化合物半導體晶錠批量銷售 | GINECHIP
GINECHIP 化合物半導體晶錠批量供應：GaAs、InP、SiC 與藍寶石，提供含 XRD、EPD、電阻率映射的完整 CoA，並符合 SEMI/RoHS/REACH。
市場概述
GaAs 與 InP 晶錠用於射頻與光子製造；SiC 則支撐高功率電子製程；藍寶石晶錠常作為 LED 成長與其他光電應用的基板材料。
每批產品皆附 <strong>完整 CoA</strong>，包含 XRD、EPD 與電阻率映射，以強化可追溯性與批次一致性。材料同時符合 SEMI、RoHS、REACH 以及衝突礦產（Conflict Minerals）要求。
<strong>每顆晶錠皆附完整 CoA 與獨立追溯 ID。</strong>生長文件可核驗，便於來料驗證與製程管控。
GaAs（砷化鎵） 晶錠供應
用于化合物半導體製程的 GaAs 晶錠批量供貨：支持 <strong>VGF/LEC</strong>，直徑 2″–6″，提供 SI / N-type / P-type，缺陷密度控制（<strong>EPD < 5×10³/cm²</strong>），最大長度可達 <strong>300 mm</strong>。
生長方式
VGF (Vertical Gradient Freeze)
VGF 生長 GaAs 晶錠，晶體品質更可控：支持 <strong>2″–6″</strong> 直徑規格，並涵蓋 SI / N-type / P-type。典型 EPD 指標：<strong>EPD < 500（4″）</strong>，採用 VGF 生長。
LEC (Liquid-Encapsulated Czochralski)
LEC 生長 GaAs 晶錠面向穩定的化合物半導體供貨：提供 <strong>2″–6″</strong> 直徑規格，並可選 SI / N-type / P-type。典型 EPD 指標：<strong>EPD < 5×10³/cm²</strong>，採用 LEC 生長。
InP（磷化銦） 晶錠供應
面向 RF/光子及先進化合物半導體應用的 InP 晶錠：支持 <strong>VGF/LEC</strong>，直徑 2″–4″，<strong>EPD < 5×10⁴/cm²</strong> 缺陷密度控制，最大長度 <strong>200 mm</strong>。提供 SI 或 N-type 選項。
生長方式
VGF (Vertical Gradient Freeze)
VGF 生長 InP 晶錠，缺陷水準受控以支持精密化合物半導體生產。典型規格包括 <strong>2″–4″</strong> 直徑與 <strong>EPD < 5×10⁴/cm²</strong>，並可提供 SI 或 N-type。
LEC (Liquid-Encapsulated Czochralski)
LEC 生長 InP 晶錠用於先進化合物半導體產線的穩定供貨：提供 <strong>2″–4″</strong> 直徑，並滿足 <strong>EPD < 5×10⁴/cm²</strong>；電阻率可提供 SI 或 N-type 選項，採用 LEC 生長。
SiC（碳化矽） 晶錠供應
面向高功率與惡劣環境半導體應用的 SiC 晶錠：採用 <strong>PVT</strong> 工藝，直徑 <strong>4″–8″</strong>，多型體支持 4H-SiC & 6H-SiC，提供 N-type 與 SI；缺陷控制 <strong>MPD < 1/cm²</strong>，最大厚度可達 <strong>50 mm</strong>。
生長方式
PVT (Physical Vapor Transport)
採用 <strong>PVT（物理氣相傳輸）</strong>生長工藝的 SiC 晶錠，提供 <strong>4H-SiC</strong> 與 <strong>6H-SiC</strong> 多型體，並可選 <strong>N 型</strong>與 <strong>SI</strong>。指標包含：4″–8″ 直徑的 <strong>MPD ＜ 1/cm²</strong>；其中 <strong>6″：＜ 0.5/cm²</strong>、<strong>8″：＜ 1/cm²</strong>。晶錠厚度最高可達 <strong>50 mm</strong>。
藍寶石（Al₂O₃） 晶錠供應
藍寶石（Al₂O₃）材料卡用於晶體生長與晶圓供應，尺寸涵蓋 <strong>2″–12″</strong>（50–300 mm）。晶向可選 <strong>C-plane</strong>、<strong>R-plane</strong> 或 <strong>A-plane</strong>，並提供 <strong>無氣泡（bubble-free）</strong>的 KY/HEM 生長品質。生長方式包括 <strong>KY</strong>、<strong>EFG</strong> 與 <strong>HEM</strong>（其中 KY/HEM 為 <strong>無氣泡</strong>）。
生長方式
Kyropoulos (KY)
採用 Kyropoulos（KY 泡生法）生長藍寶石晶錠，提供 <strong>大直徑</strong>、<strong>低應力</strong>且 <strong>無泡</strong>的高品質材料。直徑範圍 <strong>2″–12″</strong>，單根長度最高 <strong>500 mm</strong>。
EFG (Edge-Defined Film-Fed Growth)
EFG（導模法/Edge-Defined Film-Fed Growth）藍寶石晶錠，著重於高 <strong>成形效率</strong>與穩定的規則截面幾何。提供 <strong>無泡</strong>品質；晶錠生長路線涵蓋 KY / EFG / HEM，並支援最高 <strong>2″–12″</strong> 直徑規格。
HEM (Heat Exchanger Method)
HEM（熱交換法/Heat Exchanger Method）藍寶石晶錠，面向 <strong>高品質</strong>晶體生長與 <strong>更少位錯</strong>的要求。適用於更大直徑的量產需求，並在 KY / EFG / HEM 各種生長線上提供 <strong>無泡</strong>輸出。
晶錠良率優勢
以受控缺陷目標打造穩定批次輸出。完善的品質文件有助於降低切割損耗，支援製程可重複性。
長晶良率
具備高資質通過率，成長控制可重複。以低 EPD 目標為核心，確保性能一致。
尺寸利用率
涵蓋寬廣直徑範圍，支援高效率切割，降低生產線材料浪費。
批次一致性
以獨立晶錠 ID 與生長批次履歷實現嚴密追溯；種子系譜與映射性質支援跨批次穩定製程。
交期與起訂量
化合物半導體晶錠批量交期依材料列示。下單前請確認供貨狀態與吸濕材料的氮氣密封需求。
| 材料 | 標準交期 | 最小起訂量 | 交貨週期 |
|---|---|---|---|
| GaAs（VGF，4″–6″） | 2–4 週 | 5 根 | 3–5 週 |
| InP（VGF，2″–4″） | 4–6 週 | 5 根（氮氣密封包裝） | 5–7 週 |
| SiC（PVT，6″–8″） | 6–10 週 | 3 根 | 8–14 週 |
| 藍寶石（KY，4″–12″） | 8–12 週 | 2 根 | 10–16 週 |
<strong>交期總結</strong>：大批量與長期合約可議價。MOQ 可依您的專案時程與需求預估進行協商。
掺杂與導電性控制
我們提供化合物半導體晶錠的<strong>半絕緣</strong>與<strong>導電型</strong>方案。依材料與客戶需求定制掺杂種與目标浓度，滿足 SiC（4H/6H）用於射頻/光電襯底，以及 GaAs/InP 用於光電與電子應用。
半絕緣（SI）
用於確保器件穩定運作的高電阻率半絕緣牌號。典型：<strong>SI-GaAs：電阻率 >10⁷ Ω·cm</strong>；<strong>SI-InP</strong>。同時提供用於射頻/光電襯底之高阻 SiC。
N 型 / P 型 導電
用於電子與光電需求的導電型掺雜。示例：<strong>GaAs N 型</strong>（Si、S）；<strong>GaAs P 型</strong>（Zn、Cr）。<strong>InP</strong> 支援 N 型（S、Sn）與含 Zn/Si 的 P 型；<strong>SiC</strong> 支援 N 型（N）與含 Al 的 P 型。
定制掺杂
依您的目标<strong>电阻率</strong>／<strong>载流子浓度</strong>进行掺杂定制。确保掺杂分布均匀与批次一致性，支持可靠的製程与器件加工。掺杂浓度可依需求配置。
應用領域
GaAs 射頻與通信
適用於無線終端與射頻前端器件製造，選用 <strong>GaAs</strong> 晶錠（VGF/LEC，2″–6″，SI/N/P 型），並滿足 <strong>EPD < 5×10³/cm²</strong>，支持 300mm 製程。
InP 光子器件
面向光通信與光電器件應用，選用 <strong>InP</strong> 晶錠（VGF/LEC，2″–4″，N 型/SI），<strong>EPD < 5×10⁴/cm²</strong> 適配 200mm 晶圓加工。
SiC 功率電子
用於高可靠功率器件與嚴苛環境應用，採用 <strong>SiC</strong> 晶錠（PVT，4″–8″，4H/6H，N & SI），並實現 <strong>MPD < 1/cm²</strong>，支撐穩定的 50mm 製造。
藍寶石 LED 照明
面向 LED/照明與藍寶石基板製備應用，選用 <strong>藍寶石（Al₂O₃）</strong> 晶錠（KY/EFG/HEM，2″–12″），提供 C/R/A-plane 並具備 <strong>無氣泡</strong>品質，支持 500mm 大規模加工。
科研與外延
支持複合半導體的實驗與外延層堆疊開發，可根據工藝選取合適的 <strong>GaAs</strong>（VGF/LEC，2″–6″，EPD < 5×10³/cm²）、<strong>InP</strong>（VGF/LEC，2″–4″，EPD < 5×10⁴/cm²）或 <strong>SiC</strong>（PVT，4″–8″，MPD < 1/cm²）晶錠。
航太級半導體
面向衛星通信與航太電子設備對耐用晶圓的需求，結合 <strong>GaAs</strong>（VGF/LEC，2″–6″，EPD < 5×10³/cm²，300mm）以及 <strong>InP</strong>（VGF/LEC，2″–4″，EPD < 5×10⁴/cm²，200mm）用於光子整合。
工業晶圓量產
用於複合材料晶錠的規模化量產：<strong>SiC</strong>（PVT，4″–8″，4H/6H，N & SI，MPD < 1/cm²）支持可靠的 50mm 加工；<strong>藍寶石</strong>（KY/EFG/HEM，2″–12″，無氣泡）為 500mm 供基板提供穩定原料。
化合物基板供給
匹配化合物半導體工廠與晶圓製造需求，提供 <strong>GaAs</strong>（VGF/LEC，2″–6″，SI/N/P 型，EPD < 5×10³/cm²）、<strong>InP</strong>（VGF/LEC，2″–4″，N 型/SI，EPD < 5×10⁴/cm²）、<strong>SiC</strong>（PVT，4″–8″，MPD < 1/cm²）以及 <strong>藍寶石</strong>（KY/EFG/HEM，2″–12″，無氣泡），以簡化採購與供貨。
品質與認證
每一根晶錠皆附完整 CoA 與可追溯記錄。文件包含 XRD、EPD 與電阻率映射（依材料適用項目），協助穩定製程與品質驗證。
技術規格表（關鍵參數）
| 參數 | 規格 / 數值 |
|---|---|
| GaAs 晶錠 | VGF/LEC, 2″ – 6″ diameter, SI / N-type / P-type, EPD ＜ 5×10³/cm², up to 300mm length |
| InP 晶錠 | VGF/LEC, 2″ – 4″ diameter, N-type SI available, EPD ＜ 5×10⁴/cm², up to 200mm length |
| SiC 晶錠 | PVT, 4″ – 8″ diameter, 4H-SiC & 6H-SiC, N-type & SI, MPD ＜ 1/cm², up to 50mm thickness |
| 藍寶石晶錠 | Kyropoulos / EFG / HEM, 2″ – 12″ diameter, C/R/A-plane, bubble-free, up to 500mm length |
| 摻雜濃度 | Per material specification and customer requirement |
| 晶體取向 | On-axis or off-axis per specification |
| 表面 | As-grown, ground, oriented flats/notches |
| 品質文件 | Full CoA including XRD, EPD, resistivity mapping for each ingot |
| 可追溯性 | Unique ingot ID, growth run history, seed lineage |
| 包裝 | Custom crate with vibration isolation, nitrogen-purged container for hygroscopic materials (InP) |
| 合規標準 | SEMI Standards, RoHS, REACH, Conflict Minerals |