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9N–11N 순도
100–450mm 직경
CZ/MCZ/FZ 성장 방식
0.001–10,000+ Ω·cm 전기저항 범위
재고 및 예약 판매 실리콘 잉곳을 지금 오픈 실리콘 잉곳 샵 — GINECHIP 배치 공급
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대량 실리콘 잉곳 공급

GINECHIP은 CZ, MCZ, FZ 및 다결정 실리콘 잉곳을 공급합니다직경 100–450mm, 순도 9N–11N(N/P/본유형)으로 제공합니다. 잉곳 길이는 200–2000mm 범위에서 선택 가능하며, <strong>SEMI 표준</strong> 준수와 함께 완전한 CoA를 제공합니다.

다결정 태양광 그레이드 실리콘 잉곳(6N–7N)은 비용 효율적인 태양광(PV) 생산을 위한 제품입니다. 단결정 실리콘 잉곳은 <strong>로직, 메모리, 파워</strong> 및 <strong>RF</strong> 소자에 적용 가능합니다. N형(P/As/Sb), P형(B), 본유형 FZ를 제공합니다.

모든 실리콘 잉곳에는 완전한 CoA, 결정 품질 데이터, 추적 가능 기록이 포함됩니다. 요청 시 잉곳 길이와 사양도 맞춤 제공 가능합니다.

성장 방법

당사는 <strong>CZ</strong>, <strong>MCZ</strong>, <strong>FZ</strong>, <strong>다결정</strong> 등 4가지 대표 기술로 생산된 실리콘 잉곳을 공급합니다. 각 공정은 비용, 순도, 산소 함량 측면에서 서로 다른 트레이드오프를 제공하여 공정 및 소자 요구사항에 맞는 최적의 소재 선택을 돕습니다.

업계 표준

CZ (Czochralski)

가장 널리 사용되는 성장법

지름 100mm – 450mm
O₂ 함량 12 – 18 ppma
비저항 0.001 – 100 Ω·cm
비용 $ – $$

CZ(초크랄스키) 성장 방식은 실리콘 잉곳 생산에 널리 채택되는 공정입니다. 주요 결정 파라미터를 신뢰성 있게 제어하면서 대량 생산을 뒷받침합니다. <strong>검증된 수율과 폭넓은 공급성</strong>이 필요하다면 CZ를 선택해 보세요.

산소 함량 제어

MCZ (Magnetic CZ)

산소 유입 조절 가능

지름 150mm – 300mm
O₂ 함량 6 – 12 ppma
비저항 0.01 – 200 Ω·cm
비용 $$ – $$$

MCZ(자기장 초크랄스키) 성장 방식은 기존 CZ 대비 더 엄격한 산소 관리가 가능합니다. 성장 중 자기장을 적용해 산소의 유입을 조절하고, 안정적인 결정 품질을 지원합니다. 대량 생산에서 <strong>장치 요구에 맞춘 산소 함량 제어</strong>가 필요할 때 최적입니다.

최고 순도

FZ (Float Zone)

도가니 접촉 오염 없음

지름 100mm – 200mm
O₂ 함량 < 0.1 ppma
비저항 1 – 10,000+ Ω·cm
비용 $$$ – $$$$

FZ(플로트 존) 성장 방식은 일반적인 도가니(크루시블)와의 접촉을 피할 수 있어 <strong>용기 유래 오염</strong>을 최소화하는 데 도움이 됩니다. 매우 낮은 산소 수준과 높은 전기 저항률을 지원해, 순도 요구가 엄격한 응용에 적합합니다. <strong>초저 오염</strong>과 최대 전기 성능이 중요하다면 FZ를 선택하세요.

방법 비교

소자 목표와 생산 우선순위에 따라 성장 방식을 선택하세요: <strong>비용 중심</strong>이면 CZ, <strong>저산소</strong> 요구에는 MCZ, <strong>초고순도</strong> 필요에는 FZ.

CZ(초크랄스키) — 100–450mm

성숙되고 널리 사용되는 공정으로 <strong>산소 함량: 12–18 ppma</strong>, <strong>저항률: 0.001–100 Ω·cm</strong>를 제공합니다. <strong>로직 및 파워 소자</strong>의 대량 생산에 적합합니다.

적합 분야: 로직 / 메모리 / 파워 산소 함량(O₂): 12–18 ppma

FZ 플로트 존 실리콘 잉곳 (100–200mm)

FZ(플로팅 존)는 <strong>무(無) 크루서블</strong> 방식으로 실리콘을 성장시켜 <strong>최고 수준의 순도</strong>와 우수한 소재 품질을 제공합니다.

<strong>초고순도</strong>가 필수이고 최대 청정도가 중요한 용도에 적합합니다. O₂: < 0.1 ppma

다결정 실리콘 잉곳

주조 방식의 <strong>다결정 실리콘 잉곳</strong>을 배치 단위로 공급합니다. 태양광(솔라) 등급 및 고순도 요구에 적합하며 <strong>다결정 순도 6N–7N</strong>입니다.

<strong>156mm × 156mm 정방형 잉곳</strong> 사양으로, 다결정 웨이퍼 생산에서 비용 효율이 좋습니다. 생산 계획 시 <strong>비용 우위</strong>를 원하실 때 이상적입니다.

수율과 경제성

아래 표는 잉곳 직경별 <strong>웨이퍼 수율(추정)</strong>을 <strong>절단(톱날) 손실</strong>과 함께 정리한 것입니다.

이 추정치를 활용해 <strong>10cm당</strong>, <strong>1整錠당</strong> 예상 웨이퍼 수를 기준으로 생산 계획을 맞추되, <strong>절단(톱날) 손실</strong>(직경별 180–200 μm, 160–180 μm, 140–160 μm)을 반영하세요.

잉곳 직경10cm당 웨이퍼 수1整錠당 웨이퍼 수톱 절단 손실(鋸縫損失)
150mm (6″) ~66 ~1,300 180 – 200 μm
200mm (8″) ~49 ~1,000 180 – 200 μm
300mm (12″) ~33 ~660 160 – 180 μm
450mm (18″) ~22 ~440 140 – 160 μm

솔라급 vs 반도체급

공정에 맞는 실리콘 잉곳을 선택하세요. IC용 고순도 <strong>반도체급</strong>, 또는 PV용 <strong>솔라급</strong>으로 비용 효율을 높이세요.

반도체급(반도체급 실리콘)

9N–11N 고순도 실리콘 잉곳으로 <strong>IC</strong> 용도에 최적화, <strong>Dash</strong> 기술로 결함을 낮춥니다.

순도: 9N–11N 무전위 / Dash

솔라급 다결정

주조 방식의 다결정 태양광용 실리콘 잉곳—<strong>가성비</strong>를 중시해 비용 효율적인 PV 제조에 적합합니다.

순도: 6N–7N 봉(바): 156mm×156mm

품질 및 인증

대량 판매에 추적 가능한 문서 제공—ISO 9001:2015 기반, SEMI 표준에 부합하며 <strong>각 잉곳별 CoA</strong>가 함께 제공됩니다.

FTIR 간극 산소 & 탄소 FTIR로 간극 산소 및 탄소 함량을 측정합니다.
4탐침 저항률 맵 4탐침 측정으로 저항률 분포를 맵핑합니다.
FZ 소수 캐리어 수명 FZ 소수 캐리어 수명을 테스트하여 <strong>&gt;1,000 μs</strong>를 확인합니다.
XRD 전위 밀도 분석 X-선 회절을 사용해 전위 밀도를 분석합니다.
표면 결함 육안 검사 & 스캔 육안 검사와 스캔으로 표면 결함을 탐지합니다.
지름/길이/평면부 기하 치수 측정 각 잉곳의 <strong>지름</strong>, <strong>길이</strong>, <strong>평면부</strong> 정렬을 확인합니다.
에치 피트 밀도(EPD) 에치 피트 밀도 <strong>(EPD)</strong>를 측정하여 결함 관련 파라미터를 평가합니다.
CoA 및 배치 추적성 각 출하에 대해 <strong>전체 CoA</strong> 문서와 <strong>배치 추적성</strong>을 제공합니다.

기술 사양

항목사양
성장 방법 CZ (Czochralski), MCZ (Magnetic CZ), FZ (Float Zone), Multicrystalline (cast)
지름 100mm, 125mm, 150mm, 200mm, 300mm, 450mm
길이 200mm – 2000mm, custom lengths available
도펀트 유형 N-type (P, As, Sb), P-type (B), Intrinsic (FZ)
비저항 0.001 – 10,000+ Ω·cm, application-dependent
결정 방향 〈100〉, 〈111〉, 〈110〉, off-cut available
순도 9N – 11N (CZ/FZ), 6N – 7N (multicrystalline)
산소 함량 CZ: 12 – 18 ppma, MCZ: 6 – 12 ppma, FZ: < 0.1 ppma
탄소 함량 CZ: ≤ 0.1 ppma, FZ: < 0.05 ppma
수명 FZ: > 1,000 μs minority carrier lifetime
전위 밀도 CZ: dislocation-free (Dash technique), Multi: 10³ – 10⁶/cm²
잉곳 형상 Cylindrical, square (156mm × 156mm for solar), rectangular
에지 라운딩 Ground, etched, as-cut
표면 마감 As-grown, ground, etched, polished crown
포장 Wooden crate, foam-lined, vacuum-sealed, shock-resistant

적용 분야

🧠

AI 칩

CZ/FZ 고순도 실리콘 잉곳으로 안정적인 웨이퍼 생산과 <strong>AI·신경망 가속기</strong>에서의 신뢰성 있는 성능을 지원합니다. 전기저항률 0.001~10,000+ Ω·cm 범위에 적합합니다.

⚡

파워 소자

전력 반도체 제조에 적합한 실리콘 잉곳으로 <strong>전원 관리와 파워 전자</strong> 요구사항을 지원합니다. CZ/FZ 9N–11N 및 폴리 6N–7N 순도로 제공됩니다.

☀️

태양광(PV)

156mm×156mm 태양광용 실리콘 잉곳으로 포토볼타익(광전) 셀 생산에 적합합니다. <strong>0.001~10,000+ Ω·cm</strong> 전기저항률 범위에서 설계 유연성을 제공합니다.

⚙️

MEMS

MEMS 센서 및 액추에이터 제작을 위한 실리콘 잉곳으로, <strong>마이크로머시닝 소자</strong>에 필요한 일관된 웨이퍼 품질을 지원합니다. 공정 요구에 맞춰 CZ/FZ 및 폴리 순도 옵션을 제공합니다.

〰️

RF/아날로그

고순도 실리콘 잉곳은 넓은 저항률 범위에서 안정적인 전기적 성능으로 RF/아날로그 웨이퍼를 지원합니다.

📡

통신 장비

통신 장비용 실리콘 잉곳은 5G 및 일반 트랜시버 응용을 위한 신뢰성 있는 웨이퍼 제조에 도움을 줍니다.

🔬

과학 장비

탐지기 및 정밀 측정용 웨이퍼에 대해, 고순도 실리콘은 성능과 재현성을 위한 탄탄한 기반을 제공합니다.

💡

LED 및 광전자

실리콘 잉곳은 LED 및 광전자 소자 제조에 활용될 수 있으며, 발광 다이오드와 포토디텍터 응용을 위한 일관된 웨이퍼 공정을 지원합니다.

대량 가격

수량이 많을수록 더 유리합니다. 수량 기반 가격은 협의 가능하며 납기는 짧습니다.

다결정 실리콘 잉곳

태양광용 등급으로 <strong>최저 단가</strong>를 제공해 비용 효율을 극대화합니다.

순도: 6N–7N 규격: 156mm × 156mm 사각 잉곳

FZ 실리콘 잉곳

최고 순도의 선택으로 <strong>고급</strong> 애플리케이션에 최적화—까다로운 생산을 위해 설계되었습니다.

순도: 9N–11N | O₂: <0.1 ppma 비용: $$$–$$$$

공급망 및 리드 타임

대량 실리콘 잉곳 수요에 맞춘 용량 계획을 바탕으로 <strong>안정적인 공급</strong>을 제공해 지속 생산 스케줄을 지원합니다.

꼼꼼한 물류 및 보호: <strong>목재 케이스/폼/진공 밀봉/방진</strong> 포장 구성이 제공되어 소재 무결성을 지키는 데 도움을 줍니다.

재고를 연계한 <strong>리드 타임</strong> 지원으로 조달 계획을 확실하게 세우고 생산 연속성을 유지할 수 있습니다.

맞춤형 길이/사양 연계가 필요하신가요? <strong>요구 사양</strong>에 맞춰 대응하고 적절한 공급 계획을 조율해 드립니다.

대량 수요가 있으신가요? 견적 요청

수량, 납품지, 포장 선호도를 알려주시면 실리콘 잉곳 대량 주문에 대해 <strong>리드 타임</strong>과 가격 옵션으로 안내해 드립니다.

ISO 9001:2015 SEMI M1–M13 각 잉곳 완전한 CoA RoHS / REACH