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MEMS-ProzessplattformTechnologie
0,5 μm AuflösungAuflösung
1.000+ Wafer/MonatKapazität
ISO 9001:2015Zertifizierung

Übersicht

MEMS-Sensoren sind Kernkomponenten moderner Elektronikgeräte und werden häufig in der Automobilindustrie, Unterhaltungselektronik, Medizintechnik und industriellen Automatisierung eingesetzt. GINECHIP bietet umfassende Substrate und Prozessdienstleistungen zur Unterstützung von Design und Fertigung von Drucksensoren, Inertialsensoren, akustischen Sensoren und Umweltsensoren.

Wir liefern branchenführende Qualität und Präzision — von Silizium- und SOI-Wafern über Glassubstrate bis hin zu DRIE-Ätzen und Wafer-Bonding, als Komplettlösung für Ihre MEMS-Sensorfertigung.

Sensortypen

Inertialsensoren (Beschleunigungssensoren & Gyroskope)

Kapazitive Kammantrieb- und Stimmgabelstrukturen auf Si-, SOI- oder Silizium-auf-Glas-Substraten liefern Beschleunigungsbereiche von ±2g bis ±200g und Drehratenbereiche von ±100°/s bis ±2000°/s für Automobil-, Konsumgüter- und Industrieanwendungen.

Substrates: Si, SOI, Si-on-GlassKey processes: DRIE, wafer bondingStructures: comb-drive, tuning forkRange: ±2g to ±200g (accel)Range: ±100°/s to ±2000°/s (gyro)Diameters: 150mm, 200mm

Drucksensoren

Piezoresistive Dehnungsmessstreifen oder kapazitive Erfassung über eine versiegelte Referenzkavität messen Drücke von 1 kPa bis 100 MPa; die hermetische Kavität entsteht durch anodisches oder Fusionsbonden auf Si-, SOI- oder Silizium-auf-Glas-Substraten.

Substrates: Si, SOI, Si-on-GlassMembrane: Si or Si₃N₄ diaphragmPiezoresistive: doped Si strain gaugesCapacitive: sealed reference cavityRange: 1 kPa to 100 MPaAnodic/fusion bonding for cavity

MEMS-Mikrofone

Polysilizium- oder Siliziumnitrid-Membranen mit Opferschicht-Freilegung erreichen 60–73 dB(A) SNR in Wafer-Level-Bottom-Port-Gehäusen und erfüllen die Volumenanforderungen von Consumer-Audio-Anwendungen.

Substrates: Si wafers (150mm, 200mm)Membrane: poly-Si or Si₃N₄SNR: 60–73 dB(A)Key processes: sacrificial layer etchPackaging: wafer-level, bottom-portVolume: multi-billion units/year

MEMS-Oszillatoren & Resonatoren

DETF-, Scheiben- und Ringresonatorstrukturen auf SOI-, Si- oder Polysilizium-Substraten liefern Frequenzreferenzen von 1 MHz bis 625 MHz mit TCXO-Klasse-Stabilität von ±0,1 ppm, versiegelt durch Wafer-Level-Vakuumverpackung.

Substrates: SOI, Si, poly-SiFrequency: 1 MHz–625 MHzStability: ±0.1 ppm (TCXO class)Resonator: DETF, disk, ringProcess: DRIE + vacuum packagingWafer-level hermetic seal

Gassensoren

SnO₂-, WO₃- oder ZnO-Sensorschichten in Kombination mit einer integrierten MEMS-Mikroheizung ermöglichen eine Gaserkennung im ppb-Bereich bei unter 15 mW gepulster Leistung, kompatibel mit Wafer-Level-Verpackung.

Substrates: Si, SOI, glassSensing film: SnO₂, WO₃, ZnOIntegrated micro-heater (MEMS hotplate)Power: < 15mW (pulsed operation)Detection: ppb-level for some gasesWafer-level packaging compatible

Mikrofluidik- & Biosensoren

Mikrofluidikkanäle aus PDMS, SU-8 oder Glas in Kombination mit Au-, Pt-, ITO- oder TiN-Elektroden sowie anodisch gebondeten oder AuSn-hermetischen Versiegelungen unterstützen Lab-on-Chip- und Diagnosegeräte nach ISO 13485.

Substrates: Si, glass, SOIMicrofluidics: PDMS, SU-8, glassSurface chemistry: silanization, PEGElectrodes: Au, Pt, ITO, TiNHermetic: anodic bonding, AuSn sealISO 13485 (medical devices)

Substratauswahlleitfaden

Prime-Siliziumwafer

SEMI-konforme Prime-Grade-Siliziumwafer für strukturelle, mechanische und elektrische MEMS-Schichten.

SOI-Wafer

Silizium-auf-Isolator-Wafer mit präzise kontrollierter Bauteilschichtdicke für definierten Ätzstopp und die Herstellung freigelegter Strukturen.

Silizium-auf-Glas

Anodisch gebondete Silizium-Glas-Stapel, die elektrische Isolierung und optischen Zugang für kapazitive und optische MEMS-Bauelemente bieten.

Borosilikatglaswafer

Thermisch angepasste Borosilikatglaswafer für anodisches Bonden, Kavitätsversiegelung und transparente Sensorfenster.

Prozessdienstleistungen

Tiefenreaktives Ionenätzen

Bosch-Prozess-DRIE bildet Strukturen mit hohem Aspektverhältnis, Kammzähne und freigelegte Membranen mit streng kontrolliertem Seitenwandprofil.

Wafer-Bonden

Anodisches, Fusions- und eutektisches Bonden versiegeln Kavitäten und stapeln Bauteil- und Kappenwafer zu einer hermetischen, mechanisch robusten Schnittstelle.

Wafer-Dünnung & Rückseitenschliff

Präzisionsschleifen und -polieren reduzieren die Waferdicke für Membran-Nachgiebigkeit, Spannungsabbau und Zielhöhen des Endgehäuses.

Wafer-Level-Packaging

Kappenwafer-Bonden und hermetische Versiegelung schützen empfindliche MEMS-Strukturen bereits auf Wafer-Ebene vor dem Vereinzeln und senken die Verpackungskosten pro Chip.

Vereinzelung & Sägen

Klingen- und Stealth-Dicing trennen MEMS-Dies und schützen dabei freiliegende Membranen, Kavitäten und freigelegte Strukturen vor mechanischer Beschädigung.

Messtechnik & Test

Elektrische Tests auf Wafer-Ebene, Frequenzgang-Charakterisierung sowie optische/REM-Inspektion verifizieren die Bauteilleistung vor dem Versand.

Design-Unterstützung

Design Paragraph 1

Design Paragraph 2

Verpackungslösungen

Zu den MEMS-Verpackungsoptionen gehören Wafer-Level-Kapselung (anodisch, Glasfritte, Metalleutektikum), hermetische Keramikgehäuse auf Die-Ebene und umspritzte Kunststoffgehäuse mit Kavität. Vakuumverpackung bis zu < 1 mTorr ist für Trägheitssensoren und Resonatoren verfügbar.

Qualitätssicherung

Unser Qualitätsmanagementsystem ist nach ISO 9001:2015 zertifiziert, mit zusätzlicher Einhaltung der SEMI-Standards, RoHS, REACH und der Vorschriften zu Konfliktmineralien. Jede Lieferung enthält ein Konformitätszertifikat mit Losrückverfolgbarkeit bis zum ursprünglichen Ingot.

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Kontaktieren Sie unser Engineering-Team, um Ihre spezifischen Anforderungen zu besprechen und innerhalb von 24 Stunden ein detailliertes Angebot zu erhalten.

ISO 9001 zertifiziert SEMI-Standards-konform Reinraum Klasse 5 24-Stunden-Ingenieur-Antwort