פרוסות גליום ארסניד
GINECHIP מספקת פרוסות GaAs בקטרים 2″–6″, עם דופינג מבוקר (N-type Si, P-type Zn) וממשקים מוכנים לאפיטקסיה. קיימות אוריינטציות (100), (111)A, (111)B עם off-cut 2°–15°, ובצמיחה בשיטות VGF/LEC/HB.
סקירה כללית
ארסניד גליום (GaAs) הוא מוליך למחצה מרוכב עם פס מוליך-מוליך ישיר של 1.424 eV וניידות אלקטרונים גבוהה של 8,500 cm²/V·s.
אפשר לבחור אפשרויות מצע כולל SI ללא דופינג, Si מסוג N (10⁻³–10⁻¹ Ω·cm) ו- Zn מסוג P; זמינות האוריינטציות (100), (111)A ו-(111)B עם off-cut של 2°–15° וקטרים של 2″–6″.
משטחי Epi-Ready מכוונים ל- RMS <3Å לצורך מוכנות טובה לאפיטקסיה, ובהתאם ל- SEMI M1–M13 וכן RoHS, REACH ו-JEDEC.
מגרשי GaAs במצב Epi-Ready עם EPD עד <5×10²/cm² (UHP).
שיטות גידול גביש
אנו מגדלים GaAs באמצעות הטכניקות VGF, LEC ו-HB כדי לתמוך בדרישות שונות לאיכות ולהכנה לאפיטקסיה.
VGF פריים
התפוקה והאיכות הטובות ביותר
GaAs לפי VGF (Vertical Gradient Freeze) מיועד לצפיפות דיסלוקציות נמוכה ולהתנגדות גבוהה. הוא מספק את התפוקה והאיכות הטובות ביותר עבור יישומי מצע פוטוניים ו-RF, עם שליטה ב-EPD בטווח <5×10²–5×10³/cm².
LEC ווליום
ייצור נפח בשל
GaAs לפי LEC (Liquid-Encapsulated Czochralski) מותאם לייצור נפח בשל ולבקרת תהליך יציבה. הוא מתאים במיוחד לפרוסות בקטרים גדולים, עם EPD שבדרך כלל נמצא בטווח של 1–5×10⁴/cm² לביצוע נפחי טוב באופן כללי.
HB ספיישלטי
גאומטריות ייעודיות
GaAs לפי HB (Horizontal Bridgman) ניתן לספק עם פרוסות לא עגולות בצורת D עבור פקטורי-פורמה מיוחדים. דרגה זו מיועדת לגאומטריות ייעודיות ומתאימה ליישומים שבהם קווי המתאר של הפרוסה הם דרישה מרכזית, כאשר ה-EPD נשלט על <5×10³/cm².
השוואה בין שיטות גידול
השוו בין VGF, LEC ו-HB כדי להתאים את הבחירה לעדיפות שלכם, בין אם זה ביצועי EPD, יעדי התנגדות או תפוקה כוללת ליישומי אפיטקסיה.
VGF — המתאים ביותר לפוטוניקה ו-RF
VGF מסייע להשיג EPD נמוך, התנגדות גבוהה ותפוקה חזקה, ותומך בדרישות ל-GaAs מוכן לאפיטקסיה לייצור מתקדם של התקנים.
ייצור בנפח גבוה ב-LEC
LEC מספק ייצור בנפח גבוה ובשל עבור קטרים גדולים יותר של פרוסות GaAs, כדי לתמוך בייצור מדורג.
מומחיות HB (צורת D)
פרוסות HB משתמשות בגיאומטריות מיוחדות בצורת D ומציעות פורמטים לא עגולים עבור יישומים ייעודיים ופריסות מותאמות.
יישומי RF ומיקרוגל
GaAs מוליך-למחצה מאפשר התקנים בתדירות גבוהה עם הפסדים נמוכים עבור 5G, מכ"ם ולוויינים, כולל מגברי כוח ומגברי רעש נמוך.
מכשירי RF על GaAs מאפשרים ביצועים גבוהים במגברי הספק, מגברי רעש נמוך ומתגי RF למערכות תובעניות.
בזכות ניידות אלקטרונים של 8,500 cm²/V·s, GaAs מסייע להשיג ביצועים חזקים בתדרים גבוהים עבור יישומי 5G, מכ"ם ולוויינים.
GaAs חצי מבודד ל-Front-End RF עם אובדן נמוך
יישומים באופטואלקטרוניקה
ל-GaAs יש פס אסור ישיר של 1.424 eV, התומך בפליטה ובבליעה יעילות של אור עבור נוריות LED ודיאודות לייזר.
פרוסות GaAs מתאימות במיוחד לגלאים פוטואלקטריים וליישומי הדמיה, ומספקות ביצועים אמינים במערכות אופטיות תובעניות.
פרוסות GaAs תומכות בפוטוולטאיקה ובתאי שמש, וגם ממלאות תפקיד במערכות תקשורת אופטיות.
מפרטים טכניים
| פרמטר | טווח זמין |
|---|---|
| קוטר | 2″ (50.8mm), 3″ (76.2mm), 4″ (100mm), 6″ (150mm) |
| סוג מסמם | SI-Undoped, N-type Si-doped, P-type Zn-doped |
| התנגדות סגולית | SI: >10⁷ Ω·cm; N-type: 10⁻³–10⁻¹ Ω·cm |
| כיווניות גביש | (100), (111)A, (111)B, off-cut 2°–15° toward (110) |
| עובי | 350μm, 500μm, 625μm standard (custom on request) |
| ליטוש פני שטח | SSP, DSP, Epi-Ready — RMS < 3Å (AFM 5×5μm) |
| EPD (צפיפות בורות איכול) | < 5×10³/cm² (prime); < 5×10²/cm² (UHP grade) |
| TTV / בואו / ווארפ | TTV < 5μm, Bow < 10μm, Warp < 15μm |
| ניידות אלקטרונים (μₑ) | 8,500 cm²/V·s (undoped GaAs at 300K) |
| פער אנרגיה | 1.424 eV (direct, Γ-valley) |
| צפיפות דיסלוקציות | Grade-dependent: prime < 5×10³/cm²; UHP < 5×10²/cm² |
| שיטות גידול | VGF (Vertical Gradient Freeze), LEC (Liquid-Encapsulated Czochralski), HB (Horizontal Bridgman) |
| טיפול בצד אחורי | Etched, polished, or laser-marked per customer specification |
| סימון בלייזר | SEMI M12/M13 compliant: soft-mark on front or back side |
| שפה / חריץ | Per SEMI M1: EJ (EJ-standard) or US flat configuration |
| ספירת חלקיקים @ 0.3μm | ≤ 10 particles (laser surface scan, SEMI M53 equivalent) |
| אריזה | Vacuum-sealed single-wafer cassettes, Class 100 cleanroom |
| תאימות לתקנים | SEMI M1–M13, RoHS, REACH, JEDEC |
יישומים
מכשירי RF ומיקרוגל
GaAs חצי-מבודד מאפשר התקנים בתדר גבוה עם הפסדים נמוכים עבור 5G, מכ"מים ומגברי הספק.
נורות LED ואלקטרואופטיקה
פס-רוחב ישיר מאפשר פליטת אור יעילה ומסייע ליישומי LED ולרכיבים אלקטרואופטיים.
חיישני הדמיה ו-IR
פוטודיטקטורים של GaAs והדמיה אינפרא-אדומה נהנים מתכונות פס-המרווח הישיר.
מצעי פיתוח ומחקר
אוריינטציות מותאמות תומכות בצרכי המחקר, כולל אפשרויות כגון (100) וגרסאות (111).
תקשורת מהירה
יישומים דיגיטליים רחבי פס ובתדר גבוה יכולים להסתמך על תכונות GaAs לביצועים מהירים.
לוויין ותעופה וחלל
וופרי GaAs תומכים באלקטרוניקה עמידה לקרינה עבור מערכות לוויין ותעופה וחלל.
איכות והסמכה
פרוסות GaAs של GINECHIP מיוצרות לפי ISO 9001:2015 עם בדיקה של 100%, ומתאימות לסטנדרטים SEMI M1–M13 ולדרישות RoHS/REACH.
בקשת הצעת מחיר ל-GaAs
שתפו את המפרט המותאם שלכם ונכין הצעת מחיר. שלחו את הדרישות לצוות שלנו למענה מהיר.