圖案客製化
晶圓上的客製光刻圖案 — 雷射劃線標記、對準標記、計量目標和根據您的製程要求定制的專用測試結構。
概述
圖案客製化透過光刻和蝕刻在裸矽、玻璃或SOI晶圓上添加功能性或識別特徵。無論您需要晶圓級雷射劃線標記用於可追溯性、步進機的對準標記，還是製程控制的客製計量目標 — 我們都能根據您的確切規格對晶圓進行圖案化。
我們提供業界領先的圖案保真度和完整的可追溯性 — 每片圖案化晶圓均包含完整的文檔包，包括晶圓圖、CD-SEM報告、疊對精度數據以及符合ISO 9001:2015和SEMI標準的合格證書。
雷射劃線和識別標記
透過雷射或光刻施加的永久性晶圓識別和可追溯性標記：
| 參數 | 可用範圍 / 值 |
|---|---|
| Mark Type | OCR alphanumeric, 2D Data Matrix, QR code, custom logo/graphic |
| Character Height | 0.3mm–3.0mm (SEMI T7 compliant) |
| Dot Matrix Density | 5×7, 7×9, 9×13, 11×15 (custom grids) |
| Mark Position | SEMI M1.15 standard zone, custom quadrant/edge placement |
| Marking Technology | Laser (soft-mark < 5μm depth, hard-mark 5–50μm depth) |
| OCR Readability | > 99.9% read rate (SEMI M12/M13 compliant) |
| Font Options | SEMI OCR standard, high-density, human-readable only, custom |
軟標記（雷射劃線）
- OCR、2D數據矩陣、QR碼、字母數字文本
- 施加於晶圓正面、背面或邊緣
- 標記深度：< 5μm，符合SEMI T7軟標記標準
- 符合SEMI T7、M12和M13標準
- 晶圓邊緣上的2D碼，面積消耗最小
硬標記（深蝕刻）
- 可承受氧化、擴散和蝕刻的永久標記
- 蝕刻深度：5–50μm，實現長壽命可追溯性
- 雷射或DRIE蝕刻的字母數字、2D碼和客製圖案
- 經過多個製程步驟後仍可被自動光學檢測（AOI）讀取
- 兼容SEMI T7和M12永久晶圓ID標準
對準和定位標記
用於光刻設備、晶圓鍵合設備和計量系統的精確對準和定位標記。
| 參數 | 可用範圍 / 值 |
|---|---|
| Alignment Mark Type | Cross, chevron, box-in-box, Vernier scale, custom |
| Mark Depth / Height | 100nm–5μm (etched), 50nm–2μm (deposited contrast layer) |
| Placement Accuracy | ±0.5μm standard, ±0.1μm precision (stepper-aligned) |
| Mark Material | Etched Si, trench-refilled poly-Si, W-plug, TiN, Cr |
| Global Alignment Grid | 5-point, 9-point, full-contact exposure grid, custom |
| ASML / Nikon / Canon | Compatible mark designs for major scanner platforms |
蝕刻對準標記
蝕刻到晶圓表面上的永久對準標記，用於跨多個製程步驟的步進機和掃描儀對準。
沉積金屬對準標記
patternCustomization.depositedMarksDesc
計量和CD目標
用於製程開發和線上計量的全面CD、疊對和薄膜厚度測量目標。
每片圖案化晶圓在出貨前都經過對準標記精度和放置精度的驗證。
平邊和缺口
用於晶圓方向識別、摻雜類型指示和自動化設備兼容性的SEMI標準平邊和客製缺口。
| 參數 | 可用範圍 / 值 |
|---|---|
| Primary Flat | Per SEMI M1: {110} flat for 〈100〉, {110} flat for 〈111〉 |
| Notch | Per SEMI M1: {110} notch for 200mm+, {110} notch for 300mm |
| Custom Flat Angle | Any crystallographic direction (±0.1° tolerance) |
| Custom Notch Shape | Standard JIS/SEMI, custom depth/width, dual-notch |
| Secondary Flat | Per SEMI M1 for conductivity type identification |
| Edge Profile | SEMI standard, T-style, C-style, custom chamfer |
為什麼需要客製晶圓邊緣？
- 減少邊緣碎裂 — 客製邊緣輪廓最大限度地減少處理過程中的顆粒產生
- 提高設備兼容性 — 針對特定晶圓處理系統和載具優化的邊緣幾何形狀
- 減少晶圓破損 — 工程化的邊緣輪廓降低了晶圓周邊的應力集中
- 符合SEMI標準 — 所有邊緣幾何形狀均符合SEMI M1和M13尺寸規範
邊緣輪廓選項
- 圓形（bullnose） — 減少邊緣碎裂，適用於自動化處理
- 斜角 — 減少鍵合過程中機械應力的斜邊
- 拋光邊緣 — 鏡面處理，最大限度減少顆粒產生
- 研磨邊緣 — 經濟實惠，適用於非關鍵應用
晶粒級客製化服務
在整個晶圓上於晶粒級別施加的精確圖案，用於可追溯性、切割和多項目集成。
晶粒序列化
唯一的晶粒級識別碼，用於在整個封裝過程中的可追溯性和自動分類。
- 每個晶粒的OCR和2D數據矩陣碼
- 晶粒坐標和晶圓批次譜系編碼
- 兼容自動晶粒鍵合機和拾放設備
- 根據設計規則的客製字體、尺寸和放置
客製劃片道
用於製程開發和專業切割方法的客製劃片道圖案。
- 用於隱形切割或等離子切割開發的蝕刻劃片道圖案
- TEG（測試元件組）放置在劃片道內
- 客製劃片道寬度：30–200μm
- 與晶體取向對齊以進行優先劈裂
多專案晶圓（MPW）框架
多項目晶圓（MPW）框架佈局，包含光罩級對準、晶片ID和測試結構，用於成本共享的原型開發。
- 帶有晶片ID和對準標記的客製光罩框架
- 光罩對光罩對準驗證結構
- 每個光罩的測試結構和製程控制監控器（PCM）
- 兼容GDSII和OASIS佈局格式
背面對準標記
背面紅外透明對準標記，用於MEMS、功率器件和3D-IC雙面對準。
- 正面對背面疊對精度：±0.5μm
- 兼容紅外相機的對準目標設計
- 兼容EVG、SUSS和AML晶圓鍵合機
- 在矽、玻璃和SOI基板上圖案化
計量和製程控制結構
內建計量目標，用於製程表徵、統計製程控制（SPC）和設備驗證 — 直接在您的生產或監控晶圓上圖案化。
- 薄層電阻監控器：Van der Pauw十字、希臘十字和橋式電阻器，用於Rs和接觸電阻（Rc）
- 厚度監控器：階梯高度結構、橢偏儀焊盤和輪廓儀溝槽，用於薄膜厚度驗證
- 應力和應變：懸臂陣列、環和樑結構以及屈曲樑陣列，用於薄膜應力測量
- 未對準監控器：游標結構、重疊梳狀圖案，用於X/Y對準誤差量化，解析度低於100nm
- 蝕刻速率監控器：深度標記、埋層蝕刻停止指示器和多深度校準結構
- 電氣測試：Kelvin接觸電阻結構、隔離測試圖案和擊穿電壓測試結構
- 缺陷檢測：已知尺寸和位置的故意缺陷陣列，用於檢測設備驗證和靈敏度驗證
- 製程控制監控器（PCM）：完整的PCM插入模組，包括電晶體、電容器、電阻器和二極體，用於晶圓級製程監控
應用
品質與認證
所有圖案化晶圓均在ISO 9001:2015認證設施中製造。每片晶圓經過自動光學檢測（AOI）、關鍵尺寸的CD-SEM驗證和對準精度的疊對計量。每次出貨均提供完整文檔，包括晶圓圖、測量報告和合格證書，確保從圖案設計到最終交付的完整可追溯性。