晶圓凸塊與UBM
焊料凸塊、銅柱、金凸塊，支援完整的UBM堆疊 — SnAg、SAC、AuSn合金。
概述
晶圓凸塊和UBM是先進封裝互連技術的關鍵環節。GINECHIP提供完整的晶圓凸塊和UBM服務，支援從標準焊料凸塊到精細間距銅柱凸塊的各種技術，滿足倒裝晶片和3D堆疊封裝的需求。
我們提供業界領先的品質和精度，確保凸塊和UBM結構的完整性和可靠性。
凸塊技術
焊料凸塊（SnAg/Cu、SnAg、SAC305）
在Cu UBM上電鍍焊料凸塊。間距130–250μm。凸塊高度50–120μm。無鉛SAC305和SnAg成分。用於標準倒裝晶片組裝的批量回焊。高產量。200mm和300mm晶圓。符合RoHS。
銅柱凸塊
電鍍Cu柱（20–60μm高度）帶SnAg焊料帽（10–30μm）。間距40–80μm。優異的載流能力和導熱性。細間距倒裝晶片和3D堆疊。細間距無焊料橋接。200mm和300mm。
金柱凸塊
熱超聲打線鍵合金凸塊。間距 > 60μm。凸塊直徑40–80μm。用於光電子、LED和GaAs器件組裝。Au焊盤無需UBM。製程溫度 < 150°C。小批量和原型製作的經濟方案。
微凸塊（Cu/SnAg，10–55μm間距）
用於3D-IC和晶粒到晶圓堆疊的超細間距Cu/SnAg微凸塊。間距10–55μm。凸塊直徑5–25μm。精密電鍍，高度均勻性 < ±1μm。兼容熱壓鍵合。用於HBM、小晶片集成和中介層堆疊。
UBM疊層選項
凸塊下金屬層（UBM）提供了黏附層、擴散阻擋層和潤濕層，是晶圓凸塊可靠性的基礎。我們的UBM服務支援多種金屬疊層組合，可根據您的凸塊類型和應用需求進行最佳化。
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鍵合製程流程
進料準備
進料檢驗與表面準備：檢查晶圓品質，清潔表面。
UBM沉積
UBM沉積：濺鍍沉積黏附層、擴散阻擋層和潤濕層。
光刻圖案化
光刻圖案化：塗佈光阻，曝光和顯影UBM/凸塊圖案。
凸塊形成
凸塊形成：電鍍焊料或銅柱、剝離光阻、蝕刻UBM。
回焊與檢測
回焊與檢測：焊料回焊、AOI檢測、電性測試。
典型應用
用於CPU、GPU、FPGA和高速SerDes的銅柱和焊料凸塊倒裝晶片互連。低電感（< 0.1nH）和低電阻路徑。相比打線接合，改善供電和信號完整性。
用於HBM晶粒到晶粒和晶粒到晶圓堆疊的超細間距（10–40μm）Cu/SnAg微凸塊。矽通孔（TSV）兼容。超薄晶粒處理（< 50μm）。< 280°C熱壓鍵合。
用於CMOS圖像傳感器（CIS）倒裝晶片組裝的細間距焊料凸塊和銅柱。背面照明（BSI）傳感器的低溫鍵合。大尺寸傳感器的高互連密度。
用於RFIC、mmWave PA/LNA和天線封裝的金凸塊和銅柱。> 20GHz應用的低寄生電感。Au-Au熱壓鍵合實現最低損耗。兼容GaAs和GaN-on-SiC。
用於LED倒裝晶片和Micro-LED顯示器組裝的金凸塊。高導熱性用於散熱。細間距能力用於高分辨率顯示器。兼容GaN-on-Sapphire和GaAs。
可靠性測試
環境可靠性測試包括溫度循環（-55°C至+150°C）、高溫儲存（150°C/1000小時）和機械衝擊，均按照JEDEC和MIL-STD標準進行。
品質保證
我們的計量實驗室維持ISO 17025認證，配備先進的分析設備。每批UBM和凸塊產品都經過全面的品質驗證，包括膜厚量測、黏著力測試和表面分析。