6+ 個產業應用領域
50+ 個國家全球供應
ISO 9001認證品質
24 小時回覆技術支援
概述
半導體基板的選擇是元件效能的基礎。無論您設計的是 MEMS 慣性感測器、GaN 功率放大器、矽光子收發器，還是先進 2.5D 封裝，基板材料、晶圓尺寸、晶體取向、電阻率與表面品質的選擇，都直接決定良率、可靠性與電氣效能。
Ginechip 提供涵蓋整個半導體應用光譜的全方位工程基板 — 從大量生產 CMOS 用的標準矽晶圓，到利基光子學與 RF 應用所需的特殊 III-V 化合物半導體。每一片基板均向合格製造商採購、依您的規格檢驗，並附完整的材料追溯。我們的應用工程團隊協助您掌握材料選擇、製程相容性與供應鏈策略，讓您專注於元件創新。
產業
MEMS 與感測器
用於慣性感測器、壓力感測器、麥克風、微鏡和生物MEMS的矽、SOI、玻璃和壓電基板。DRIE和晶圓鍵合兼容。氣密封裝支援。提供100mm–200mm直徑。
Si, SOI, Glass, Piezo100mm–200mmDRIE & Bonding-readyHermetic packaging
射頻與功率元件
用於RF開關、功率放大器、LNA和mmWave前端模組的高電阻率矽、GaAs和GaN-on-Si/SiC基板。低損耗角正切。mmWave兼容。提供50mm–200mm直徑。
HR-Si, GaAs, GaN-on-Si/SiC50mm–200mmLow loss tangentmmWave compatible
光子學與 LiDAR
用於矽光子學、光收發器、LiDAR光束控制和光子集成電路的SOI、InP、LiNbO₃和SiO₂基板。BOX厚度從0.5μm到3μm。光學級拋光。提供100mm–300mm。
SOI, InP, LiNbO₃, SiO₂100mm–300mmBOX: 0.5μm–3μmOptical-grade polish
功率電子 (SiC/GaN)
用於MOSFET、肖特基二極管和HEMT的SiC（4H、6H）和GaN-on-Si基板。微管密度 < 1/cm²。高溫穩定。提供100mm–200mm直徑。
SiC (4H, 6H), GaN-on-Si100mm–200mmMicropipe density < 1/cm²High-temp stable
先進封裝
用於2.5D/3D整合的矽和玻璃中介層。TSV從5μm到100μm。300mm兼容。FOWLP載體。精細間距RDL和微凸塊兼容基板。
Si & Glass interposersTSV: 5μm–100μm300mm compatibleFOWLP carriers
研發與原型製作
從碎片到完整晶圓的研究和原型製作供應。無最低數量限制。提供客製化堆疊。學術定價。包含技術諮詢。
Fragment to full waferNo minimum quantityCustom stacks availableAcademic pricing
解決方案
晶圓廠間供應
多源資格認證、寄售庫存、即時交付和供應鏈分析，用於大批量半導體製造。降低單一來源風險。
Multi-source qualificationConsignment inventoryJIT deliverySupply chain analytics
研究機構支援
學術定價等級、技術諮詢、非標準材料採購和資助提案支援，服務大學和研究實驗室。
Academic pricing tiersTechnical consultationNon-standard materialsGrant support
新創與原型套件
預先策劃的晶圓套件，用於快速原型製作。快速取樣、NPI加速和新創友好的商業條款。縮短首次晶圓驗證時間。
Pre-curated wafer setsRapid samplingNPI accelerationStartup-friendly terms
應用選擇指南
為您的應用選擇合適的基板需要平衡材料特性、製程兼容性、產量需求和預算。以下是我們的應用工程師在幫助客戶選擇基板時最常回答的問題。
Q1哪種基板材料最適合我的MEMS元件？
取決於您的傳感機制和製程流程。矽（CZ）是大多數表面和體微加工MEMS的默認選擇。SOI晶圓為DRIE定義的結構提供精確的元件層，具有固有的電氣隔離。玻璃晶圓（Borofloat®、熔融石英）是陽極鍵合和光學MEMS的首選。矽上的AlN或PZT等壓電材料常用於BAW/SAW元件。我們的工程師可以根據您的設計需求推薦最佳的基板組合。
Q2如何在GaN-on-Si和GaN-on-SiC之間選擇？
GaN-on-SiC因其3倍更高的導熱性（SiC 490 W/m·K vs Si 150 W/m·K），更適合高頻（> 3 GHz）、高功率RF應用，如5G基站功率放大器和雷達。GaN-on-Si更具成本效益，主導開關頻率低於1 MHz的功率轉換應用（快速充電器、數據中心電源、電機驅動）。對於6 GHz以下中等功率的RF，GaN-on-Si可能就足夠了。我們供應兩種產品，可以幫助您評估成本性能的權衡。
Q3我的應用應該使用什麼晶圓直徑？
100mm和150mm是MEMS、化合物半導體和研發的主力直徑 — 提供最廣泛的設備兼容性和每個開發週期最低的基板成本。200mm是大批量CMOS、功率元件和先進MEMS生產的標準。300mm是領先邏輯、記憶體和一些先進封裝應用的要求。選擇取決於您的晶圓廠設備、產量需求和成本目標。
Q4外延生長需要什麼表面處理？
對於外延生長（MOCVD、MBE、LPE），您需要外延就緒晶圓，表面粗糙度Ra < 0.5 nm，經雷射檢測驗證無霧，並具有天然氧化物脫附能力。CMP拋光晶圓滿足此要求。對於矽外延，> 1100°C的氫烘烤是氧化物去除的標準。對於III-V外延，具有受控天然氧化物的外延就緒至關重要。
Q5可以獲得具有客製化電阻率規格的基板嗎？
是的。我們提供矽晶圓的客製化電阻率，範圍從 < 0.001 Ω·cm（重摻雜）到 > 10,000 Ω·cm（高電阻率FZ）。對於標準產品，我們保證晶圓內均勻性 < ±3%，批次間一致性 < ±5%。對於客製化規格，通過協調的晶錠選擇和計量驗證，我們可實現晶圓內均勻性 < ±1%，批次間 < ±2%。
Q6您提供什麼文檔和認證？
每筆訂單包含ISO 9001:2015合格證書、追溯到晶錠的批次追溯報告、完整計量數據包（電阻率分佈圖、厚度輪廓、TTV/彎曲/翹曲、表面粗糙度、顆粒計數）以及附儲存條件的裝箱單。應要求提供SEMI標準合規聲明、RoHS聲明、衝突礦產報告模板（CMRT）、REACH聲明和國防相關採購的ITAR註冊文檔。所有數據文件以標準電子格式（CSV、PDF）提供。
需要協助選擇基板？
我們的應用工程師將審查您的需求，並為您的元件推薦最佳的基板材料、尺寸和規格 — 完全免費。
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