Präzisions-Wafersubstrate und End-to-End MEMS-Prozessdienstleistungen — ein Partner für Fabs, Foundries und Forschungseinrichtungen in 50+ Ländern.
Advanced Packaging Technologies
Das Unternehmen
GINECHIP ist ein vertikal integrierter Anbieter von Halbleitersubstraten und Prozessdienstleistungen — von der Rohstoffbeschaffung über die Reinraumfertigung bis zum zertifizierten Versand. Jeder Wafer, der unser Werk verlässt, trägt eine dokumentierte Qualitätskette aus einer verantwortlichen Quelle.
Seit über 10 Jahren vertrauen Fabs, Foundries und Forschungseinrichtungen in mehr als 50 Ländern auf GINECHIP als Single-Source-Partner für Präzisionssubstrate und End-to-End-Prozessdienstleistungen — abgesichert durch ISO-9001-Qualitätssysteme und Fertigung in ISO-Klasse-5-Reinräumen.
Substratkatalog
Entdecken Sie unser komplettes Sortiment an Präzisionssubstraten über Materialien, Größen und Spezifikationen hinweg.
Prime-Wafer nach SEMI-Standard, 100–300mm, alle Dotierarten und Orientierungen
Mehr erfahrenKosteneffiziente Test-, Monitor- und Charakterisierungs-Wafer für Fabs
Mehr erfahrenSilicon-on-Insulator für fortschrittliches CMOS, MEMS, RF-SOI und Photonik
Mehr erfahrenEpitaxialsilizium mit präziser Widerstands- und Dickenkontrolle
Mehr erfahrenUltradünne Wafer und Taiko-Prozess für 3D-Packaging und Leistungsbauelemente
Mehr erfahrenKostenoptimierte reclaimte und wiederaufbereitete Siliziumwafer in Prime-Qualität
Mehr erfahren4H-N- und 6H-SiC für Hochleistungs-, Hochtemperatur- und EV-Anwendungen
Mehr erfahrenVerbindungshalbleiter für HF, 5G, Photonik und Leistungsverstärker
Mehr erfahrenHochreine Quarzglas- und Quarzsubstrate für Optik und MEMS
Mehr erfahrenThermisch stabiles Borosilikatglas für Mikrofluidik und Sensoren
Mehr erfahrenEinkristall-Saphir für LED-, RFIC- und Sensoranwendungen
Mehr erfahrenGroßformatige Glaspaneele und Through-Glass-Via-Interposer
Mehr erfahrenTEOS-Oxid, LiNbO₃, LiTaO₃, ITO & Silicon-on-Sapphire
Mehr erfahrenSpezialsubstrate: Ge, InP, AlN, Diamant und nicht standardisierte Materialien
Mehr erfahrenGlobales Beschaffungsnetzwerk
Wir beschaffen Premium-Substrate von den weltweit führenden Herstellern — für Qualität, Zuverlässigkeit und Lieferkettenresilienz bei Ihren anspruchsvollsten Anwendungen.
Shin-Etsu 
SUMCO 
GlobalWafers 
Siltronic 
SK Siltron 
Soitec 
Wafer Works 
Ferrotec 
NSIG 
Zhonghuan 
Tongmei 
Atecom 
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Frontend-Lithografie, Dünnschichtabscheidung, DRIE, TSV, Wafer-Bumping und Reclaim — in ISO-Klasse-5-Reinräumen mit vollständiger Metrologie-Dokumentation.
PVD-, CVD-, ALD-Prozesse für Oxid-, Nitrid-, Metall- und dielektrische Schichten auf 200/300-mm-Wafern.
Kontakt-, Proximity- und Projektionslithografie bis 0,5µm mit voller Maskendesign-Unterstützung.
Lot-Bumps, Cu-Pillars, Au-Studs mit vollständigem UBM-Stack. SnAg, SAC, AuSn.
Chemisch-mechanisches Abtragen und Wiederpolieren gebrauchter Test-Wafer auf Neuwert-Qualität.
Direktes, anodisches, eutektisches und adhäsives Bonden für SOI, MEMS und fortschrittliche Packaging-Anwendungen.
Präzise Kantenprofilierung und Politur zur Beseitigung von Mikrorissen und Sicherstellung der mechanischen Integrität.
Hochpräzise Dotierung von Silizium- und Verbindungshalbleiter-Wafern mit maßgeschneiderten Ionenspezies und Energieprofilen.
Permanente, kontrastreiche Laserbeschriftung von Wafer-IDs, Chargennummern und Justiermarken für Rückverfolgbarkeit.
Anlagenfähigkeiten
Modernste Anlagen für präzise Waferfertigung, Beschichtung, Strukturierung und Messtechnik — alles unter einem Dach.
DUV- und i-line-Lithografiesysteme von ASML, Nikon, Canon
Physikalische Gasphasenabscheidung für Metalle und Dielektrika
Chemische Gasphasenabscheidung für SiO₂-, SiN- und TEOS-Schichten
Cu-, Ni-, Au-, SnAg-Galvanik für Verbindungen und UBM
Chemisch-mechanisches Planarisieren für die Oberflächengüte
Tiefes reaktives Ionenätzen für Strukturen mit hohem Aspektverhältnis
Plattformen für direktes, anodisches, eutektisches und adhäsives Bonden
Inline- und Offline-Inspektions- und Charakterisierungswerkzeuge
Warum GINECHIP
10+ Jahre Erfahrung in der Halbleiter-Lieferkette, Qualitätsstandards auf Ingenieursniveau und Reinraum-zu-Reinraum-Logistik.
Substrate und Prozessdienstleistungen von einem qualifizierten Team — keine Übergaben in der Lieferkette, keine Spezifikationslücken.
Reichen Sie eine Angebotsanfrage mit Ihren Prozessparametern ein und erhalten Sie innerhalb eines Werktags ein vollständiges technisches Angebot mit Kompatibilitätsanalyse.
Jeder Durchmesser, jede Orientierung, jedes Dotierungsprofil, jeder Filmstapel oder jede Oberflächenbehandlung — nach SEMI M1-M9-Standards.
Jede Lieferung verlässt eine ISO-Klasse-5-Einrichtung mit Konformitätszertifikat, Partikelzähldaten und vollständiger Metrologie-Dokumentation.
Maßgeschneiderte Wafer-Lösungen in der gesamten Halbleiter-Wertschöpfungskette.
Drucksensoren, Beschleunigungsmesser, Gyroskope, Mikrofone. Substrate und Prozessdienste für MEMS-Foundries.
Mehr erfahrenGaAs-, GaN-on-SiC-, SOI-Substrate für HF-Frontend-Module, Leistungsverstärker und mmWave.
Mehr erfahrenSilizium-Photonik, VCSEL-Arrays, Wellenleitersubstrate, LiDAR-Empfänger/Sender-Wafer.
Mehr erfahrenSiC- und GaN-Epi-Ready-Substrate für Hochspannungs-MOSFETs, Schottky-Dioden und HEMTs.
Mehr erfahrenRDL-Bump-Wafer, Interposer, TSV-Substrate für 2.5D/3D heterogene Integration und Chiplets.
Mehr erfahrenKleinserien-Prototyp-Wafer, kundenspezifische Spezifikationen für Universitäts- und Unternehmenslabore.
Mehr erfahrenTechnische Einblicke, Branchentrends.
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Da das Mooresche Gesetz an Tempo verliert, treiben fortschrittliche Verpackungstechnologien wie SiP, Wafer-Level-Packaging und 2.5D/3D-Integration Leistungssteigerungen voran. Dieser Deep Dive untersucht Markttrends, Hauptakteure und die Zukunft der Halbleiterverpackung.
Nano-Bibel-Herstellung erklärt: Nanopatterning von Nanotext in eine Goldschicht auf Silizium mittels Fotolithografie, Laserdirektschreiben und Femtosekundenlaser.
Senden Sie Ihre Prozessparameter — unser Ingenieurteam antwortet innerhalb eines Werktags mit einem vollständigen technischen Angebot inkl. Kompatibilitätsanalyse. Kein Mindestbestellwert.