光刻服務
接觸式、接近式和投影式光刻，分辨率低至0.5μm。完整的掩模設計支持和雙面對準能力。
概述
光刻是半導體和MEMS製造的基礎圖案化技術——將微米至次微米級圖案從光罩轉移到塗有光阻的晶圓上。GINECHIP運營五種不同的光刻平台，涵蓋全範圍的解析度、產能和成本要求。
從用於0.5–2μm解析度MEMS的接觸式光刻，到用於0.35μm次微米CMOS的i-line投影步進機，到無光罩成本的直寫式光刻用於快速原型製作，再到奈米壓印光刻用於次50nm特徵——我們匹配技術到您的應用。
光刻技術
接觸式光刻
解析度0.5–2μm。光罩對準器：SUSS/EVG。基板從碎片到200mm。頂部/底部對準。雙面對準可用。
接近式光刻
解析度2–5μm。接近間隙10–50μm。減少光罩磨損。相對於接觸式更高的產能。間隙均勻性控制。
投影步進機（i-line）
解析度0.35–0.5μm。縮小倍率4×/5×。i-line 365nm。對準精度< 50nm。產能60–80片/小時。
無光罩直寫式光刻
解析度0.6–2μm。寫入速度高達300mm²/min。GDSII/DXF/CIF輸入。無光罩成本。研發和原型製作的理想選擇。
奈米壓印光刻（NIL）
解析度< 50nm。UV-NIL和熱NIL。壓模：矽、石英、柔性。全晶圓和步進重複。深寬比高達15:1。
光阻系列
正性光阻
DNQ/酚醛樹脂基（i-line、g-line）和化學放大（DUV 248nm）。解析度低至0.35μm。高對比度，熱穩定性高達130°C。MEMS和CMOS前端製程的標準。
負性光阻
SU-8（環氧基）用於高深寬比MEMS結構。環化聚異戊二烯用於濕式蝕刻。SU-8厚度從0.5μm到>200μm。優異的耐化學性。
圖像反轉光阻
通過曝光後反轉烘烤實現正性和負性圖案的單一光阻。實現具有負側壁斜率的剝離輪廓。金屬剝離製程的理想選擇。
厚光阻與特殊塗層
SU-8高達500μm用於MEMS成型。聚酰亞胺用於永久介電層。BCB用於晶圓鍵合和平坦化。噴塗用於高形貌表面。
製程能力
| 參數 | 能力 |
|---|---|
| Minimum Feature Size | 0.35μm (stepper), 0.5μm (contact), 0.6μm (direct-write) |
| 對準精度 | < 50nm (stepper), < 1μm (contact) |
| 晶圓尺寸範圍 | Fragments to 300mm |
| 光阻厚度範圍 | 0.3μm–500μm |
| 雙面對準 | Front-to-back < 2μm (contact/proximity) |
| 曝光波長 | i-line (365nm), g-line (436nm), broadband UV |
| 光罩數據格式 | GDSII, DXF, CIF, Gerber |
| 無塵室級別 | ISO Class 5 (Class 100) |
典型應用
梳狀驅動結構、薄膜、懸臂樑、微鏡和微流體通道。接觸式和接近式光刻用於0.5–5μm特徵尺寸。
高解析度像素陣列。i-line步進機光刻，< 50nm對準精度，用於多層彩色濾光片和微透鏡整合。
200–300mm晶圓上的大面積器件圖案化。高能量注入遮罩用厚光阻處理。垂直器件結構的雙面對準。
精細線路互連和被動元件。0.35μm閘極定義的投影步進機光刻。複雜RF佈局的GDSII支援。
用於PDMS澆鑄的SU-8模具製造。通道寬度低至5μm。厚光阻處理高達500μm。兼容玻璃和聚合物基板。
Si₃N₄和SOI波導圖案化。次微米線寬控制用於單模操作。光柵耦合器的奈米壓印光刻。
光罩設計與支援
我們的光罩支援團隊提供GDSII文件審查、光刻兼容性設計規則檢查（DRC）、光罩極性驗證（明/暗場）、蝕刻底切偏置補償和多層對準標記設計。
光刻計量
光刻後計量包括CD-SEM關鍵尺寸測量、對準計量層間對準驗證、光學顯微鏡缺陷檢查和光譜反射法光阻厚度測量。
品質保證
所有光刻製程在ISO Class 5無塵室條件下運行，具有溫度和濕度控制（±0.5°C，±2% RH）。顆粒監控連續進行。每個批次包含光阻製程控制晶圓用於線寬和光阻輪廓驗證。