Großhandel mit Compound Semiconductor Ingotten | GINECHIP
Compound Semiconductor Ingotten im Großhandel von GINECHIP: GaAs, InP, SiC und Saphir mit vollständigem CoA (XRD, EPD, Widerstands-Mapping) und SEMI-/RoHS-/REACH-Konformität.
Marktüberblick
GaAs- und InP-Ingotte unterstützen die Fertigung für RF- und Photonik-Anwendungen, während SiC Hochleistungs-Elektronik ermöglicht. Saphir-Ingotte werden häufig als Substrat für LED-Wachstum und weitere optoelektronische Anwendungen eingesetzt.
Jede Lieferung erfolgt mit <strong>vollständigem CoA</strong> einschließlich XRD, EPD und Widerstands-Mapping, um Rückverfolgbarkeit und Lot-zu-Lot-Vertrauen zu stärken. Die Materialien entsprechen SEMI-, RoHS-, REACH- sowie Conflict-Minerals-Anforderungen.
<strong>Jeder Ingot wird mit vollständigem CoA und einer eindeutigen Rückverfolgbarkeits-ID geliefert.</strong> Verifizierbare Wachstumsdokumentation für Wareneingangsprüfung und Prozesskontrolle.
GaAs (Galliumarsenid) Ingot-Lieferung
GaAs-Ingots für die Fertigung von Verbindungshalbleitern—<strong>VGF/LEC</strong>, Durchmesser 2″–6″, SI / N-typ / P-typ. Defektdichte mit Zielwerten (<strong>EPD < 5×10³/cm²</strong>) sowie Längen bis <strong>300 mm</strong>.
Wachstumsverfahren
VGF (Vertical Gradient Freeze)
VGF-gezüchtete GaAs-Ingots bieten eine kontrollierte Kristallqualität mit Durchmessern von <strong>2″–6″</strong> und sind für SI / N-typ / P-typ verfügbar. Typisches EPD-Ziel: <strong>EPD < 500 (für 4″)</strong> bei Wachstum per VGF.
LEC (Liquid-Encapsulated Czochralski)
LEC-gezüchtete GaAs-Ingots sind auf eine stabile Versorgung im Bereich Verbindungshalbleiter ausgelegt. Verfügbar sind <strong>2″–6″</strong> Durchmesser sowie SI / N-typ / P-typ. Typisches EPD-Ziel: <strong>EPD < 5×10³/cm²</strong> bei Wachstum per LEC.
InP (Indiumphosphid) Ingot-Lieferung
InP-Ingots für RF-/Photonik- und anspruchsvolle Anwendungen im Bereich Verbindungshalbleiter—<strong>VGF/LEC</strong>, Durchmesser 2″–4″, <strong>EPD < 5×10⁴/cm²</strong> sowie Längen bis <strong>200 mm</strong>. Optionen für SI oder N-typ verfügbar.
Wachstumsverfahren
VGF (Vertical Gradient Freeze)
VGF-gezüchtete InP-Ingots mit kontrollierten Defektniveaus für die präzise Fertigung von Verbindungshalbleitern. Typische Daten: <strong>2″–4″</strong> Durchmesser und <strong>EPD < 5×10⁴/cm²</strong>, SI oder N-typ verfügbar.
LEC (Liquid-Encapsulated Czochralski)
LEC-gezüchtete InP-Ingots unterstützen eine stabile Versorgung für fortschrittliche Verbindungshalbleiter-Linien. Verfügbar in <strong>2″–4″</strong> Durchmesser mit <strong>EPD < 5×10⁴/cm²</strong>, sowie mit Widerstandsoptionen für SI oder N-typ—Wachstum per LEC.
SiC (Siliziumkarbid) Ingot-Lieferung
SiC-Ingots für leistungsstarke Anwendungen und raue Umgebungsbedingungen—hergestellt im <strong>PVT</strong>-Prozess. Durchmesser <strong>4″–8″</strong>, Polytypen 4H-SiC & 6H-SiC, N-typ und SI. <strong>MPD</strong>-Kontrolle (<strong>MPD < 1/cm²</strong>) sowie Dicke bis <strong>50 mm</strong>.
Wachstumsverfahren
PVT (Physical Vapor Transport)
SiC-Ingotte werden mittels <strong>PVT (Physical Vapor Transport)</strong> hergestellt. Erhältlich in den <strong>Polytypen 4H-SiC</strong> und <strong>6H-SiC</strong> sowie mit <strong>N-Typ</strong>- und <strong>SI</strong>-Optionen. Zielwerte: <strong>MPD < 1/cm²</strong> für Durchmesser <strong>4″–8″</strong>; engere Spezifikationen für <strong>6″: < 0.5/cm²</strong> und <strong>8″: < 1/cm²</strong>. Dicke der Ingotte bis zu <strong>50 mm</strong>.
Saphir (Al₂O₃) Ingot-Lieferung
Saphir (Al₂O₃) Materialkarten für Kristallwachstum und Wafer-Lieferung, verfügbar in <strong>2″–12″</strong> Durchmessern (50–300 mm). Wählen Sie die Orientierung <strong>C-plane</strong>, <strong>R-plane</strong> oder <strong>A-plane</strong>. Qualität: <strong>bubble-free</strong> für KY/HEM-Wachstum. Wachstumsarten: <strong>KY</strong>, <strong>EFG</strong> und <strong>HEM</strong> (bubble-free für KY/HEM).
Wachstumsverfahren
Kyropoulos (KY)
Nach dem Kyropoulos (KY) Verfahren gezüchtete Saphir-Ingots mit <strong>großem Durchmesser</strong>, <strong>geringem Stress</strong> und <strong>blasenfreier</strong> Qualität. Erhältlich in <strong>2″–12″</strong> Durchmesser, bis zu <strong>500 mm</strong> Länge.
EFG (Edge-Defined Film-Fed Growth)
EFG (Edge-Defined Film-Fed Growth) Saphir-Ingots für eine hohe <strong>Formgebungseffizienz</strong> und konsistente, regelbasierte Querschnitte. <strong>Blasenfreie</strong> Qualität; Wachstumsoptionen KY / EFG / HEM, Größen bis <strong>2″–12″</strong> Durchmesser.
HEM (Heat Exchanger Method)
HEM (Heat Exchanger Method) Saphir-Ingots für <strong>hochqualitatives</strong> Kristallwachstum und <strong>weniger Versetzungen</strong>. Geeignet für die Fertigung größerer Durchmesser, mit <strong>blasenfreier</strong> Ausgabe über die Wachstumsreihen KY / EFG / HEM hinweg.
Vorteil bei der Ausbeute
Für stabile Chargenausbeute mit kontrollierten Defektzielen entwickelt. Die dokumentierte Qualität unterstützt konstante Schneid-Ausbeute und reproduzierbare Wafer-Prozesse.
Ausbeute beim Kristallwachstum
Hohe Qualifizierungsrate mit reproduzierbarer Wachstumssteuerung — basierend auf niedrigen EPD-Zielen für gleichbleibende Leistung.
Durchmesser-Ausnutzung
Breite Durchmesserabdeckung für effizientes Wafer-Schneiden mit geringerem Materialverlust in der Produktion.
Chargen-Konsistenz
Mit eindeutiger Ingot-ID und Wachstums-Run-Historie wird eine lückenlose Rückverfolgbarkeit erreicht. Seed-Lineage und gemappte Eigenschaften unterstützen stabile Verarbeitung über alle Lose.
Lieferzeiten & MOQ
Die Lieferzeiten für Chargen von Verbindungshalbleiter-Ingots sind nach Material aufgeführt. Bitte Verfügbarkeit und die Anforderungen an Stickstoffabdichtung bei Bestellung bestätigen.
| Material | Standard-Lieferzeit | Min. MOQ | Lieferzyklus |
|---|---|---|---|
| GaAs (VGF, 4″–6″) | 2–4 Wochen | 5 Ingots | 3–5 Wochen |
| InP (VGF, 2″–4″) | 4–6 Wochen | 5 Ingots (Stickstoff-gesiegelte Verpackung) | 5–7 Wochen |
| SiC (PVT, 6″–8″) | 6–10 Wochen | 3 Ingots | 8–14 Wochen |
| Saphir (KY, 4″–12″) | 8–12 Wochen | 2 Ingots | 10–16 Wochen |
<strong>Zusammenfassung der Lieferzeiten</strong>: Große Stückzahlen und langfristige Verträge sind verhandelbar. MOQ kann je nach Projektzeitplan und Bedarf abgesprochen werden.
Dotierung & Leitfähigkeitskontrolle
Wir liefern Halbleiter-Verbindungs-Ingots in <strong>halbisolierender</strong> und <strong>leitender</strong> Ausführung. Dotierstoff und Zielwerte werden je nach Material und Kundenanforderungen angepasst – für SiC (4H/6H) als RF-/Photonik-Substrate sowie für GaAs/InP in optoelektronischen und elektronischen Anwendungen.
Halbisolierend (SI)
Halbisolierende Hochwiderstands-Qualitäten für einen stabilen Betrieb von Bauteilen. Typisch: <strong>SI-GaAs: spezifischer Widerstand >10⁷ Ω·cm</strong>; <strong>SI-InP</strong>. Außerdem hochresistives SiC für RF-/Photonik-Substrate.
N-typ / P-typ leitend
Leitfähiges Dotieren für elektronische und optoelektronische Anwendungen. Beispiele: <strong>GaAs N-Typ</strong> (Si, S); <strong>GaAs P-Typ</strong> (Zn, Cr). <strong>InP</strong> unterstützt N-Typ (S, Sn) sowie P-Typ auf Zn/Si-Basis, und <strong>SiC</strong> unterstützt N-Typ (N) sowie P-Typ auf Al-Basis.
Individuelle Dotierung
Wir passen das Dotieren an Ihre Zielwerte <strong>für den spezifischen Widerstand</strong> / <strong>die Ladungsträgerkonzentration</strong> an. Für eine zuverlässige Bauteilverarbeitung sorgen wir für eine gleichmäßige Dotierungsverteilung und eine hohe Chargenkonsistenz. Die Dotierkonzentration ist auf Anfrage konfigurierbar.
Anwendungen
GaAs für Funk & Kommunikation
Ideal für RF-Frontends und Funkmodule: <strong>GaAs</strong>-Ingots (VGF/LEC, 2″–6″, SI-/N-/P-Typ) mit <strong>EPD < 5×10³/cm²</strong> für stabile Fertigung im 300-mm-Prozess.
InP für Photonik
Für optische Kommunikation und optoelektronische Bauteile: <strong>InP</strong>-Ingots (VGF/LEC, 2″–4″, N-Typ/SI) mit <strong>EPD < 5×10⁴/cm²</strong> für verlässliche Fertigung auf 200-mm-Wafern.
SiC für Leistungselektronik
Für hochzuverlässige Leistungselektronik und Anwendungen in rauen Umgebungen: <strong>SiC</strong>-Ingots (PVT, 4″–8″, 4H/6H, N & SI) mit <strong>MPD < 1/cm²</strong> für konsistente Fertigung auf 50 mm.
Saphir für LED-Beleuchtung
Für LED-/Beleuchtungsanwendungen und Substratfertigung: <strong>Saphir (Al₂O₃)</strong>-Ingots (KY/EFG/HEM, 2″–12″) mit C-/R-/A-Ebene und <strong>blasenfrei</strong>er Qualität für die Fertigung im Maßstab 500 mm.
Forschung & Epitaxie
Unterstützt Forschung und Entwicklung von Epitaxie-Stacks mit verschiedenen Compound-Semiconductors: je nach Bedarf <strong>GaAs</strong> (VGF/LEC, 2″–6″, EPD < 5×10³/cm²), <strong>InP</strong> (VGF/LEC, 2″–4″, EPD < 5×10⁴/cm²) oder <strong>SiC</strong> (PVT, 4″–8″, MPD < 1/cm²).
Weltraumtaugliche Halbleiter
Für Satellitenkommunikation und Raumfahrtelektronik, die robuste Wafer erfordern: <strong>GaAs</strong> (VGF/LEC, 2″–6″, EPD < 5×10³/cm²) für 300 mm und <strong>InP</strong> (VGF/LEC, 2″–4″, EPD < 5×10⁴/cm²) für Photonik-Integration auf 200 mm.
Industrielle Waferfertigung
Für die Skalierung in der industriellen Fertigung: <strong>SiC</strong> (PVT, 4″–8″, 4H/6H, N & SI, MPD < 1/cm²) für verlässliche Verarbeitung auf 50 mm und <strong>Saphir</strong> (KY/EFG/HEM, 2″–12″, blasenfrei) für die Substratversorgung auf 500 mm.
Bereitstellung von Compound-Substraten
Passend für Compound-Halbleiter-Fabs und die Waferfertigung: <strong>GaAs</strong> (VGF/LEC, 2″–6″, SI-/N-/P-Typ, EPD < 5×10³/cm²), <strong>InP</strong> (VGF/LEC, 2″–4″, N-Typ/SI, EPD < 5×10⁴/cm²), <strong>SiC</strong> (PVT, 4″–8″, MPD < 1/cm²) und <strong>Saphir</strong> (KY/EFG/HEM, 2″–12″, blasenfrei) für eine vereinfachte Beschaffung.
Qualität & Compliance
Jeder Ingots wird mit einem vollständigen CoA und vollständigen Rückverfolgbarkeitsdaten geliefert. Je nach Material umfasst die Dokumentation XRD, EPD und Widerstands- bzw. Resistivitäts-Mapping und unterstützt so eine konsistente Fertigung von Wafern/Substraten sowie die Qualitätsprüfung.
Technische Spezifikationen (Kernparameter)
| Parameter | Spezifikation / Wert |
|---|---|
| GaAs-Ingots | VGF/LEC, 2″ – 6″ diameter, SI / N-type / P-type, EPD ＜ 5×10³/cm², up to 300mm length |
| InP-Ingots | VGF/LEC, 2″ – 4″ diameter, N-type SI available, EPD ＜ 5×10⁴/cm², up to 200mm length |
| SiC-Ingots | PVT, 4″ – 8″ diameter, 4H-SiC & 6H-SiC, N-type & SI, MPD ＜ 1/cm², up to 50mm thickness |
| Saphir-Ingots | Kyropoulos / EFG / HEM, 2″ – 12″ diameter, C/R/A-plane, bubble-free, up to 500mm length |
| Dotierungsniveau | Per material specification and customer requirement |
| Kristallorientierung | On-axis or off-axis per specification |
| Oberfläche | As-grown, ground, oriented flats/notches |
| Qualitätsdokumentation | Full CoA including XRD, EPD, resistivity mapping for each ingot |
| Rückverfolgbarkeit | Unique ingot ID, growth run history, seed lineage |
| Verpackung | Custom crate with vibration isolation, nitrogen-purged container for hygroscopic materials (InP) |
| Normkonformität | SEMI Standards, RoHS, REACH, Conflict Minerals |
Bereit für den Bulk-Einkauf von Compound-Halbleiter-Ingots?
Kontaktieren Sie bitte unser Vertriebsteam für Anfragen, Muster sowie Details zu MOQ und Lieferzeit. Wir liefern GaAs (VGF/LEC, 2″–6″), InP (VGF/LEC, 2″–4″), SiC (PVT, 4″–8″, 4H/6H) und Saphir (KY/EFG/HEM, 2″–12″; C/R/A-plane) mit vollständigem CoA und Rückverfolgbarkeit.