光阻劑與化學品
用於半導體製造的正型和負型光阻劑。包括顯影劑、去除劑和輔助化學品，適用於i-line、DUV和EUV製程。
概述
光微影模組需消耗多樣化的特種化學品——而光阻、顯影液與輔助化學品的選擇，是任何半導體製程流程中影響最為深遠的決策之一。正確的光阻能帶來解析度、側壁輪廓與製程寬容度；錯誤的光阻則會浪費晶圓。GINECHIP 供應光微影所需的完整化學品系列：光阻、顯影液、附著促進劑、邊緣去膠液與去膠液——貨源來自全球領先製造商，具備完整批次追溯能力，並可依需求提供冷鏈物流。
我們的光阻產品組合涵蓋所有主流微影平台：i 線（365nm）DNQ-酚醛樹脂光阻，適用於主流 MEMS 與微電子；DUV（248nm）化學放大光阻，適用於亞四分之一微米圖案化；電子束光阻（PMMA、ZEP、HSQ），適用於奈米微影與光罩直寫；以及 SU-8 與厚膜正型光阻，適用於 MEMS、微流體與晶圓級封裝等需要 200μm 以上膜厚的應用。
光阻系列與選擇指南
正型 i 線（DNQ-酚醛樹脂）
半導體製造中最廣泛使用的光阻類型。DNQ（重氮萘醌）光活性化合物分散於酚醛樹脂基質中。曝光區域會在 TMAH 水性顯影液中溶解。具備優異的解析度、熱穩定性與抗蝕刻性。
- 解析度：0.35–1.0μm（i 線步進機）
- 膜厚：0.5–5μm（單次塗佈）
- 顯影液：0.26N 或 2.38% TMAH（標準）
- 製程寬容度大，適合量產
負型 i 線 / 寬頻
交聯型負型光阻，曝光區域會聚合並變得不可溶。一般而言，相較於正型光阻，具備更優異的附著力、更寬的製程窗口與更佳的抗化學性——代價是解析度略低。
- 解析度：0.5–2.0μm
- 對金屬與 III-V 族基板具備優異附著力
- 極適合剝離（lift-off）製程（倒梯形輪廓）
- 適合電鑄模具與蝕刻遮罩
SU-8（環氧樹脂負型）
厚膜環氧樹脂光阻，單次塗佈即可達到 1μm 至 200μm 以上的厚度，並具備近乎垂直的側壁。是 MEMS 結構層、微流體通道與高深寬比永久性結構的標準選擇。
- 厚度：1μm–200μm+（單次或多次塗佈）
- 可實現超過 20:1 的深寬比
- 硬烤後具備優異的化學與熱穩定性
- 顯影液：PGMEA（SU-8 顯影液）
電子束光阻（PMMA、ZEP、HSQ）
適用於電子束微影系統的超高解析度光阻。PMMA（正型）是 sub-50nm 圖案化的黃金標準。ZEP（正型）具備更高的感度與抗蝕刻性。HSQ（負型）提供卓越的解析度，並可作為可直寫圖案化的類 SiO₂ 材料。
- 解析度：< 10nm（HSQ）、< 30nm（PMMA）
- 顯影液：MIBK:IPA（PMMA）、ZED-N50（ZEP）、TMAH（HSQ）
- 適用於光罩直寫、奈米光子學與研究
- 可提供高純度等級——金屬 < 10 ppb
技術規格
| 參數 | 可選範圍 / 數值 |
|---|---|
| 光阻類型 | 正型（DNQ-酚醛樹脂）、負型（交聯型）、化學放大型（CA）、SU-8（環氧樹脂）、PMMA（電子束）、乾膜光阻 |
| 曝光波長 | g 線（436nm）、h 線（405nm）、i 線（365nm）、寬頻（350–450nm）、DUV（248nm）、193nm、電子束、X 射線 |
| 膜厚範圍 | 標準：0.3μm–5μm（單次塗佈）；厚膜光阻：5μm–200μm（SU-8，多次塗佈）；超薄：50nm–300nm |
| 極性 | 正型（曝光區域溶解）、負型（曝光區域交聯並保留）、圖像反轉 |
| 顯影液 | TMAH（0.26N、2.38%）、KOH 系、MIBK:IPA（PMMA）、PGMEA（SU-8）、客製化顯影液配方 |
| 附著促進劑 | HMDS（六甲基二矽氮烷）— 氣相塗底與旋塗；AP3000、AP8000、OmniCoat |
| 邊緣去膠液 | PGMEA、丙酮、EBR 專用溶劑；與所有常見光阻系列相容 |
| 去膠液 | NMP（N-甲基-2-吡咯烷酮）、DMSO 系、丙酮、Remover PG、電漿 O₂ 灰化、食人魚清洗液（H₂SO₄:H₂O₂） |
| 基板相容性 | 矽、SiO₂、SiN、GaAs、InP、玻璃、藍寶石、金屬（Al、Cu、Au、Ti）、聚合物 |
| 保存期限 | 通常為 6–12 個月（4–25°C，冷藏保存）；標註日期批號；可提供冷鏈運輸 |
| 包裝 | 100mL、250mL、500mL、1L、1 加侖琥珀色玻璃瓶或 HDPE 瓶；高純度產品採用 NowPak 袋中瓶包裝 |
輔助微影化學品
顯影液
- TMAH（四甲基氫氧化銨）——不含金屬離子的顯影液；0.26N（2.38%）為 i 線正型光阻的標準濃度。IC 級純度，金屬污染 < 1 ppb。
- KOH 系顯影液——對特定光阻系列具備更高選擇比；金屬離子含量較高——不適用於 CMOS 前段製程。
- MIBK:IPA（1:3）——PMMA 電子束光阻的標準顯影液；溫控顯影以獲得最佳對比度。
- PGMEA（SU-8 顯影液）——針對 SU-8 製程優化的顯影液，具備可控的溶解速率。
HMDS 與附著促進劑
- HMDS 氣相塗底——透過氣相塗底爐或加熱板施加六甲基二矽氮烷。藉由將表面羥基（-OH）轉換為疏水性三甲基矽烷基，促進附著力。
- HMDS 旋塗（液態）——氣相塗底的替代方案；在光阻塗佈前進行滴塗與旋轉。
- AP3000 / AP8000——適用於難處理基板（金屬、III-V 族半導體、聚合物）的先進附著促進劑。
- OmniCoat——旋塗式通用附著促進劑，與 SU-8 及其他環氧樹脂光阻相容。
製程整合與兼容性
邊緣去膠液（EBR）
在旋轉塗佈期間於晶圓邊緣滴注的溶劑，用於去除晶圓周邊形成的光阻隆起邊緣。對於接觸式微影（可防止光罩污染）以及維持整片晶圓的 CD 均勻性至關重要。
抗反射塗層（BARC / TARC）
底部抗反射塗層（BARC）施加於光阻下方；頂部抗反射塗層（TARC）施加於上方。可抑制光阻膜中的駐波效應，從而改善 CD 控制並減少地形起伏造成的反射缺口。
光阻去膠液
溶劑型（NMP、DMSO、丙酮）與水性去膠液，用於蝕刻後與離子佈植後的光阻去除。電漿 O₂ 灰化後接濕式清洗，可完全去除不留殘留。食人魚清洗液用於最終的有機物去除。
應用
品質與認證
所有光阻與化學品均來自通過 ISO 9001:2015 認證的製造商，具備完整批次追溯能力並附分析證書（CoA）。針對 CMOS 級應用，可提供 Na、K、Fe、Cu 污染 < 1 ppb 的不含金屬離子等級。對於溫度敏感產品，提供冷鏈運輸（2–8°C 冷藏運輸）。有效期限管理確保您收到的產品保有最大剩餘保存期限。溶劑型產品標配危險品運輸（符合 IATA/IMDG 規範）。