薄膜鍍膜與沉積
用於200mm和300mm晶圓上氧化物、氮化物、金屬和介電薄膜的PVD、CVD、ALD製程。
概述
薄膜沉積是半導體製造的核心技術之一。GINECHIP提供全面的薄膜鍍膜與沉積服務，包括PVD濺鍍、電子束蒸鍍、PECVD、LPCVD和ALD等多種技術，支援金屬、介電材料和半導體薄膜的沉積。
我們提供業界領先的品質和精度，所有薄膜沉積製程均在嚴格的品質控制下進行。
沉積技術
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薄膜材料
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品質指標
| 參數 | 目標值 | 量測方法 |
|---|---|---|
| Qr 1Param | Qr 1Target | Qr 1Method |
| Qr 2Param | Qr 2Target | Qr 2Method |
| Qr 3Param | Qr 3Target | Qr 3Method |
| Qr 4Param | Qr 4Target | Qr 4Method |
| Qr 5Param | Qr 5Target | Qr 5Method |
| Qr 6Param | Qr 6Target | Qr 6Method |
| Qr 7Param | Qr 7Target | Qr 7Method |
| Qr 8Param | Qr 8Target | Qr 8Method |
典型應用
通過LPCVD沉積多晶矽結構層。通過PECVD或熱氧化沉積SiO₂犧牲層。Si₃N₄薄膜和鈍化。用於釋放微結構的低應力薄膜：加速度計、陀螺儀、壓力傳感器。
通過電子束蒸鍍或濺鍍沉積抗反射（AR）和高反射（HR）多層鍍膜。ITO透明電極。DBR反射鏡。波導包層。SiO₂/TiO₂和SiO₂/Ta₂O₅疊層。
通過PVD濺鍍沉積Al和Ti/TiN阻擋/黏合層堆疊。用於電鍍的Cu種子層。Ta/TaN擴散阻擋層。用於打線接合的Ni/Au焊盤金屬化。
PECVD Si₃N₄和SiO₂/Si₃N₄堆疊用於防潮。聚對二甲苯保形鍍膜用於植入式醫療器件。ALD Al₂O₃超薄防潮層（< 10nm）。多層氣密封裝薄膜。
PVD濺鍍AlN和ZnO，用於SAW/BAW濾波器和能量收集器。PZT（溶膠-凝膠或濺鍍）用於MEMS致動器和噴墨打印頭。Sc摻雜AlN用於增強壓電響應。晶圓級沉積及後退火極化。
NiCr、TaN和WTi薄膜電阻，TCR < 50 ppm/°C。Pt RTD溫度傳感器和微加熱器。薄層電阻10–1000 Ω/sq。雷射修調精密電阻值。MEMS氣體傳感器和微測輻射熱計。
多層疊層
我們的多層沉積能力實現了複雜的薄膜疊層，包括介質反射鏡、帶通濾波器和抗反射塗層。層間界面經過最佳化，以實現最佳的黏附性和最小的應力。
基板相容性
我們的薄膜沉積製程支援矽晶圓、SOI、玻璃、石英和化合物半導體等各種基板材料。每種基板材料的表面準備和預處理都經過最佳化，以確保最佳的薄膜黏附性和品質。
品質保證
品質驗收標準符合SEMI和客戶規範。MEMS應用的薄膜應力控制 < 50 MPa。折射率公差±0.005。附著力測試符合MIL-STD-883。每批附合格證書。