Dünnschichtabscheidung
PVD-, CVD-, ALD-Prozesse für Oxid-, Nitrid-, Metallschichten auf 200mm/300mm Wafern.
Übersicht
Dünnschichtabscheidung ist die Grundlage der Halbleiterfertigung.
PVD, CVD, ALD, ECD. ISO-Klasse-5-Reinraum. Schichtdickenkontrolle < 1 nm.
Abscheidungstechnologien
Physikalische Gasphasenabscheidung (PVD)
Sputter- und Verdampfungsprozesse für Metalle, Legierungen und dielektrische Schichten auf 100-mm- bis 300-mm-Wafern. DC/RF-Magnetron-Sputtern, Elektronenstrahl- und thermische Verdampfung decken das gesamte Spektrum an Leiter- und Isolatormaterialien für Verbindungs- und optische Schichtstapel ab.
Chemische Gasphasenabscheidung (CVD)
LPCVD-, PECVD- und MOCVD-Prozesse scheiden konforme Oxid-, Nitrid-, Polysilizium- und III-V-Epitaxieschichten über einen weiten Temperaturbereich ab. Die ausgezeichnete Stufenbedeckung macht CVD zur Standardwahl für Struktur- und Passivierungsschichten in der MEMS- und IC-Fertigung.
Atomlagenabscheidung (ALD)
Selbstlimitierende Oberflächenreaktionen scheiden ultradünne, pinholefreie dielektrische und metallische Schichten mit Subnanometer-Dickenkontrolle ab. Ideal für High-k-Gate-Dielektrika, Diffusionsbarrieren und konforme Beschichtung von Strukturen mit hohem Aspektverhältnis.
Elektrochemische Abscheidung (ECD)
Galvanische Abscheidung von Cu, Ni, Au, Sn und Ag für Verbindungen, TSV-Füllung und UBM-Stapel. Kupfer-TSV-Füllung mit hohem Aspektverhältnis und stromlose Ni/Au-Pad-Metallisierung unterstützen fortschrittliche Verpackung und MEMS-Anwendungen.
Polymer- & Spin-On-Dielektrika
Spin-beschichtete SOG-, BCB-, Polyimid- und SU-8-Schichten bieten spannungsarme dielektrische Isolation, Planarisierung und dicke Strukturschichten. Geeignet für Redistribution-Layer, MEMS-Strukturelemente und flexible Geräteanwendungen.
Filmmaterialien
Oxide & Dielektrika
SiO₂ · Al₂O₃ · HfO₂ · Si₃N₄ · Ta₂O₅
Metalle
Al · Ti · Cr · Ni · Pt · Au · Cu · W · Mo
Transparente leitfähige Oxide
ITO · AZO · FTO
Harte & verschleißfeste Beschichtungen
DLC · TiN · CrN
Polymere & organische Materialien
Parylene · Polyimide · BCB · SU-8
Piezoelektrische & ferroelektrische Materialien
AlN · ZnO · PZT
Qualitätskennzahlen
| Parameter | Zielwert | Messmethode |
|---|---|---|
| Schichthaftung | Besteht ASTM-D3359-Gitterschnitttest | Gitterschnitt-Klebebandtest |
| Pinhole-Dichte | < 0,1 Pinholes/cm² (nach Abscheidung) | Nassätz-Dekoration + optische Inspektion |
| Stufenbedeckung (Konformität) | > 80 % bei Aspektverhältnis 5:1 | Querschnitts-REM |
| Spannungswiederholbarkeit (Charge zu Charge) | ± 10 MPa (3σ) | Wafer-Krümmung (Stoney-Gleichung) |
| Metallische Kontamination | < 5×10¹⁰ Atome/cm² (TXRF) | TXRF-Analyse |
| Haftung nach Temperaturwechseln | Keine Delamination nach 500 Zyklen (−55 °C bis 125 °C) | Thermoschockkammer + Klebebandtest |
| Dickenwiederholbarkeit (Los zu Los) | ± 1,5 % (3σ) | SPC-Regelkarte (Ellipsometrie) |
| Wafer-Bow-Änderung nach Abscheidung | < 25 μm (200 mm), < 40 μm (300 mm) | Kapazitive Messung / Interferometrie |
Typische Anwendungen
Poly-Si, SiO₂, Si₃N₄ für MEMS-Strukturen.
AR-, HR-Beschichtungen. ITO. DBR-Spiegel.
Al, Ti/TiN, Cu-Saat, Ta/TaN, Ni/Au.
Passivierung: Si₃N₄, Parylen, ALD Al₂O₃.
AlN, ZnO, PZT für Piezo-Anwendungen.
NiCr, TaN, Pt Widerstände und Heizer.
Mehrschichtstapel
Unsere Mehrschichtabscheidung ermöglicht komplexe Dünnschichtstapel mit präziser Dickenkontrolle. Jede Schicht wird sequenziell mit In-situ-Überwachung abgeschieden, was die Haftung zwischen den Schichten und die Grenzflächenqualität sicherstellt.
Substratkompatibilität
Unsere Aufbereitungsprozesse unterstützen Siliziumwafer aller gängigen Dotierungstypen, Orientierungen und Durchmesser. Wir bieten außerdem die Aufbereitung von SOI-, Glas- und Verbundhalbleitersubstraten mit dedizierten Prozesschemien für jedes Materialsystem an.
Qualitätssicherung
Schichtspannungskontrolle < 50 MPa. Brechungsindextoleranz ±0,005.
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