO₂ | 50nm–2μm, excellent step coverage, conformal > 95% |
| ALD Al₂O₃ | 5nm–100nm, uniformity ±0.5%, pinhole-free, high-k (εᵣ ≈ 9) |
| ALD HfO₂ | 2nm–50nm, EOT < 1nm, high-k (εᵣ ≈ 20–25) |
LPCVD-Siliziumnitrid
- Stöchiometrisches Si₃N₄, abgeschieden bei 700–850 °C für dichte, defektarme Schichten
- Ausgezeichnete Diffusionsbarriere gegen Natrium und Feuchtigkeit
- Zugspannung ~1 GPa — ideal für freitragende MEMS-Membranen
- Schichtdicke: 50 nm–1 μm, Gleichmäßigkeit < ±3 %
PECVD-Siliziumnitrid
- Abscheidung bei 250–400 °C — kompatibel mit temperaturempfindlichen Metallschichten
- Einstellbare Spannung von Druck- bis Zugspannung über das RF-Leistungsverhältnis
- Verwendet für finale Passivierung und Kratzschutz
- Schichtdicke: 100 nm–2 μm, Gleichmäßigkeit < ±5 %
Metallfilme & Metallisierung
Metallfilme (PVD): Elektroden, Verbindungen, Barrieren, Keimschichten.
| Parameter | Verfügbarer Bereich |
|---|---|
| Al (Aluminium) | 100nm–5μm, PVD sputtered, ±1% Si or ±0.5% Cu doping available |
| Ti / TiN | Ti 10–50nm / TiN 20–200nm, PVD reactive sputtering, diffusion barrier |
| TiW (Titan-Wolfram) | 50–300nm, PVD, superior diffusion barrier for Au metallization |
| Cr / Au | Cr 10–30nm (adhesion) + Au 50–500nm, evaporation or sputtering |
| Ni / NiV | 50nm–5μm, electroplated or sputtered, solder-wettable UBM |
| Pt (Platin) | 50–300nm, PVD, high-temperature stable, inert electrode material |
Aluminium-Metallisierung
Aluminium (Al) für Verbindungen. PVD mit Si/Cu-Dotierung. 100nm–5μm.
Gold-Metallisierung
Gold (Au) für zuverlässige Elektroden. Cr/Au oder Ti/Au Stapel. 50–500nm.
Under-Bump-Metallisierung (UBM)
Mehrschicht-UBM-Stapel für Flip-Chip. Ti, Cr / Ni, NiV, TiW / Au, Cu.
Mehrschichtstapel
Mehrschichtstapel für optische, elektrische und mechanische Funktionen.
ONO-Stapel (SiO₂ / Si₃N₄ / SiO₂)
ONO für Speicher (Flash, EEPROM). SiO₂ / Si₃N₄ / SiO₂. EOT ab 10nm.
- SiO₂ / Si₃N₄ / SiO₂
- Gesamtstapel: 18–45nm
- EOT bis zu 10nm
High-k/Metal-Gate (HKMG) Stapel
High-k/Metal-Gate-Stapel für CMOS. IL SiO₂ + HfO₂ + TiN + poly-Si. EOT < 1nm.
- IL SiO₂ + HfO₂ + TiN + Poly-Si
- EOT < 1nm erreichbar
- N-Typ- und P-Typ-Bandkanten-Austrittsarbeit
Antireflexbeschichtungen (ARC)
ARC für Lithografie. BARC (SiON, 50–100nm), TARC (SiON, 30–80nm).
- BARC: 50–100nm SiON oder organisch
- TARC: 30–80nm Si-reiches SiON
- Optimiert für i-line (365nm) und DUV (248nm)
MEMS Opfer- & Strukturstapel
Opfer- und Strukturstapel für MEMS. PSG/SiO₂ + poly-Si.
- PSG / SiO₂ Opferschicht
- LPCVD poly-Si strukturell
- Kompatibel mit Dampf-HF- oder BOE-Release
Filmmetrologie & Charakterisierung
Jeder Film durchläuft Metrologie: Dicke, n&k, Spannung, Zusammensetzung, Rauheit.
- Spektroskopische Ellipsometrie — Dicke und n/k bis ±0.1nm (Woollam M-2000)
- 49-Punkt-Dickenmapping — Verifikation der Gleichmäßigkeit innerhalb des Wafers
- Waferkrümmung / Spannung — Tencor FLX, Spannungsmap über den gesamten Wafer
- XRR (Röntgenreflektometrie) — Subnanometer-Dicke für ultradünne Filme
- AFM-Oberflächenrauheit — Ra/RMS bei 1×1μm- und 10×10μm-Scans
- Vierpunktmessung — Flächenwiderstand leitfähiger Filme
- XPS / EDX — Verifikation von Filmzusammensetzung und Stöchiometrie
- Optische Mikroskopinspektion — Sichtprüfung auf Pinholes, Partikel, Delamination
Anwendungen
Qualität & Zertifizierung
Abscheidung in ISO 5. Konformitätszertifikat. SPC-Kontrolle.
Fordern Sie Ihren Filmstapel an
Nennen Sie Dicke, Material, Stressbudget und Wafer-Spezifikation.