컴파운드 반도체 잉곳 벌크 판매 | GINECHIP
GINECHIP 컴파운드 반도체 잉곳 벌크 공급: GaAs, InP, SiC, 사파이어. XRD/EPD/전기저항 맵핑을 포함한 완전한 CoA와 SEMI/RoHS/REACH 준수.
시장 개요
GaAs 및 InP 잉곳은 RF·포토닉스 제조에 활용되며, SiC는 고전력 전자 소자를 가능하게 합니다. 사파이어 잉곳은 LED 성장 및 기타 광전자 응용 분야에서 기판으로 널리 사용됩니다.
각 배치는 <strong>완전 CoA</strong>(XRD, EPD, 전기저항 맵핑 포함)를 제공하여 추적성과 로트 간 신뢰도를 강화합니다. 또한 소재는 SEMI, RoHS, REACH 및 Conflict Minerals 요구사항을 준수합니다.
<strong>모든 잉곳에는 전체 CoA와 고유 추적 ID가 함께 제공됩니다.</strong> 검증된 성장 문서로 입고 자격 확인 및 공정 관리가 가능합니다.
GaAs(갈륨 비소) 잉곳 공급
화합물 반도체 생산용 GaAs 잉곳을 대량 공급합니다. <strong>VGF/LEC</strong> 공정 대응, 2″–6″ 직경, SI / N형 / P형 제공. EPD 제어(<strong>EPD < 5×10³/cm²</strong>) 및 최대 <strong>300 mm</strong> 길이.
성장 방식
VGF (Vertical Gradient Freeze)
VGF로 성장한 GaAs 잉곳은 <strong>2″–6″</strong> 직경 옵션에서 결정 품질을 안정적으로 제공합니다. SI / N형 / P형 지원. 일반적인 EPD 목표: <strong>EPD < 500(4″ 기준)</strong>, VGF 성장 방식.
LEC (Liquid-Encapsulated Czochralski)
LEC로 성장한 GaAs 잉곳은 화합물 반도체의 안정적 공급을 위해 설계되었습니다. <strong>2″–6″</strong> 직경 제공 및 SI / N형 / P형 옵션 지원. 일반적인 EPD 목표: <strong>EPD < 5×10³/cm²</strong>, LEC 성장 방식.
InP(인듐 인) 잉곳 공급
RF/포토닉 및 고급 화합물 반도체용 InP 잉곳. <strong>VGF/LEC</strong> 제공, 2″–4″ 직경, <strong>EPD < 5×10⁴/cm²</strong> 및 최대 <strong>200 mm</strong> 길이. SI 또는 N형 옵션 지원.
성장 방식
VGF (Vertical Gradient Freeze)
VGF 성장 InP 잉곳은 정밀 화합물 반도체 생산을 위해 결함 수준을 제어합니다. 일반적으로 <strong>2″–4″</strong> 직경과 <strong>EPD < 5×10⁴/cm²</strong> 조건을 포함하며, SI 또는 N형 제공.
LEC (Liquid-Encapsulated Czochralski)
LEC 성장 InP 잉곳은 고급 화합물 반도체 라인에 안정적인 공급을 제공합니다. <strong>2″–4″</strong> 직경에 대해 <strong>EPD < 5×10⁴/cm²</strong>를 관리하며, 저항률은 SI 또는 N형으로 제공됩니다. LEC 성장 방식.
SiC(실리콘 카바이드) 잉곳 공급
고출력/혹한 환경용 반도체 애플리케이션을 위한 SiC 잉곳입니다. <strong>PVT</strong>로 제조하며 <strong>4″–8″</strong> 직경, 4H-SiC & 6H-SiC 폴리타입, N형 및 SI 제공. <strong>MPD</strong> 제어(<strong>MPD < 1/cm²</strong>) 및 최대 <strong>50 mm</strong> 두께.
성장 방식
PVT (Physical Vapor Transport)
SiC 잉곳은 <strong>PVT(Physical Vapor Transport)</strong> 공정으로 성장합니다. <strong>4H-SiC</strong> 및 <strong>6H-SiC</strong> 폴리타입과 <strong>N-type</strong>, <strong>SI</strong> 옵션을 제공합니다. 지표는 4″–8″ 직경에서 <strong>MPD < 1/cm²</strong>이며, <strong>6″: < 0.5/cm²</strong>, <strong>8″: < 1/cm²</strong>로 더 엄격한 스펙도 적용됩니다. 두께는 최대 <strong>50 mm</strong>까지 대응 가능합니다.
사파이어(Al₂O₃) 잉곳 공급
사파이어(Al₂O₃) 소재 카드는 결정 성장 및 웨이퍼 공급을 위한 제품으로, <strong>2″–12″</strong> 직경(50–300 mm)으로 제공됩니다. 결정 방향은 <strong>C-plane</strong>, <strong>R-plane</strong>, <strong>A-plane</strong> 중 선택 가능합니다. KY/HEM 성장 기준 <strong>무기포(bubble-free)</strong> 품질을 제공합니다. 성장 타입은 <strong>KY</strong>, <strong>EFG</strong>, <strong>HEM</strong>이며 (KY/HEM의 경우 <strong>무기포</strong>).
성장 방식
Kyropoulos (KY)
Kyropoulos(KY) 방식으로 성장한 사파이어 잉곳은 <strong>대구경</strong>, <strong>저응력</strong>, 그리고 <strong>버블 프리</strong> 품질을 제공합니다. <strong>2″–12″</strong> 직경, 최대 <strong>500 mm</strong> 길이까지 대응합니다.
EFG (Edge-Defined Film-Fed Growth)
EFG(Edge-Defined Film-Fed Growth) 사파이어 잉곳은 높은 <strong>형상 성형 효율</strong>과 규칙 기반의 안정적인 단면 형상을 위해 설계되었습니다. <strong>버블 프리</strong> 품질로 제공되며 성장 방식은 KY / EFG / HEM, <strong>2″–12″</strong> 직경까지 대응합니다.
HEM (Heat Exchanger Method)
HEM(열교환법/Heat Exchanger Method) 사파이어 잉곳은 <strong>고품질</strong> 결정 성장과 <strong>적은 전위 결함</strong>을 목표로 합니다. 더 큰 직경 생산에 적합하며, KY / EFG / HEM 성장 라인 전반에서 <strong>버블 프리</strong> 품질을 제공합니다.
잉곳 수율 우위
결함 목표를 제어해 배치 단위의 안정적인 출력을 구현했습니다. 문서화된 품질은 절단 수율을 일관되게 하고 웨이퍼 공정의 재현성을 높여줍니다.
결정 성장 수율
재현 가능한 성장 제어를 바탕으로 높은 적격률을 제공합니다. 낮은 EPD 목표를 기준으로 균일한 성능을 지향합니다.
직경 활용
폭넓은 직경 범위로 웨이퍼 절단 효율을 높이고 생산 라인의 재료 낭비를 줄입니다.
배치 간 일관성
고유 잉곳 ID와 성장 런 이력을 통해 정밀 추적성을 확보합니다. 시드 계보와 매핑된 특성으로 로트 간 안정적인 공정이 가능합니다.
리드타임 및 MOQ
화합물 반도체 잉곳의 배치(벌크) 리드타임을 소재별로 안내드립니다. 주문 시 재고 가능 여부와(해당 시) 흡습 소재의 질소 밀봉 요구사항을 확인해 주세요.
| 소재 | 표준 리드타임 | 최소 MOQ | 납기 사이클 |
|---|---|---|---|
| GaAs(VGF, 4″–6″) | 2~4주 | 5개 | 3~5주 |
| InP(VGF, 2″–4″) | 4~6주 | 5개(질소 밀봉 포장) | 5~7주 |
| SiC(PVT, 6″–8″) | 6~10주 | 3개 | 8~14주 |
| 사파이어(KY, 4″–12″) | 8~12주 | 2개 | 10~16주 |
<strong>납기 요약</strong>: 대량 물량 및 장기 계약은 협의 가능합니다. MOQ는 프로젝트 일정과 수요 예측에 따라 조정/협의됩니다.
도핑 & 도전성 제어
당사는 화합물 반도체 잉곳을 <strong>반절연</strong> 및 <strong>도전형</strong>으로 제공합니다. 도핑 종과 목표 농도는 소재 및 고객 요구에 맞춰 맞춤 구성할 수 있으며, RF/포토닉스 기판용 SiC(4H/6H)와 광전자/전자 응용용 GaAs/InP에 대응합니다.
반절연(SI)
안정적인 소자 동작을 위한 고저항 반절연 등급. 일반: <strong>SI-GaAs: 저항률 >10⁷ Ω·cm</strong>; <strong>SI-InP</strong>. RF/포토닉스 기판 용도의 고저항 SiC도 제공합니다.
N형 / P형 도전
전자 및 광전자 요구에 맞춘 도전형 도핑. 예: <strong>GaAs N형</strong>(Si, S); <strong>GaAs P형</strong>(Zn, Cr). <strong>InP</strong>는 N형(S, Sn)과 Zn/Si 기반 P형을 지원하며, <strong>SiC</strong>는 N형(N)과 Al 기반 P형을 지원합니다.
맞춤 도핑
고객의 목표 <strong>저항률</strong> / <strong>캐리어 농도</strong>에 맞춰 도핑을 커스터마이즈합니다. 도펀트 분포의 균일성과 배치 간 일관성을 확보하여 안정적인 소자 공정을 지원합니다. 도핑 농도는 요청에 따라 구성 가능합니다.
응용 분야
GaAs RF & 통신
무선 모듈 및 RF 프런트엔드용으로 적합합니다. <strong>GaAs</strong> 잉곳(VGF/LEC, 2″–6″, SI/N/P-type)이며 <strong>EPD < 5×10³/cm²</strong>를 만족해 300mm 공정에서 안정적인 소자 제작을 지원합니다.
InP 포토닉스
광 통신 및 광전자 소자에 최적화되었습니다. <strong>InP</strong> 잉곳(VGF/LEC, 2″–4″, N-type/SI)이며 <strong>EPD < 5×10⁴/cm²</strong>로 200mm 웨이퍼 공정을 안정적으로 지원합니다.
SiC 파워 일렉트로닉스
고신뢰 파워 소자 및 열악한 환경용 애플리케이션에 적합합니다. <strong>SiC</strong> 잉곳(PVT, 4″–8″, 4H/6H, N & SI)이며 <strong>MPD < 1/cm²</strong>로 50mm 제조의 일관성을 지원합니다.
사파이어 LED 조명
LED/조명 및 기판 형성에 적합하도록 설계되었습니다. <strong>사파이어(Al₂O₃)</strong> 잉곳(KY/EFG/HEM, 2″–12″)으로 C/R/A-plane을 제공하며 <strong>bubble-free</strong> 품질로 500mm급 대량 공정을 지원합니다.
연구·에피
복합 반도체의 실험 및 에피택셜 스택 개발을 지원합니다. 공정 목적에 맞춰 <strong>GaAs</strong>(VGF/LEC, 2″–6″, EPD < 5×10³/cm²), <strong>InP</strong>(VGF/LEC, 2″–4″, EPD < 5×10⁴/cm²), 또는 <strong>SiC</strong>(PVT, 4″–8″, MPD < 1/cm²) 잉곳을 선택하세요.
우주용 반도체
위성 통신 및 우주 전자 장비에서 견고한 웨이퍼가 필요한 경우를 위해, <strong>GaAs</strong>(VGF/LEC, 2″–6″, EPD < 5×10³/cm², 300mm)와 <strong>InP</strong>(VGF/LEC, 2″–4″, EPD < 5×10⁴/cm², 200mm)로 포토닉스 통합을 지원합니다.
산업용 웨이퍼 생산
고품질 복합 잉곳으로 대량 생산을 확장하세요. <strong>SiC</strong>(PVT, 4″–8″, 4H/6H, N & SI, MPD < 1/cm²)로 50mm 공정을 안정화하고, <strong>사파이어</strong>(KY/EFG/HEM, 2″–12″, bubble-free)로 500mm급 기판 공급에 대응합니다.
화합물 기판 공급
화합물 반도체 파운드리 및 웨이퍼 제조에 최적화되었습니다. <strong>GaAs</strong>(VGF/LEC, 2″–6″, SI/N/P-type, EPD < 5×10³/cm²), <strong>InP</strong>(VGF/LEC, 2″–4″, N-type/SI, EPD < 5×10⁴/cm²), <strong>SiC</strong>(PVT, 4″–8″, MPD < 1/cm²) 및 <strong>사파이어</strong>(KY/EFG/HEM, 2″–12″, bubble-free) 구성으로 소싱을 간소화합니다.
품질 및 컴플라이언스
각 잉곳은 완전한 CoA와 전체 추적(트레이서빌리티) 기록과 함께 제공됩니다. XRD, EPD 및 저항률 매핑(재료에 따라 적용)을 포함하며, 웨이퍼/기판 생산의 일관성과 품질 검증을 지원합니다.
기술 사양(핵심 파라미터)
| 항목 | 규격 / 값 |
|---|---|
| GaAs 잉곳 | VGF/LEC, 2″ – 6″ diameter, SI / N-type / P-type, EPD ＜ 5×10³/cm², up to 300mm length |
| InP 잉곳 | VGF/LEC, 2″ – 4″ diameter, N-type SI available, EPD ＜ 5×10⁴/cm², up to 200mm length |
| SiC 잉곳 | PVT, 4″ – 8″ diameter, 4H-SiC & 6H-SiC, N-type & SI, MPD ＜ 1/cm², up to 50mm thickness |
| 사파이어 잉곳 | Kyropoulos / EFG / HEM, 2″ – 12″ diameter, C/R/A-plane, bubble-free, up to 500mm length |
| 도핑 수준 | Per material specification and customer requirement |
| 결정 방향 | On-axis or off-axis per specification |
| 표면 | As-grown, ground, oriented flats/notches |
| 품질 문서 | Full CoA including XRD, EPD, resistivity mapping for each ingot |
| 추적성 | Unique ingot ID, growth run history, seed lineage |
| 포장 | Custom crate with vibration isolation, nitrogen-purged container for hygroscopic materials (InP) |
| 규정 준수 | SEMI Standards, RoHS, REACH, Conflict Minerals |