其他材料
用於需要特殊性能的應用的專用基板 — 陶瓷、壓電晶體、紅外材料、鑽石和柔性聚合物。
概述
除了標準矽和常見的化合物半導體外，許多器件技術需要具有獨特電學、熱學、光學或壓電特性組合的特殊基板材料。無論您是在鈮酸鋰上開發SAW濾波器、在鑽石上開發高功率器件，還是在聚合物薄膜上開發柔性電子產品，我們都能從全球合格的晶體生長商和材料供應商採購難以找到的材料。
材料目錄
氧化鋁（Al₂O₃）
高強度陶瓷基板，具有優異的電絕緣性。提供96%和99.6%純度等級。適用於厚膜電路、混合微電子和高溫電子產品。
- Hardness: 14–16 GPa
- Thermal conductivity: 20–30 W/m·K
- CTE: 3.2 ppm/K
- Dielectric constant: 7.5–8.0 at 1 MHz
氮化鋁（AlN）
高導熱陶瓷（170 W/m·K），熱膨脹係數與矽緊密匹配。無毒替代BeO的熱管理應用材料。
- Purity: 96%, 99.6%
- Thermal conductivity: 24–30 W/m·K
- Dielectric strength: > 15 kV/mm
- Surface roughness: as-fired or polished (< 0.1μm Ra)
硼矽酸鹽玻璃
CTE與矽匹配（3.2 ppm/K）。適用於與矽晶圓的陽極鍵合。優異的耐化學性和光學透明度，用於MEMS和微流體。
- CTE: 3.2 ppm/K (silicon-matched)
- Strain point: 510°C
- High chemical durability
- Available with patterned cavities
鍺（Ge）
高電子遷移率（3900 cm²/V·s）。用於多接面太陽能電池、紅外光學，以及作為需要晶格匹配的III-V族磊晶生長的基板。
- Bandgap: 0.66 eV (indirect)
- Electron mobility: 3900 cm²/V·s
- Diameter: 50mm, 100mm, 150mm
- N-type, P-type, and intrinsic available
ZnSe和ZnS
寬頻紅外透明材料，用於光學窗口和透鏡。ZnSe傳輸範圍0.6–16μm；ZnS傳輸範圍0.4–12μm。提供拋光光學窗口和晶圓基板。
- ZnSe transmission: 0.6–16μm
- ZnS transmission: 0.4–12μm
- High laser damage threshold
- Available as polished optical windows and wafers
LiNbO₃和LiTaO₃
具有強壓電和電光特性的鐵電單晶基板。提供3″、4″和6″晶圓，光學級和SAW級拋光。
- Electro-optic coefficient r₃₃: LiNbO₃ 30.8 pm/V
- Curie temp: 1142°C (LiNbO₃), 610°C (LiTaO₃)
- Available as 3″, 4″, 6″ wafers
- Optical-grade and SAW-grade polish
鑽石
CVD單晶或多晶鑽石基板，具有已知材料中最高的導熱率（> 1800 W/m·K）。極高的介電強度和輻射硬度，適用於最嚴苛的應用。
- Thermal conductivity: > 1800 W/m·K
- Dielectric breakdown: > 10 MV/cm
- Available up to 2″ wafer sizes
- Optical-grade and thermal-grade available
柔性聚合物
聚酰亞胺和LCP（液晶聚合物）薄膜，用於柔性電子產品。PI耐溫至400°C，低吸濕性，優異的介電性能，適用於高頻應用。
- Polyimide: rated to 400°C
- LCP: low moisture absorption, low RF loss
- Thickness: 12.5μm–125μm
- Available with or without adhesive layers
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不像大型材料製造商有高最低訂購量，我們服務需要單片晶圓或少量研究數量的研發團隊和新創公司。評估樣品無最低訂購量。