Umfassende Referenz für Halbleitersubstratmaterialien.
Substrat- und Dünnschicht-Materialeigenschaften
Ein Kurzreferenzleitfaden zu den elektrischen, mechanischen und thermischen Eigenschaften der von uns gelieferten Substrat- und Dünnschichtmaterialien, damit Sie das richtige Material für Ihre Anwendung auswählen können.
Resistivity: 2.65 μΩ·cmMelting point: 660°CCTE: 23.1 ppm/KDensity: 2.70 g/cm³Adhesion: Ti or Cr interlayerEtch: Cl₂/BCl₃ RIEDeposition: PVD sputteringTypical thickness: 0.5–3μm
Gold (Au, Elektrode/Bondpad)
Metal
Resistivity: 2.44 μΩ·cmMelting point: 1064°CCTE: 14.2 ppm/KDensity: 19.3 g/cm³Adhesion: Cr or Ti interlayerEtch: Ar ion milling or KI/I₂Deposition: e-beam or sputterWire bond: Au or Al wire
So verwenden Sie diesen Leitfaden
Die Materialauswahl ist ein multiparametrisches Optimierungsproblem. Die entscheidenden Eigenschaftsentscheidungen hängen von Ihrer Anwendung ab: für Leistungsbauelemente — Priorität auf Bandlücke, Durchbruchfeld und Wärmeleitfähigkeit; für RF/mmWave — Elektronenmobilität, Sättigungsgeschwindigkeit und Substratwiderstand; für MEMS — E-Modul, Eigenspannung und CTE-Anpassung an die Bauelementschichten; für Photonik — Brechungsindex, optisches Transparenzfenster und elektrooptischer Koeffizient; für Packaging — CTE-Anpassung an den Die, Wärmeleitfähigkeit und Dielektrizitätskonstante.
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Unsere Anwendungsingenieure helfen Ihnen, Materialeigenschaften auf Ihre Geräteanforderungen abzustimmen — kontaktieren Sie uns mit Ihren Zielspezifikationen für eine individuelle Empfehlung.