基板
MEMS 製程
晶圓再生
配件耗材
應用領域 & 資源
商店 關於我們
> 90%碎片減少
Bullet · T-Type · Custom邊緣輪廓
100–300mm晶圓直徑
< 0.1μm Ra拋光表面

概述

邊緣研磨將鋸切或研磨後的晶圓邊緣轉變為符合SEMI M1標準的精密加工倒角輪廓。沒有適當的邊緣處理,晶圓會產生顆粒污染,邊緣碎裂擴展到有效區域,並在熱處理中面臨破裂風險。

GINECHIP涵蓋全面需求:子彈/對稱輪廓用於機器人處理,T型平頂輪廓用於大晶粒應用,符合SEMI M1的精密缺口/平坦面加工,以及研磨後邊緣拋光。多步驟製程——粗磨→精磨→拋光→清洗——提供可測量的良率改善。

邊緣研磨服務

子彈/圓形輪廓研磨

對稱子彈/圓形邊緣輪廓,符合SEMI M1。邊緣半徑200–400μm。碎片減少>90%。針對機器人處理優化。100–300mm晶圓。

Bullet/symmetric round profileEdge radius: 200–400μm typicalChipping reduction: > 90%Applicable: 100–300mm wafersSEMI M1-0312 compliantRobot handling optimized

T型/平頂輪廓

平頂T型輪廓,最大化可用晶圓面積。邊緣排除區低至1mm。針對大晶粒和圖像傳感器應用優化。精密金剛石研磨,附輪廓計量。

T-type/flat apex profileEdge exclusion: down to 1mmMaximized usable wafer areaLarge-die / image sensor optimizedPrecision diamond grindingProfile metrology included

缺口與平坦面研磨

SEMI M1合規缺口(1.00 ± 0.25mm,90° ± 5°)和平坦面加工。主平坦面和次平坦面用於定向和摻雜類型標識。

Notch: SEMI M1 compliantNotch depth: 1.00 ± 0.25mmNotch angle: 90° ± 5°Flat: SEMI M1 compliantPrimary flat width: per specSecondary flat (n/p type ID)

邊緣拋光

研磨後CMP邊緣拋光,達到Ra < 0.1μm。顆粒減少>80%。提高外延沉積質量。改善鍵合界面。

Edge Ra: < 0.1μm (post-polish)Particle reduction: > 80%Enhanced epi quality at edgeBonding interface improvementCMP edge polishing availableAll wafer diameters

倒角與自定義輪廓

倒角角度15°–45°,寬度控制至±25μm。針對薄晶圓和3D-IC/TSV優化。按規格自定義輪廓。

Chamfer angle: 15°–45°Chamfer width: controlled to ±25μmTransition radius: specifiedThin wafer handling optimized3D-IC / TSV compatibleCustom profiles available

邊緣研磨製程流程

01

進料檢查與計量

使用光學比較儀和雷射輪廓儀測量來料邊緣。記錄邊緣狀態。分配批次追溯。

02

粗磨(粗輪廓加工)

金剛石砂輪粒度800–1,200去除大量材料。高材料去除率,受控進給。DI水冷卻。在線光學監控。

03

精磨(精密加工)

更細金剛石砂輪粒度2,000–4,000精加工表面。降低進給率。通過在線雷射輪廓儀驗證邊緣半徑和倒角。

04

缺口與平坦面加工

專用缺口和平坦面研磨工具。SEMI M1輪廓:深度1.00 ± 0.25mm,角度90° ± 5°。受控平坦面寬度和角度方向。

05

邊緣拋光

使用氧化鈰或膠體矽漿料進行CMP或機械邊緣拋光。去除次表面損傷。Ra < 0.1μm。拋光後光學檢查。

06

清洗與最終檢查

兆聲波清洗去除研磨屑和殘留物。最終邊緣輪廓驗證。表面粗糙度測量。文件和包裝。

邊緣研磨品質規格

參數目標規格測量方法
Edge Radius200–400μm (bullet)Laser Profilometer
Chamfer Angle15°–45° ± 1°Laser Profilometer
Edge Exclusion< 1mm (T-type), < 3mm (bullet)Optical Comparator
Edge Roughness (Ra)< 0.1μm (polished), < 0.5μm (ground)AFM / Optical Profiler
Notch Depth1.00 ± 0.25mmOptical Comparator
Notch Angle90° ± 5°Optical Comparator
Edge Chipping< 0.3mm depth, < 3/10mm densityOptical Microscope
Particle Adders< 10 @ 0.2μm (post-clean)Wafer Surface Scanner

每個批次驗證所有規格。包含完整計量報告和合格證書。

邊緣輪廓選擇指南

子彈/對稱輪廓

子彈輪廓是行業標準對稱邊緣輪廓(SEMI M1)。從正面到背面平滑半徑,最大化機器人處理可靠性。邊緣半徑:通常200–400μm。

T型/平頂輪廓

T型輪廓具有平頂和倒角過渡,通過最小化邊緣排除區來最大化可用晶圓面積。對大晶粒應用(圖像傳感器、功率器件)至關重要。

邊緣品質與檢查標準

邊緣碎裂控制

邊緣碎裂是主要缺陷模式。我們的研磨製程相對於鋸切邊緣減少碎裂超過90%。按SEMI M1分類:

最大碎片深度:< 0.3mm 碎片密度:< 3個/10mm 符合 SEMI M1-0312

邊緣顆粒生成

研磨不當的晶圓邊緣是顆粒污染的重要來源。我們的拋光邊緣表面達到:

邊緣 Ra:< 0.1μm 顆粒減少:> 80% Class 5 無塵室處理

薄晶圓邊緣研磨

厚度低於200μm的晶圓面臨獨特挑戰:降低的剛度增加破裂風險,熱效應導致翹曲。我們的製程使用降低的研磨力、優化的砂輪粒度和在線監控,可安全處理至50μm。

對於超薄晶圓(50–100μm),我們提供支撐研磨,暫時鍵合到剛性載體上,消除邊緣應力集中。

缺口與平坦面研磨

缺口按SEMI M1研磨(深度1.00 ± 0.25mm,角度90° ± 5°)。主/次平坦面具有受控寬度和角度方向。次平坦面根據SEMI M1標識摻雜類型。

邊緣檢查與計量

每個研磨邊緣經過三級檢查:(1) 50–200×光學顯微鏡缺陷檢測,(2) 雷射輪廓定量測量,(3) AFM表面粗糙度測量。每次出貨附完整計量報告。

需要精密邊緣研磨?

指定您的晶圓直徑、目標邊緣輪廓和數量——24小時內提供詳細報價。

ISO 9001 認證 SEMI M1 合規 邊緣輪廓測量 Class 5 無塵室