行業解決方案 · 光子學
光子學與 LiDAR
矽光子學、VCSEL陣列、波導基板和LiDAR發射/接收晶圓。
矽光子學平台技術
< 0.2nm RMS精度
150mm/200mm晶圓產能
ISO 9001:2015認證
概述
光子學和LiDAR是下一代感測和數據通信的核心技術。GINECHIP提供全面的光子和LiDAR基板解決方案，涵蓋矽光子學SOI晶圓、InP光子集成電路基板、GaAs VCSEL陣列和Si₃N₄波導基板，支援從數據中心光互連到自動駕駛LiDAR的全方位應用。
我們提供業界領先的品質和精度，所有光子學基板均經過嚴格的表面品質和光學特性驗證。
材料平台
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LiDAR 技術
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SOI規格
| 參數 | 標準規格 | 進階規格 |
|---|---|---|
| 元件層厚度 | 220nm ± 5nm | 220nm ± 2nm (or custom) |
| BOX層厚度 | 2.0μm ± 5% | 2.0μm ± 2% (or 3.0μm) |
| Handle晶圓 | 725μm Si (100) | 725μm HR-Si (>1kΩ·cm) |
| 矽層均勻性 | < 2nm (1σ) | < 1nm (1σ) |
| BOX均勻性 | < 1% (1σ) | < 0.5% (1σ) |
| 直徑 | 200mm | 200mm, 300mm |
| 表面粗糙度 | < 0.2nm RMS | < 0.15nm RMS |
| 顆粒數 | < 20 @ 0.12μm | < 10 @ 0.09μm |
所有規格均基於標準產品。客製化規格可根據需求提供。
應用領域
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波導技術
矽和氮化矽波導平台可供選擇，傳播損耗低至0.5 dB/cm。支援單模和多模波導設計。我們的光刻和蝕刻製程可實現垂直側壁，RMS粗糙度低於5nm，以實現低散射損耗。
外延品質
外延層通過光致發光掃描、X射線衍射搖擺曲線分析和表面缺陷密度量測進行表徵。我們保證整片晶圓的外延層均勻性在2%以內，RMS表面粗糙度低於0.2nm。