פוטורזיסטים וכימיקלים
פוטורזיסטים חיוביים ושליליים, מפתחים, מסירים.
סקירה כללית
מודול הפוטוליתוגרפיה צורך תיק מגוון של כימיקלים מיוחדים — והבחירה של פוטוריסט, מפתח וכימיקלים נלווים היא אחת ההחלטות בעלות ההשלכות הרבות ביותר בכל תהליך ייצור מוליכים למחצה. הריסט הנכון מספק רזולוציה, פרופיל דופן רוחבית ורוחב תהליך. הריסט הלא נכון מבזבז פרוסות. GINECHIP מספקת את מערך הכימיקלים המלא לפוטוליתוגרפיה: פוטוריסטים, מפתחים, מקדמי הידבקות, מסירי edge bead ומסירי ריסט — ממקורות של יצרנים גלובליים מובילים עם עקיבות מלאה של מנות וניהול שרשרת קרה במידת הצורך.
תיק הפוטוריסטים שלנו מכסה כל פלטפורמת ליתוגרפיה מרכזית: ריסטים DNQ-Novolac בקו i (365nm) ל-MEMS ואלקטרוניקה זעירה מהזרם המרכזי, ריסטים מוגברים כימית ב-DUV (248nm) לתבניות מתחת לרבע מיקרון, ריסטים לאלומת אלקטרונים (PMMA, ZEP, HSQ) לננוליתוגרפיה וכתיבת מסכות, ו-SU-8 וריסטים חיוביים עבים ל-MEMS, מיקרופלואידיקה ויישומי אריזת פרוסה הדורשים עובי סרט של עד 200μm או יותר.
משפחות פוטורזיסט ומדריך בחירה
קו i חיובי (DNQ-Novolac)
סוג הפוטוריסט הנפוץ ביותר בייצור מוליכים למחצה. תרכובת פוטואקטיבית DNQ (diazonaphthoquinone) במטריצת שרף נובולאק. אזורים חשופים נעשים מסיסים במפתח TMAH מימי. רזולוציה מעולה, יציבות תרמית ועמידות לחריטה.
- רזולוציה: 0.35–1.0μm (stepper קו i)
- עובי סרט: 0.5–5μm (ציפוי יחיד)
- מפתח: 0.26N או 2.38% TMAH (סטנדרטי)
- רוחב תהליך רחב לייצור
קו i שלילי / פס רחב
ריסטים שליליים מקושרים-צולבים שבהם אזורים חשופים עוברים פילמור ונעשים בלתי מסיסים. מציעים בדרך כלל הידבקות מעולה, חלון תהליך רחב יותר ועמידות כימית טובה יותר מריסטים חיוביים — במחיר רזולוציה נמוכה במעט.
- רזולוציה: 0.5–2.0μm
- הידבקות מעולה למתכות ולמצעי III-V
- מעולה לתהליכי lift-off (פרופיל חתוך-תחתית)
- טוב לתבניות ציפוי אלקטרוליטי ומסכות חריטה
SU-8 (שלילי מבוסס אפוקסי)
פוטוריסט אפוקסי לסרט עבה המאפשר עובי ציפוי יחיד מ-1μm ועד מעל 200μm עם דפנות כמעט אנכיות. הבחירה הסטנדרטית לשכבות מבניות ב-MEMS, תעלות מיקרופלואידיות ומבנים קבועים ביחס גובה-רוחב גבוה.
- עובי: 1μm–200μm+ (ציפוי יחיד או מרובה)
- ניתן להשיג יחסי גובה-רוחב העולים על 20:1
- יציבות כימית ותרמית מעולה לאחר hard bake
- מפתח: PGMEA (מפתח SU-8)
ריסט לאלומת אלקטרונים (PMMA, ZEP, HSQ)
ריסטים ברזולוציה גבוהה במיוחד למערכות ליתוגרפיית אלומת אלקטרונים. PMMA (חיובי) הוא תקן הזהב לתבניות מתחת ל-50nm. ZEP (חיובי) מציע רגישות גבוהה יותר ועמידות לחריטה. HSQ (שלילי) מספק רזולוציה יוצאת דופן ומשמש כחומר דמוי SiO₂ הניתן לתבנות ישירה.
- רזולוציה: < 10nm (HSQ), < 30nm (PMMA)
- מפתח: MIBK:IPA (PMMA), ZED-N50 (ZEP), TMAH (HSQ)
- לכתיבת מסכות, ננופוטוניקה ומחקר
- דרגות טוהר גבוה זמינות — מתכות < 10 ppb
מפרטים טכניים
| פרמטר | טווח / ערכים זמינים |
|---|---|
| סוג פוטוריסט | חיובי (DNQ-Novolac), שלילי (מקושר-צולב), מוגבר כימית (CA), SU-8 (מבוסס אפוקסי), PMMA (אלומת אלקטרונים), ריסט סרט יבש |
| אורך גל חשיפה | קו g (436nm), קו h (405nm), קו i (365nm), פס רחב (350–450nm), DUV (248nm), 193nm, אלומת אלקטרונים, קרני רנטגן |
| טווח עובי הסרט | סטנדרטי: 0.3μm–5μm (ציפוי יחיד); ריסט עבה: 5μm–200μm (SU-8, ציפויים מרובים); דק במיוחד: 50nm–300nm |
| קוטביות | חיובי (אזורים חשופים מתמוססים), שלילי (אזורים חשופים מקושרים-צולבים ונשארים), היפוך תמונה |
| מפתח | TMAH (0.26N, 2.38%), מבוסס KOH, MIBK:IPA (PMMA), PGMEA (SU-8), תבניות מפתח מותאמות אישית |
| מקדם הידבקות | HMDS (hexamethyldisilazane) — אידוי מוקדם ו-spin-on; AP3000, AP8000, OmniCoat |
| מסיר Edge Bead | PGMEA, אצטון, ממסים ייעודיים ל-EBR; תואם לכל משפחות הפוטוריסט הנפוצות |
| מסיר ריסט (Stripper) | NMP (N-Methyl-2-pyrrolidone), מבוסס DMSO, אצטון, Remover PG, מאפר פלזמה O₂, פיראנה (H₂SO₄:H₂O₂) |
| תאימות מצע | סיליקון, SiO₂, SiN, GaAs, InP, זכוכית, ספיר, מתכות (Al, Cu, Au, Ti), פולימרים |
| חיי מדף | בדרך כלל 6–12 חודשים ב-4–25°C (אחסון בקירור); מסומן בתאריך; משלוח בשרשרת קרה זמין |
| אריזה | 100mL, 250mL, 500mL, 1L, 1 גלון בקבוקי זכוכית ענברית או HDPE; NowPak bag-in-bottle לטוהר גבוה |
כימיקלים נלווים לליתוגרפיה
מפתחים
- TMAH (טטרמתילאמוניום הידרוקסיד) — מפתח נטול יוני מתכת; ריכוז סטנדרטי 0.26N (2.38%) לריסטים חיוביים בקו i. טוהר בדרגת IC עם זיהום מתכת < 1 ppb.
- מפתחים מבוססי KOH — סלקטיביות גבוהה יותר למשפחות ריסט מסוימות; תכולת יוני מתכת גבוהה יותר — לא מתאים ל-front-end של CMOS.
- MIBK:IPA (1:3) — מפתח סטנדרטי לריסט PMMA לאלומת אלקטרונים; פיתוח מבוקר טמפרטורה לקונטרסט מיטבי.
- PGMEA (מפתח SU-8) — מפתח מותאם לעיבוד SU-8 עם קצב התמוססות מבוקר.
HMDS ומקדמי הידבקות
- אידוי מוקדם של HMDS — hexamethyldisilazane המיושם באמצעות תנור אידוי מוקדם או פלטה חמה. מקדם הידבקות על ידי המרת קבוצות הידרוקסיל פני-שטחיות (-OH) לקבוצות טרימתילסיליל הידרופוביות.
- HMDS Spin-On (נוזלי) — חלופה לאידוי מוקדם; מזלפים ומסובבים לפני ציפוי הריסט.
- AP3000 / AP8000 — מקדמי הידבקות מתקדמים למצעים מאתגרים (מתכות, מוליכים למחצה III-V, פולימרים).
- OmniCoat — מקדם הידבקות אוניברסלי ב-spin-on, תואם ל-SU-8 ולריסטים אפוקסיים אחרים.
אינטגרציית תהליך
מסירי Edge Bead (EBR)
ממס הנפלט בקצה הפרוסה במהלך ציפוי ספין להסרת תלמי הריסט המוגבה הנוצר בהיקף הפרוסה. חיוני לליתוגרפיית מגע (מונע זיהום מסכה) ולשמירה על אחידות CD על פני הפרוסה.
ציפויים אנטי-רפלקטיביים (BARC / TARC)
ציפוי אנטי-רפלקטיבי תחתון (BARC) המיושם מתחת לריסט; ציפוי אנטי-רפלקטיבי עליון (TARC) המיושם מעל. מדכאים אפקטי גל עומד בסרט הריסט לשיפור בקרת CD והפחתת ניצבות רפלקטיבית מעל הטופוגרפיה.
מסירי ריסט
מסירים מבוססי ממס (NMP, DMSO, אצטון) ומבוססי מים להסרת ריסט לאחר חריטה ולאחר השתלה. מאפר פלזמה O₂ ואחריו ניקוי רטוב להסרה מלאה נטולת שאריות. ניקוי פיראנה להסרה מוחלטת של חומרים אורגניים.
יישומים
איכות והסמכה
כל הפוטוריסטים והכימיקלים מגיעים מיצרנים בעלי הסמכת ISO 9001:2015 עם עקיבות מלאה של מנות ותעודת ניתוח (CoA). ליישומים בדרגת CMOS, זמינות דרגות נטולות יוני מתכת עם זיהום Na, K, Fe ו-Cu של < 1 ppb. משלוח בשרשרת קרה (הובלה בקירור 2–8°C) מסופק למוצרים רגישים לטמפרטורה. ניהול תאריך תפוגה מבטיח שתקבלו מוצר עם חיי מדף מקסימליים שנותרו. משלוח חומרים מסוכנים (תואם IATA/IMDG) הוא סטנדרטי למוצרים מבוססי ממס.
צריך פוטורזיסטים?
ציין אורך גל, עובי, קוטביות, מצע. הצעת מחיר תוך 24 שעות.