RF與功率器件 — GaAs、GaN、SiC基板 | GINECHIP

RF/功率平台技術

GaAs/GaN/SiC材料

50mm–200mm產能

ISO 9001:2015認證

概述

射頻和功率器件是5G通訊、雷達系統和電源管理的核心組件。GINECHIP提供全面的RF和功率器件基板解決方案，涵蓋GaAs、GaN-on-SiC、4H-SiC和RF-SOI等多種材料平台，支援從手機功率放大器到基地台GaN HEMT的各種應用。

我們提供業界領先的品質和精度，確保您的RF和功率器件實現最佳性能。

RF技術

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Substrates: Semi-insulating GaAsDiameters: 100mm, 150mmPAE: 40–55% for PAsFrequency: 600MHz–6GHz (sub-7)EPD < 5×10³/cm²Epi-ready or patterned

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Substrate: GaN-on-SiC (4H, 6H)Ft/Fmax: 30/80+ GHzPower density: 5–10 W/mmPAE: 50–65% (Doherty PA)Voltage: 28V, 48V railsDiameters: 100mm, 150mm

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Substrate: HR-SOI (> 1kΩ·cm)R₀n·C₀ff < 200 fsHarmonics: < −80 dBm (2nd/3rd)Device layer: 50–200nmDiameters: 200mm, 300mmTrap-rich interface option

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Substrate: HR-Si (111)AlGaN/GaN HEMT epiFrequency: DC–6 GHzDiameters: 150mm, 200mmBuffer: AlN/AlGaN transitionLower cost vs SiC

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Substrates: HR-Si, glassInductors: Q > 40 @ 2GHzCapacitors: 0.1–100pF, ±2%MIM: Si₃N₄ or Al₂O₃ dielectricResistors: NiCr, TaN thin-filmPassivation: SiN/BCB

功率技術

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rfPowerDevices.pwr1Desc

Substrate: 4H-SiC (N-type)Voltage: 650V–3.3kVRDS(on): < 15 mΩ·cm² (1200V)Micropipe density < 0.5/cm²Diameters: 100mm, 150mmEpi-ready surface finish

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Substrate: Si (111) 200mmVoltage: 100V–650VRDS(on): < 50 mΩ @ 650VGate: p-GaN enhancement modeSwitching: > 1 MHz capabilityCascode and e-mode options

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Substrate: FZ-Si (N-type)Voltage: 600V–6.5kV (IGBT)FZ oxygen: < 0.2 ppmaDiameters: 150mm, 200mmCustom resistivity availableNeutron transmutation doping

材料比較

參數	GaAs	GaN-on-SiC	RF-SOI	4H-SiC
能隙	1.42	3.39	1.12	3.26
臨界電場	0.4	3.3	0.3	2.8
遷移率	8,500	2,000 (2DEG)	1,400	1,000
缺陷密度	N/A	~1×10¹³	N/A	N/A
熱導率	0.55	4.9 (SiC)	1.5	4.9
電阻率	>10⁷	>10⁵ (SiC)	>1,000	0.015–0.028
最大頻率	100+ GHz	100+ GHz	~6 GHz	N/A (power)
目標應用	PA, Switch	mmWave PA	Switch, Tuner	MOSFET, Diode

以上為典型值，實際規格取決於具體產品和應用需求。

應用領域

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外延品質

外延層通過光致發光掃描、霍爾效應量測和X射線衍射進行表徵。我們確保外延層厚度均勻性在2%以內，摻雜濃度均勻性在5%以內。

供應鏈

我們的全球供應鏈網路確保穩定可靠的基板供應。我們與領先的晶圓製造商建立了長期合作關係，並維持充足的庫存以滿足您的生產需求。

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