게르마늄 웨이퍼
GINECHIP은 직경 50–200 mm의 게르마늄 웨이퍼를 공급하며, 제어된 도핑(N형 Sb, P형 Ga, 고유(Intrinsic))과 Epi-Ready 표면, 그리고 적외선 광학, 태양광(photovoltaics), 고속 전자기기용 낮은 EPD를 제공합니다.
게르마늄 기판 개요
게르마늄(Ge)은 간접 밴드갭 0.66 eV와 높은 전자 이동도 3,900 cm²/V·s를 갖는 4족 반도체로, 적외선 광학 및 고속 전자공학에 이상적입니다.
N형(Sb), P형(Ga), 또는 진성(무도핑) 그레이드를 50–200 mm 직경, 방향 (100), (111), (110)과 함께, 표면 마감은 SSP/DSP부터 Epi-Ready까지, RMS <2Å 조건으로 선택하세요.
5N+ 순도, EPD < 5×10³/cm², 그리고 까다로운 IR 및 에피택시 애플리케이션을 위한 Epi-Ready 표면.
결정 성장 방법
당사는 결정 품질, 직경 및 생산 효율에 대한 다양한 요구를 지원하기 위해 Czochralski(CZ)와 VGF 기술로 게르마늄을 성장시킵니다.
크조크랄스키 (CZ)
CZ 성장은 고용량 게르마늄 생산의 표준으로, 최대 200 mm의 대구경 잉곳을 균일한 도핑과 안정적인 품질로 제공하여 광학 및 전자 분야에 적합합니다.
VGF 성장
VGF(Vertical Gradient Freeze)는 전위 밀도를 낮추고, 에피택시 및 고성능 응용에 사용되는 특수 기판의 균질성을 향상시킵니다.
적외선 투과
게르마늄은 굴절률이 약 4.0인 상태로 폭넓은 2–14 μm 범위에서 투과하며, 적외선 광학에서 가장 널리 사용되는 소재 중 하나입니다.
높은 굴절률과 낮은 분산은 10.6 μm에서 열화상, FLIR 시스템, CO₂ 레이저 광학을 위한 컴팩트한 렌즈 설계를 가능하게 합니다.
- 2–14 μm 투과 윈도우로 MWIR 및 LWIR 대역을 커버합니다.
- 높은 굴절률(n ≈ 4.0)은 컴팩트하고 고효율적인 광학 시스템을 가능하게 합니다.
- ~47% 양면 투과율(프레넬 반사만 한계: 무코팅).
- 향상된 투과율과 내구성을 위한 AR 코팅(DLC 포함)을 제공합니다.
파장 대역별 IR 투과
| 파장 범위 | 투과 | 대역 |
|---|---|---|
| 2.0 – 3.0 μm | ~47% (two-surface reflection limited) | 중파(단파) |
| 3.0 – 5.0 μm | ~47% (intrinsic transparency) | 중파 윈도우 |
| 8.0 – 12.0 μm | ~47% (intrinsic transparency) | 장파 윈도우 |
| 10.6 μm | ~47% (CO₂ laser line) | CO₂ 레이저 라인 |
| 12.0 – 14.0 μm | > 40% (multiphonon edge begins) | 확장 장파 |
값은 무코팅 양면 연마 기판의 일반적인 수치입니다. AR 코팅 광학은 투과율 97%를 초과할 수 있습니다.
태양전지 & 포토볼타익
게르마늄은 다중 접합 III-V 태양전지의 기판으로 가장 적합합니다. 밴드갭 0.66 eV는 GaAs 및 InGaP 접합과 상보적으로 작용하여 최대 변환 효율을 제공합니다.
우주 등급 게르마늄은 위성 전력 시스템에 필요한 낮은 EPD, 정밀한 오리엔테이션, 그리고 열 안정성을 제공합니다.
게르마늄 웨이퍼는 검증된 신뢰성과 생산 스케일 확장성을 갖춘 지상용 집광형 태양광(CPV)에도 적용됩니다.
SiGe & 고속 전자장치
게르마늄 기판 위의 실리콘-게르마늄(SiGe) 에피택시는 fT/fmax가 500 GHz를 초과하는 헤테로접합 바이폴라 트랜지스터(HBT)를 가능하게 하며, 고속 디지털 및 RF 애플리케이션에 적합합니다.
Ge 및 절연체 위의 게르마늄(GOI) 플랫폼은 차세대 컴퓨팅과 광 인터커넥트를 위한 고급 CMOS 및 포토닉 집적 회로 구현을 계속 지원합니다.
방사선 검출
고순도 게르마늄(HPGe)은 감마선 분광에 대해 뛰어난 에너지 분해능을 제공하며, 핵물리 및 방사선 모니터링의 기준 소재로 사용됩니다.
게르마늄은 보안 스캐닝, 의료 영상, 환경 모니터링에 사용되는 리튬 드리프트 Ge(Li) 및 플래너(평면) 검출기를 지원합니다.
기술 사양
| 매개변수 | 사용 가능한 범위/값 |
|---|---|
| 재료 | Single-crystal Germanium (Ge), 5N+ purity |
| 지름 | 50mm, 100mm, 150mm, 200mm |
| 도펀트 유형 | N-type (Sb-doped), P-type (Ga-doped), Intrinsic (undoped) |
| 비저항 | N-type: 0.01–40 Ω·cm, P-type: 0.01–30 Ω·cm, Intrinsic: > 40 Ω·cm |
| 방향 | (100), (111), (110), off-cut ±0.5° |
| 두께 | 200μm–1000μm, standard SEMI thicknesses |
| 표면 연마 | SSP, DSP, Epi-Ready, RMS < 2Å |
| EPD(에칭 피트 밀도) | < 5×10³/cm² |
| TTV / 보우 / 워프 | TTV < 5μm, Bow < 15μm, Warp < 20μm |
| 밴드갭 | 0.66 eV (indirect) |
| 전자 이동도 | 3,900 cm²/V·s |
| 정공 이동도 | 1,900 cm²/V·s |
| IR 투과 범위 | 2–14μm, n ≈ 4.0 |
| 굴절률 | 4.003 @ 10.6μm (CO₂ laser wavelength) |
| 열전도율 | 60 W/m·K |
| 밀도 | 5.323 g/cm³ |
| 포장 | Vacuum-sealed, single-wafer shippers, Class 100 |
응용
IR 광학 & 열화상
높은 굴절률(n ≈ 4.0)과 2–14 μm 투과율로 인해 게르마늄은 적외선 렌즈, 윈도우 및 열화상 시스템의 표준 소재가 됩니다.
태양전지 & 포토볼타익
게르마늄 기판은 우주 및 지상 집중형 포토볼타익 응용 분야를 위한 멀티 정션 III-V 태양전지를 지지합니다.
고속 전자
높은 전자 이동도(3,900 cm²/V·s)와 SiGe 헤테로에피택시로 고속 디지털 회로, RF 소자 및 포토닉 인터커넥트를 구현합니다.
방사선 검출
고순도 게르마늄(HPGe)은 감마선 분광, 핵 모니터링, 보안 검색을 위한 뛰어난 에너지 분해능을 제공합니다.
위성 & 항공우주
방사선 내성이 있는 게르마늄 기판은 위성 태양광 어레이, IR 광학 및 항공우주 광전자 시스템을 지원합니다.
R&D & 특수 기판
맞춤형 방향성, 도핑 및 두께 옵션으로 포토닉스, 양자 기술, 고급 반도체 소자 분야 연구를 지원합니다.
품질 및 인증
GINECHIP 게르마늄 웨이퍼는 ISO 9001:2015에 따라 생산되며 100% 검사합니다. 또한 SEMI M1–M13 표준 및 RoHS/REACH 요구사항에 맞춰 제공 가능합니다.