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50+ CountriesGlobal Supply
ISO 9001Certified Quality
24h ResponseTechnical Support
Overview
Semiconductor substrate selection is the foundation of device performance. Whether you are designing a MEMS inertial sensor, a GaN power amplifier, a silicon photonic transceiver, or an advanced 2.5D package, the choice of substrate material, wafer size, crystal orientation, resistivity, and surface quality directly determines yield, reliability, and electrical performance.
Ginechip supplies a comprehensive range of engineered substrates across the full semiconductor application spectrum — from standard silicon wafers for high-volume CMOS to exotic III-V compound semiconductors for niche photonics and RF applications. Every substrate is sourced from qualified manufacturers, inspected to your specification, and delivered with full material traceability. Our application engineering team helps you navigate material selection, process compatibility, and supply chain strategy so you can focus on device innovation.
Industries
MEMS 與感測器
用於慣性感測器、壓力感測器、麥克風、微鏡和生物MEMS的矽、SOI、玻璃和壓電基板。DRIE和晶圓鍵合兼容。氣密封裝支援。提供100mm–200mm直徑。
Si, SOI, Glass, Piezo100mm–200mmDRIE & Bonding-readyHermetic packaging
射頻與功率元件
用於RF開關、功率放大器、LNA和mmWave前端模組的高電阻率矽、GaAs和GaN-on-Si/SiC基板。低損耗角正切。mmWave兼容。提供50mm–200mm直徑。
HR-Si, GaAs, GaN-on-Si/SiC50mm–200mmLow loss tangentmmWave compatible
光子學與 LiDAR
用於矽光子學、光收發器、LiDAR光束控制和光子集成電路的SOI、InP、LiNbO₃和SiO₂基板。BOX厚度從0.5μm到3μm。光學級拋光。提供100mm–300mm。
SOI, InP, LiNbO₃, SiO₂100mm–300mmBOX: 0.5μm–3μmOptical-grade polish
功率電子 (SiC/GaN)
用於MOSFET、肖特基二極管和HEMT的SiC（4H、6H）和GaN-on-Si基板。微管密度 < 1/cm²。高溫穩定。提供100mm–200mm直徑。
SiC (4H, 6H), GaN-on-Si100mm–200mmMicropipe density < 1/cm²High-temp stable
先進封裝
用於2.5D/3D整合的矽和玻璃中介層。TSV從5μm到100μm。300mm兼容。FOWLP載體。精細間距RDL和微凸塊兼容基板。
Si & Glass interposersTSV: 5μm–100μm300mm compatibleFOWLP carriers
研發與原型製作
從碎片到完整晶圓的研究和原型製作供應。無最低數量限制。提供客製化堆疊。學術定價。包含技術諮詢。
Fragment to full waferNo minimum quantityCustom stacks availableAcademic pricing
解決方案
晶圓廠間供應
多源資格認證、寄售庫存、即時交付和供應鏈分析，用於大批量半導體製造。降低單一來源風險。
Multi-source qualificationConsignment inventoryJIT deliverySupply chain analytics
研究機構支援
學術定價等級、技術諮詢、非標準材料採購和資助提案支援，服務大學和研究實驗室。
Academic pricing tiersTechnical consultationNon-standard materialsGrant support
新創與原型套件
預先策劃的晶圓套件，用於快速原型製作。快速取樣、NPI加速和新創友好的商業條款。縮短首次晶圓驗證時間。
Pre-curated wafer setsRapid samplingNPI accelerationStartup-friendly terms
應用選擇指南
為您的應用選擇合適的基板需要平衡材料特性、製程兼容性、產量需求和預算。以下是我們的應用工程師在幫助客戶選擇基板時最常回答的問題。
Q1哪種基板材料最適合我的MEMS元件？
取決於您的傳感機制和製程流程。矽（CZ）是大多數表面和體微加工MEMS的默認選擇。SOI晶圓為DRIE定義的結構提供精確的元件層，具有固有的電氣隔離。玻璃晶圓（Borofloat®、熔融石英）是陽極鍵合和光學MEMS的首選。矽上的AlN或PZT等壓電材料常用於BAW/SAW元件。我們的工程師可以根據您的設計需求推薦最佳的基板組合。
Q2如何在GaN-on-Si和GaN-on-SiC之間選擇？
GaN-on-SiC因其3倍更高的導熱性（SiC 490 W/m·K vs Si 150 W/m·K），更適合高頻（> 3 GHz）、高功率RF應用，如5G基站功率放大器和雷達。GaN-on-Si更具成本效益，主導開關頻率低於1 MHz的功率轉換應用（快速充電器、數據中心電源、電機驅動）。對於6 GHz以下中等功率的RF，GaN-on-Si可能就足夠了。我們供應兩種產品，可以幫助您評估成本性能的權衡。
Q3我的應用應該使用什麼晶圓直徑？
100mm和150mm是MEMS、化合物半導體和研發的主力直徑 — 提供最廣泛的設備兼容性和每個開發週期最低的基板成本。200mm是大批量CMOS、功率元件和先進MEMS生產的標準。300mm是領先邏輯、記憶體和一些先進封裝應用的要求。選擇取決於您的晶圓廠設備、產量需求和成本目標。
Q4外延生長需要什麼表面處理？
對於外延生長（MOCVD、MBE、LPE），您需要外延就緒晶圓，表面粗糙度Ra < 0.5 nm，經雷射檢測驗證無霧，並具有天然氧化物脫附能力。CMP拋光晶圓滿足此要求。對於矽外延，> 1100°C的氫烘烤是氧化物去除的標準。對於III-V外延，具有受控天然氧化物的外延就緒至關重要。
Q5可以獲得具有客製化電阻率規格的基板嗎？
是的。我們提供矽晶圓的客製化電阻率，範圍從 < 0.001 Ω·cm（重摻雜）到 > 10,000 Ω·cm（高電阻率FZ）。對於標準產品，我們保證晶圓內均勻性 < ±3%，批次間一致性 < ±5%。對於客製化規格，通過協調的晶錠選擇和計量驗證，我們可實現晶圓內均勻性 < ±1%，批次間 < ±2%。
Q6您提供什麼文檔和認證？
每筆訂單包含ISO 9001:2015合格證書、追溯到晶錠的批次追溯報告、完整計量數據包（電阻率分佈圖、厚度輪廓、TTV/彎曲/翹曲、表面粗糙度、顆粒計數）以及附儲存條件的裝箱單。應要求提供SEMI標準合規聲明、RoHS聲明、衝突礦產報告模板（CMRT）、REACH聲明和國防相關採購的ITAR註冊文檔。所有數據文件以標準電子格式（CSV、PDF）提供。
需要協助選擇基板？
我們的應用工程師將審查您的需求，並為您的元件推薦最佳的基板材料、尺寸和規格 — 完全免費。
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