基板 · 材料
晶錠與批量銷售
半導體晶錠、晶棒和批量基板，供應晶圓製造商、研發代工廠和大規模生產線。
Silicon · GaAs · InP · SiC · Sapphire晶錠材料類型
CZ · FZ · LEC · VGF · Kyropoulos生長方式
2″–18″ Diameter晶錠尺寸範圍
1 Ingot to Truckload批量彈性
概述
對於擁有自有切割、研磨和拋光線的客戶，批量採購晶錠相比成品晶圓具有顯著成本優勢。GINECHIP直接從晶體生長廠供應矽錠、化合物半導體晶棒和批量晶體材料 — 省去中間加工成本，為您的下游製造提供最大靈活性。
我們在晶體生長商和晶圓製造商之間架起橋樑，提供完整的晶錠認證（電阻率曲線、壽命映射、晶體取向驗證）和靈活的物流，運輸範圍從單一研發晶錠到多噸級生產批量。
產品類別
矽晶錠
CZ矽晶錠
直拉法生長的單晶矽錠，用於標準半導體和太陽能級應用。提供所有標準直徑，具有嚴格電阻率控制。
- 直徑：100mm–300mm（4″–12″），可客製至450mm
- 類型：P型（硼）、N型（磷/銻）
- 電阻率：0.001–100 Ω·cm（CZ），可提供更寬範圍
- 晶向：〈100〉、〈111〉、〈110〉
- 氧含量：12–18 ppma（ASTM F121），或客戶指定
- 碳含量：< 0.5 ppma（標準），< 0.1 ppma（低碳）
- 壽命：> 100 μs（標準），> 1000 μs（高壽命）
FZ矽晶錠
浮區精煉超高純度矽，用於功率器件、探測器和射頻應用。近乎零氧含量，具有卓越的電阻率均勻性。
- 直徑：100mm–200mm（4″–8″）
- 類型：N型（磷）、P型（硼）
- 電阻率：1–10,000 Ω·cm（N型），1,000–20,000+ Ω·cm（P型）
- 氧含量：< 0.2 ppma
- 碳含量：< 0.1 ppma
- 壽命：> 1000 μs（標準），> 5000 μs（高壽命）
- 適用於：IGBT、功率MOSFET、射頻PIN二極體、輻射探測器
化合物半導體晶棒
GaAs晶棒
LEC或VGF生長的半絕緣或摻雜GaAs單晶晶棒，用於射頻和光電器件製造。
- 直徑：2″–6″
- SI-GaAs（ρ > 10⁷ Ω·cm）、N型、P型
- EPD：< 5×10³/cm²（LEC），< 500/cm²（VGF）
- 可提供完整晶棒或切割段
InP晶棒
LEC生長的鐵摻雜半絕緣或硫摻雜N型InP單晶，用於光子學和毫米波應用。
- 直徑：2″–4″
- SI-InP（鐵摻雜）、N型（硫摻雜）
- EPD：< 5×10⁴/cm²
- 晶棒長度可達200mm
SiC晶棒
PVT生長的4H-SiC和6H-SiC單晶晶棒。嚴格的微管密度控制，適用於功率器件級材料。
- 直徑：100mm、150mm
- 4H-SiC：N型、SI、V摻雜SI
- MPD：< 1/cm²，優質級 < 0.1/cm²
- 完整晶棒或切片段
批量晶圓供應計劃
對於需要大量成品晶圓但希望享受批量採購經濟效益的客戶，我們的批量晶圓供應計劃提供顯著的價格優勢：
批量折扣等級
- 等級1：每批25–100片晶圓
- 等級2：每批101–500片晶圓
- 等級3：每批501–2,000片晶圓
- 等級4：每批2,001+片晶圓（客製定價）
計劃優勢
- 批次級定價，公開發佈折扣結構
- 預留產能，按計劃交貨
- 大客戶專屬客戶經理
- 按您的規格客製包裝和標籤
- 季度業務審查，持續改進
供應鏈服務
- 供應商管理庫存（VMI）計劃
- 即時交貨，48小時交貨週期
- 區域倉儲（亞洲、歐洲、北美）
- 可提供寄售庫存安排
品質與認證
每個晶錠或晶棒附帶全面的分析證書，包括：
軸向電阻率曲線 — 全長四點探針掃描或渦電流測量
徑向電阻率圖 — 指定位置的橫截面映射
少數載流子壽命 — μ-PCD或QSSPC測量
晶體取向 — X射線勞厄或XRD驗證
氧/碳含量 — 依照ASTM F121/F1391的FTIR分析
位錯密度 — 擇優蝕刻EPD（ASTM F47）
微管密度（SiC）— KOH蝕刻或PL成像
目視檢查 — 表面品質、裂紋、夾雜物、孿晶