RF 與功率器件
用於RF前端模組和功率放大器的GaAs、GaN-on-SiC和SOI基板。
概述
射頻和功率器件是5G通訊、雷達系統和電源管理的核心組件。GINECHIP提供全面的RF和功率器件基板解決方案，涵蓋GaAs、GaN-on-SiC、4H-SiC和RF-SOI等多種材料平台，支援從手機功率放大器到基地台GaN HEMT的各種應用。
我們提供業界領先的品質和精度，確保您的RF和功率器件實現最佳性能。
RF技術
半絕緣砷化鎵
半絕緣砷化鎵基板，適用於7GHz以下功率放大器與開關MMIC，提供100mm與150mm直徑的外延就緒或預圖案化規格。
GaN-on-SiC HEMT
高電子遷移率GaN-on-SiC磊晶，功率密度達5–10 W/mm，Doherty放大器配置下PAE達50–65%，適用於毫米波與Sub-6GHz基礎設施。
RF-SOI（富陷阱型）
高電阻率SOI搭配可選的富陷阱介面層，最大程度降低諧波失真與基板損耗，適用於RF開關與天線調諧IC。
GaN-on-Si（RF用）
在高電阻率矽（111）基板上進行AlGaN/GaN HEMT磊晶，為DC–6GHz功率與RF應用提供比GaN-on-SiC更具成本效益的替代方案。
整合被動元件（IPD）基板
在高電阻率矽或玻璃基板上製作高Q值電感器、精密MIM電容器與薄膜電阻器，適用於小型RF前端匹配網路。
功率技術
4H-SiC功率基板
N型導電碳化矽基板，適用於650V–3.3kV SiC MOSFET與二極體製造，微管密度低於0.5 cm⁻²，確保高元件良率。
GaN功率基板
200mm矽（111）平台，適用於p-GaN增強型功率HEMT，支援100–650V電壓等級與1MHz以上的開關頻率。
IGBT/閘流體用FZ矽
浮區矽材料採用中子嬗變摻雜技術，氧含量極低，適用於600V–6.5kV IGBT、閘流體與大功率二極體製造。
材料比較
| 參數 | GaAs | GaN-on-SiC | RF-SOI | 4H-SiC |
|---|---|---|---|---|
| 能隙 | 1.42 | 3.39 | 1.12 | 3.26 |
| 臨界電場 | 0.4 | 3.3 | 0.3 | 2.8 |
| 遷移率 | 8,500 | 2,000 (2DEG) | 1,400 | 1,000 |
| 缺陷密度 | N/A | ~1×10¹³ | N/A | N/A |
| 熱導率 | 0.55 | 4.9 (SiC) | 1.5 | 4.9 |
| 電阻率 | >10⁷ | >10⁵ (SiC) | >1,000 | 0.015–0.028 |
| 最大頻率 | 100+ GHz | 100+ GHz | ~6 GHz | N/A (power) |
| 目標應用 | PA, Switch | mmWave PA | Switch, Tuner | MOSFET, Diode |
以上為典型值，實際規格取決於具體產品和應用需求。
應用領域
GaN-on-SiC與LDMOS就緒基板為5G大規模MIMO與毫米波基地台的高效能放大器提供動力。
4H-SiC MOSFET基板可提升電動車牽引逆變器與車載充電器的開關頻率並降低損耗。
GaN-on-SiC與半絕緣砷化鎵基板支援雷達與衛星通訊系統中所使用的高功率、高頻放大器。
SiC與FZ矽功率基板可提升太陽能逆變器、風力發電轉換器與電網級儲能系統的轉換效率。
RF-SOI與砷化鎵基板構成現代智慧型手機RF前端模組中的開關、低雜訊放大器與功率放大器。
GaN與SiC功率元件可降低工業馬達驅動與電源設計中的開關損耗，並縮小被動元件尺寸。
外延品質
外延層通過光致發光掃描、霍爾效應量測和X射線衍射進行表徵。我們確保外延層厚度均勻性在2%以內，摻雜濃度均勻性在5%以內。
供應鏈
我們的全球供應鏈網路確保穩定可靠的基板供應。我們與領先的晶圓製造商建立了長期合作關係，並維持充足的庫存以滿足您的生產需求。