ניקוי כימי — RCA, פיראנה, ניקוי ממסים

< 10 adds @ 0.2μmהסרת חלקיקים

< 1×10¹⁰ at/cm²זיהום מתכות

RCA · Piranha · HF-lastכימיקלי ניקוי

< 0.15nm Raחספוס פני שטח

סקירה כללית

ניקוי כימי הוא הבסיס לכל תהליכי הייצור הבאים. GINECHIP מספקת RCA, פיראנה, HF-last, מגה-סוניק בחדר נקי ISO Class 1.

פלטפורמה רב-כימית: עד 50 פרוסות לאצווה.

שירותי ניקוי

ניקוי RCA סטנדרטי

ניקוי RCA סטנדרטי: SC-1 + SC-2. הסרת אורגניים, חלקיקים, מתכות.

SC-1: NH₄OH/H₂O₂/H₂O (1:1:5)SC-2: HCl/H₂O₂/H₂O (1:1:6)Temperature: 75–80°CMegasonic agitation: 0.8–1.2 MHzParticle removal > 99% @ ≥0.2μmMetals: < 1×10¹⁰ atoms/cm²

ניקוי פיראנה (SPM)

פיראנה: H₂SO₄/H₂O₂ ב-120-150°C. הסרת אורגניים ורזיסט.

H₂SO₄/H₂O₂ ratio: 3:1 to 7:1Temperature: 120–150°COrganic residue removal: completeResist strip capabilityPre-diffusion clean qualifiedChemical oxide: 1.0–1.5nm SiO₂

ניקוי HF-last

HF-last: הסרת תחמוצת, משטח מסוים מימן.

HF concentration: 0.5–2%Etch rate: ~20 Å/min SiO₂H-terminated, hydrophobic surfaceOxide regrowth delay: 4–8 hoursMarangoni/IPA dry integrationPre-epi, pre-metal clean qualified

ניקוי מגה-סוניק

מגה-סוניק: 0.8-1.2 MHz. הסרת חלקיקים תת-מיקרוניים.

Frequency: 0.8–1.2 MHzPower density: 5–15 W/cm²Particle removal: ≥0.1μmNo cavitation damage to patternsCompatible with SC-1, SC-2, DISingle-wafer and batch modes

ייבוש מרנגוני

ייבוש מרנגוני: גרדיאנט מתח פנים, ללא כתמים.

Marangoni: gradient surface-tension dryingIPA vapor: direct exposure + N₂ dryWater mark free (verified by laser scan)Throughput: 50–100 wafers/hourParticle adders: < 5 @ 0.2μmCompatible with all pre-clean sequences

תהליך עבודה

בדיקת כניסה

בדיקה חזותית, אימות מזהה, הערכת מצב.

הסרת אורגניים SPM

פיראנה מסירה אורגניים, רזיסט, פחמימנים ב-120-150°C.

הסרת תחמוצת HF

HF מדולל מסיר תחמוצת, חושף משטח Si.

הסרת חלקיקים SC-1

NH₄OH/H₂O₂ + מגה-סוניק מסיר חלקיקים עד 0.1μm.

הסרת מתכות SC-2

HCl/H₂O₂ מסיר מתכות עד < 1×10¹⁰ אטומים/סמ"ר.

פסיבציית משטח HF-last

טבילת HF סופית יוצרת משטח הידרופובי מסוים מימן.

ייבוש מרנגוני ובדיקה

ייבוש ללא כתמים + סריקת לייזר להסמכה.

מפרטי איכות

פרמטר	מפרט יעד	שיטה
ספירת חלקיקים	≤ 10 adds @ 0.2μm	KLA-Tencor Surfscan SP2/SP3/SP5
ברזל (Fe)	< 1×10¹⁰ atoms/cm²	TXRF / VPD-ICP-MS
נחושת (Cu)	< 5×10⁹ atoms/cm²	TXRF / VPD-ICP-MS
ניקל/כרום (Ni/Cr)	< 1×10¹⁰ atoms/cm²	TXRF / VPD-ICP-MS
חספוס פני שטח	< 0.15nm (Si substrate)	AFM (2μm × 2μm scan)
תחמוצת טבעית	< 0.7nm (HF-last)	Spectroscopic ellipsometry
זווית מגע	> 70° (hydrophobic)	Goniometer
שאריות אורגניות	< 1 monolayer equivalent	XPS survey scan (C 1s peak)

מדידות בחדר נקי ISO Class 1. תעודות ניתוח.

כימית ניקוי

SC-1 (ניקוי סטנדרטי 1)

SC-1: NH₄OH/H₂O₂/H₂O ב-75–80°C. הסרת אורגניים וחלקיקים.

SC-2 (ניקוי סטנדרטי 2)

SC-2: HCl/H₂O₂/H₂O ב-75–80°C. הסרת מתכות < 1×10¹⁰ אטומים/סמ"ר.

פרוטוקולים ייעודיים ליישום

ניקוי טרום-דיפוזיה

ניקוי טרום-דיפוזיה: מתכות < 1×10¹⁰ אטומים/סמ"ר.

SPM → HF → SC-1 → SC-2 Carbon: < 1 monolayer Metals: < 5×10⁹ at/cm² Gate oxide quality qualified

ניקוי טרום-אפיטקסיה

ניקוי טרום-אפיטקסיה: משטח נקי אטומית. Ra < 0.2nm.

SPM → SC-1 → HF-last C: below XPS detection O: < 0.1 monolayer N₂ transfer: < 4 hrs

ניקוי טרום-חיבור

ניקוי טרום-חיבור: הסרת אורגניים, חלקיקים, תחמוצת. Ra < 0.15nm.

SC-1 (megasonic) → HF Particle: < 5 adds @ 0.2μm Ra: ≤ 0.15nm AFM Fusion / anodic bond qualified

בקרת זיהום

תוכנית בקרת זיהום. ISO Class 1.

טוהר כימי

כימיקלים SEMI Grade 2+. ניטור בזמן אמת.

כלים ואוטומציה

מערכות ספסל רטוב אוטומטיות עם טיפול רובוטי.

תאימות מצע

תאימות: Si, SOI, זכוכית, קוורץ, ספיר, SiC, GaAs, InP, GaN.

ביצועי הסרת חלקיקים

הסרת חלקיקים רב-שלבית: > 99% עבור חלקיקים > 0.2μm.

איכות והסמכה

תוכנית QA: ספירת חלקיקים, ICP-MS, זווית מגע.

צריך שירותי ניקוי פרוסות?

צור קשר עם צוות ההנדסה. הצעת מחיר תוך 24 שעות.

בקשת הצעת מחיר צור קשר עם מהנדסים

מוסמך ISO 9001:2015 תואם תקני SEMI חדר נקי ISO Class 1 טיפול רובוטי בפרוסות