100mm–300mm直徑範圍
50μm–725μm厚度範圍
TTV < 1μm厚度精度
SEMI M1 Standard邊緣輪廓
概述
晶圓尺寸調整服務允許將晶圓從一種直徑轉換為另一種直徑，幫助晶圓廠和設備製造商適應不同的製程設備要求。GINECHIP提供精密的晶圓尺寸調整服務，支援從碎片到300mm的各種尺寸。
我們提供業界領先的品質和精度，確保調整尺寸後的晶圓符合所有SEMI標準。
尺寸調整服務
直徑縮小加工
精密車削與邊緣研磨，將晶圓由標準直徑轉換為所需尺寸（如200→150mm、200→100mm），並依SEMI標準製作邊緣輪廓，將崩邊降至最低。
Reduction: 200→150, 200→100, 150→100Other conversions by requestEdge: SEMI standard profileEdge chipping: < 0.3mmConcentricity: < 50μmWafer: Si, SOI, glass, ceramic
定位邊與凹槽加工
依SEMI M1定向標準進行主定位邊或凹槽加工，晶向精度達1°以內，並於加工後拋光邊緣。
Primary flat: SEMI M1 standardNotch: SEMI M1 standardOrientation accuracy: < 1°Length/depth per standardPost-machining edge polishWafer: Si, GaAs, InP, SiC
邊緣輪廓加工
採用機械研磨與CMP拋光，加工出SEMI M1標準的T、R或K型邊緣輪廓，消除微裂紋並達到低於0.5μm的邊緣粗糙度。
Profiles: T, R, K (SEMI M1)Custom profiles by requestEdge polish: mechanical + CMPEdge roughness: Ra < 0.5μmMicro-crack eliminationPost-process edge inspection
厚度縮減加工
透過研磨、精磨與CMP薄化製程，將晶圓厚度由725μm減薄至50μm，CMP後TTV控制在1μm以內，並可選配應力釋放蝕刻。
Method: grinding, lapping, CMPTarget: 50μm–725μmTTV: < 1μm (post-CMP)Bow/warp: within specificationStress relief etch optionalWafer: Si, SOI, glass, SiC
晶圓分割
以精密切割或劈裂方式將單片晶圓分割成多片較小的圓形或矩形，可依圖面規格客製化尺寸。
Split: 1 wafer → multiple smallerCircular or rectangular formatsDicing or cleaving optionsEdge quality: minimal chippingCustom sizes: drawing-basedMaterial: Si, SOI, glass
晶向確認與重新標識
以XRD搖擺曲線量測確認晶向，精度達0.1°以內，並依需求製作新的定位邊、凹槽或雷射標記。
Method: XRD rocking curveAccuracy: < 0.1°Marking: new flat/notch or laserSi, GaAs, InP, SiC, sapphireReport: orientation confirmedPost-ID: laser mark if needed
邊緣品質控制
調整尺寸後的邊緣品質通過邊緣輪廓顯微鏡驗證，確保邊緣裂縫、碎屑和表面損傷在SEMI標準允許範圍內。
準備好開始了嗎？
聯繫我們的工程團隊討論您的具體需求，並在24小時內收到詳細報價。
ISO 9001 認證SEMI 合規邊緣檢測XRD 分析