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9N–11N 純度
100–450mm 直徑
CZ/MCZ/FZ 生長方法
0.001–10,000+ Ω·cm 電阻率範圍
現貨與預購矽晶錠銷售已上架 矽晶錠商城 — GINECHIP 批量供應
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大批量矽晶錠供應

GINECHIP 供應 CZ、MCZ、FZ 與多晶矽晶錠可提供直徑 100–450mm、純度 9N–11N(N/P/本徵型)。矽晶錠長度 200–2000mm 可選並支持客製;每批提供完整 CoA 與符合 <strong>SEMI 標準</strong>。

多晶太陽能級矽晶錠(6N–7N)以更低成本供應光伏產業。單晶矽晶錠支援 <strong>邏輯、記憶體、功率</strong> 與 <strong>射頻(RF)</strong> 器件;並提供 N 型(P/As/Sb)、P 型(B)與本徵 FZ。

每根矽晶錠皆隨附完整 CoA、晶體品質數據與可追溯紀錄;並可依需求提供客製長度與規格。

生長方法

我們提供由四種主流技術生長的矽晶錠:<strong>CZ</strong>、<strong>MCZ</strong>、<strong>FZ</strong>與<strong>多晶</strong>。不同製程路徑在成本、純度與氧含量上各有差異,可協助您依據製程與器件需求選擇最合適的材料。

業界標準

CZ (Czochralski)

最廣泛使用的生長法

直徑 100mm – 450mm
O₂ 含量 12 – 18 ppma
電阻率 0.001 – 100 Ω·cm
成本 $ – $$

CZ(柴可拉斯基法)晶體生長是應用最廣泛的矽晶錠製程之一,具備成熟且穩定的工藝基礎。它能在量產中支援對關鍵晶體參數的可靠調控。若你需要<strong>經驗驗證的良率與供應穩定性</strong>,CZ 是理想選擇。

氧含量可控

MCZ (Magnetic CZ)

氧摻入可調控

直徑 150mm – 300mm
O₂ 含量 6 – 12 ppma
電阻率 0.01 – 200 Ω·cm
成本 $$ – $$$

MCZ(磁控拉晶)相較傳統 CZ,能提供更精準的氧含量管理。透過生長過程中的磁場輔助,有助於調控氧的摻入並支援穩定的晶體品質。當你需要在量產中為器件需求達到<strong>可控的氧含量</strong>時,MCZ 是理想方案。

最高純度

FZ (Float Zone)

無坩堝污染

直徑 100mm – 200mm
O₂ 含量 < 0.1 ppma
電阻率 1 – 10,000+ Ω·cm
成本 $$$ – $$$$

FZ(懸浮區熔)生長可在不與傳統坩堝直接接觸的情況下製備矽,進而降低<strong>容器相關污染</strong>風險。此方法有助於達到極低氧含量與高電阻率,滿足對純度要求嚴苛的應用。當<strong>超低污染</strong>與最大化電性表現是關鍵時,選擇 FZ。

方法比較

依據您的器件目標與製造優先順序選擇生長方法:<strong>成本導向</strong>選CZ、<strong>低氧含量</strong>需求選MCZ、<strong>極高純度</strong>需求選FZ。

CZ(直拉法)— 100–450mm

成熟且應用最廣的製程路線,<strong>氧含量:12–18 ppma</strong>,<strong>電阻率:0.001–100 Ω·cm</strong>。適合用於<strong>邏輯與功率器件</strong>的大量製造。

適用:邏輯/記憶體/功率 氧含量(O₂):12–18 ppma

FZ 區熔矽晶錠(100–200mm)

FZ(懸浮區熔)在<strong>無坩堝</strong>條件下生長矽,實現<strong>最高純度</strong>,為對材料要求更嚴苛的製程提供優異品質。

適用於對<strong>超高純度</strong>要求嚴格、需要極致潔淨度的情境。 O₂:< 0.1 ppma

多晶矽晶錠

提供 <strong>鑄造多晶矽晶錠</strong>批量銷售。適用於太陽能級應用與高純度需求,<strong>多晶純度 6N–7N</strong>。

本產品採用 <strong>156mm×156mm 方錠</strong>規格,有助於提升多晶晶片製程的成本表現;在量產規劃時,特別適合追求 <strong>成本優勢</strong>。

良率與經濟性

下表彙整不同晶錠直徑下的典型 <strong>晶片良率估算</strong>,並包含 <strong>鋸縫損失</strong>。

可用這些估算值來對齊生產規劃:每 10cm 與每整錠可得到的預期晶片數,同時需考量 <strong>鋸縫損失</strong>(依直徑而不同:180–200 μm、160–180 μm、140–160 μm)。

晶錠直徑每 10cm 晶片數整錠晶片數鋸縫損失
150mm (6″) ~66 ~1,300 180 – 200 μm
200mm (8″) ~49 ~1,000 180 – 200 μm
300mm (12″) ~33 ~660 160 – 180 μm
450mm (18″) ~22 ~440 140 – 160 μm

太陽能級 vs 半導體級

為你的製程選擇合適的矽晶錠:用於 IC 的高純度 <strong>半導體級</strong>,或更具成本效益的 <strong>太陽能級</strong> 用於 PV。

半導體級(半導體級矽)

9N–11N 高純度矽晶錠,面向 <strong>IC</strong> 應用;搭配 <strong>Dash</strong> 技術以降低缺陷。

純度:9N–11N 無位錯/Dash 技術

太陽能多晶

鑄造多晶太陽能矽晶錠——以 <strong>性價比</strong> 為核心,適合成本效益型 PV 製造。

純度:6N–7N 方錠:156mm×156mm

品質與認證

批量銷售搭配可追溯文件——符合 ISO 9001:2015,對應 SEMI 標準,並且每錠皆提供 <strong>CoA(Certificate of Analysis)</strong>。

FTIR 間隙氧與碳 使用 <strong>FTIR</strong> 量測間隙氧與碳含量。
四探針電阻率分佈圖 透過 <strong>四探針</strong> 量測建立電阻率分佈圖。
FZ 少數載子壽命 執行 FZ 少數載子壽命測試,確認 <strong>&gt;1,000 μs</strong>。
XRD 位錯密度分析 利用 <strong>X 射線繞射</strong> 分析位錯密度。
表面缺陷目檢與掃描 進行 <strong>目檢</strong> 與掃描,以偵測表面缺陷。
直徑/長度/平邊幾何尺寸計量 核對每支晶錠的 <strong>直徑</strong>、<strong>長度</strong> 與 <strong>平邊</strong> 幾何一致性。
腐蝕坑密度(EPD) 量測 <strong>腐蝕坑密度(EPD)</strong>,用於評估缺陷相關參數。
出廠證明(CoA)與批次追溯 提供每次出貨的 <strong>完整出廠證明(CoA)</strong> 與 <strong>批次追溯</strong>。

技術規格

參數規格
長晶方法 CZ (Czochralski), MCZ (Magnetic CZ), FZ (Float Zone), Multicrystalline (cast)
直徑 100mm, 125mm, 150mm, 200mm, 300mm, 450mm
長度 200mm – 2000mm, custom lengths available
摻雜類型 N-type (P, As, Sb), P-type (B), Intrinsic (FZ)
電阻率 0.001 – 10,000+ Ω·cm, application-dependent
晶體取向 〈100〉, 〈111〉, 〈110〉, off-cut available
純度 9N – 11N (CZ/FZ), 6N – 7N (multicrystalline)
氧含量 CZ: 12 – 18 ppma, MCZ: 6 – 12 ppma, FZ: < 0.1 ppma
碳含量 CZ: ≤ 0.1 ppma, FZ: < 0.05 ppma
少數載子壽命 FZ: > 1,000 μs minority carrier lifetime
差排密度 CZ: dislocation-free (Dash technique), Multi: 10³ – 10⁶/cm²
晶棒形狀 Cylindrical, square (156mm × 156mm for solar), rectangular
邊緣倒圓 Ground, etched, as-cut
表面處理 As-grown, ground, etched, polished crown
包裝 Wooden crate, foam-lined, vacuum-sealed, shock-resistant

應用領域

🧠

AI 晶片

高純 CZ/FZ 矽晶錠用於穩定晶圓製造,並支援 <strong>AI 與神經網路加速器</strong> 的可靠效能。可覆蓋 0.001–10,000+ Ω·cm 的電阻率範圍。

⚡

功率元件

用於功率半導體製造的矽晶錠,可支援 <strong>電源管理與功率電子</strong> 的需求。純度提供 CZ/FZ 9N–11N 與多晶 6N–7N。

☀️

太陽能光電

用於光伏電池製造的 156mm×156mm 太陽能級矽晶錠。支援在 <strong>0.001–10,000+ Ω·cm</strong> 電阻率範圍內的設計彈性。

⚙️

MEMS 微機電

用於 MEMS 感測器與致動器製造的矽晶錠,讓 <strong>微機電器件</strong> 具備一致的晶圓品質。提供 CZ/FZ 與多晶純度選項以滿足製程需求。

〰️

射頻/類比

高純度矽晶錠支援用於射頻與類比晶片,於寬電阻率範圍內提供穩定的電性表現。

📡

通訊設備

用於通訊設備的矽晶錠,有助於支援 5G 與一般收發器應用的可靠晶圓製造。

🔬

科學儀器

用於探測器與精密量測晶片時,高純度矽提供了性能與一致性的堅實基礎。

💡

LED 與光電元件

矽晶錠可用於 LED 與光電元件製造,支援發光二極體與光偵測器等應用的穩定晶圓製程。

批量定價

量大價優。可依數量議價,交期短。

多晶矽晶錠

太陽能級材料,提供<strong>最低單價</strong>,主打成本效率。

純度:6N–7N 規格:156mm×156mm 方錠

FZ 矽晶錠

最高純度選擇,專為<strong>高階</strong>應用打造,滿足更嚴苛製程需求。

純度:9N–11N | O₂:<0.1 ppma 成本:$$$–$$$$

供應鏈與交期

透過產能規劃確保大批量矽晶錠需求的<strong>穩定供貨</strong>,協助客戶維持連續生產節奏。

周全物流與保護:可提供<strong>木箱/泡棉/真空密封/防震</strong>等包裝配置,協助維護材料完整性。

透過庫存協調與<strong>交期支持</strong>,讓採購規劃更有把握,保障生產連續性。

需要<strong>客製長度/規格對接</strong>嗎?我們可協助對應您的需求,並協調合適的供應方案。

大量需求?立即索取報價

提供您的需求數量、目的地與包裝偏好,我們將回覆<strong>交期與報價</strong>選項,滿足矽晶錠大宗採購。

ISO 9001:2015 SEMI M1–M13 每錠完整 CoA RoHS / REACH