מצעים · חומרים
מוליכים למחצה מורכבים
מעבר לסיליקון — GaAs, GaN, SiC, InP עבור RF, אלקטרוניקת הספק, פוטוניקה.
III-V ו-II-VI משפחות חומרים
50mm–200mm טווח קוטר
מוכן לאפיטקסיה דרגת משטח
מבודד למחצה מותאם RF ופוטוניקה
סקירה כללית
מוליכים למחצה מורכבים מאפשרים ביצועים שסיליקון לבדו אינו יכול להשיג.
מ-<strong>GaAs מבודד למחצה</strong> ועד <strong>מצעי 4H-SiC</strong> ו-<strong>פרוסות InP</strong>.
קטלוג חומרים
גליום ארסניד (GaAs)
סוס העבודה של אלקטרוניקת RF ומיקרוגל. פער אנרגיה ישיר של 1.42 eV.
- SI-GaAs עבור מתגי RF, מגברי LNA ומגברי הספק (סלולר, WiFi, SATCOM)
- N-type ו-P-type עבור התקנים אופטו-אלקטרוניים (VCSEL, גלאי אור)
- זמין בקטרים 2″–6″, SSP ו-DSP
- מוכן לאפיטקסיה עם חספוס משטח < 3 Å RMS
גליום ניטריד (GaN)
מוליך למחצה עם פער אנרגיה רחב (3.4 eV) המאפשר פעולה בהספק גבוה, תדר גבוה וטמפרטורה גבוהה.
- GaN-on-Si: חסכוני עבור HEMT הספק עד 650V
- GaN-on-SiC: פיזור חום מעולה עבור HEMT RF (תחנות בסיס 5G, מכ"ם, לוחמה אלקטרונית)
- GaN-on-Sapphire: אפיטקסיית LED כחול/ירוק/UV
- GaN עצמאי: צפיפות הפגמים הנמוכה ביותר עבור דיודות לייזר
סיליקון קרביד (SiC)
פוליטיפים 4H-SiC ו-6H-SiC עם מוליכות תרמית יוצאת דופן (490 W/m·K).
- 4H-SiC: MOSFET, דיודות JBS/MPS (600V–3.3kV)
- 4H-SiC מבודד למחצה עבור אפיטקסיית GaN HEMT על SiC
- 6H-SiC: אופטו-אלקטרוניקה, פוטודיודות UV
- זמין N-type ו-SI, קטרים 100mm ו-150mm
אינדיום פוספיד (InP)
מהירות אלקטרונים גבוהה ופער אנרגיה ישיר ב-1.34 eV.
- מצעי SI מסוג N ואילוח Fe
- קטרים 2″–4″, ליטוש מוכן לאפיטקסיה
- לייזרי DFB/FP, גלאי PIN/APD, מאפנני EO
- מבני HBT ו-HEMT לפעולה בתדר >100 GHz
ספיר (Al₂O₃)
מבנה גבישי הקסגונלי, שקוף מ-UV עד IR בינוני.
- מישור C (0001) עבור אפיטקסיית LED; מישור R עבור SOS
- קטרים 2″–8″, SSP ו-DSP
- מצע ספיר עם תבנית (PSS) לשיפור נצילות הוצאת האור ב-LED
- יציבות תרמית גבוהה עד 1800°C
אלומיניום ניטריד (AlN)
פער אנרגיה רחב במיוחד (6.2 eV) עם מוליכות תרמית של כ-320 W/m·K.
- מצעי AlN חד-גבישיים, קטרים 1″–2″
- מצע מקורי עבור LED UV עמוק מבוסס AlGaN (חיטוי UVC)
- AlN פוליגבישי עבור יישומי ניהול חום
- סרטי AlN בדרגת SAW על Si וספיר
מפרטים טכניים
| פרמטר | טווח זמין |
|---|---|
| Materials | GaAs, GaN-on-Si, GaN-on-SiC, InP, SiC (4H-SiC, 6H-SiC), Sapphire, AlN, GaSb, InAs, InSb |
| Diameter | 50mm (2″), 76mm (3″), 100mm (4″), 150mm (6″), 200mm (8″) |
| Orientation | 〈100〉, 〈111〉, C-plane, R-plane, A-plane, M-plane (material-dependent) |
| Dopant / Type | Semi-Insulating (SI), N-type (Si-doped), P-type (Zn/Mg-doped), UID (unintentionally doped) |
| Thickness | 350μm–1000μm (custom thinning to 100μm available) |
| Surface Polish | SSP, DSP, Epi-Ready (RMS < 0.3nm for GaAs, < 0.5nm for SiC) |
| Resistivity | SI GaAs: > 10⁷ Ω·cm; N-type GaAs: 10⁻³–10⁻¹ Ω·cm; SI SiC: > 10⁵ Ω·cm |
| Micropipe Density (SiC) | < 1/cm² for high-grade 4H-SiC substrates (MPD down to 0.1/cm²) |
| EPD | GaAs: < 5×10³/cm²; InP: < 5×10⁴/cm²; SiC: < 5×10³/cm² |
| TTV / Bow / Warp | As low as < 5μm TTV, < 15μm Bow, < 20μm Warp |
| Packaging | Single-wafer cassettes, vacuum-sealed, Class 1 cleanroom packaging |
מטריצת יישומים
| יישום | מצע מומלץ | תכונה מרכזית |
|---|---|---|
| חזית RF ניידת | SI-GaAs | ניידות אלקטרונים גבוהה, התנגדות SI |
| PA של תחנת בסיס 5G | GaN-on-SiC | צפיפות הספק גבוהה, ניהול חום |
| מהפך לרכב חשמלי | 4H-SiC | מתח פריצה גבוה, Rds(on) נמוך |
| משדר-מקלט אופטי 100G/400G | InP (SI) | פער אנרגיה ישיר, מהירות נושאים גבוהה |
| LED כחול/ירוק | GaN-on-Sapphire | התאמת סריג, חסכוני, שקוף |
| LED UVC (265nm) | AlN | שקוף ל-UV, מותאם סריג ל-AlGaN |
| מכ"ם mmWave (77GHz) | SI-GaAs או InP | הגבר בתדר גבוה, דמות רעש נמוכה |
| אלקטרוניקה עמידת קרינה | 4H-SiC או GaN | פער אנרגיה רחב, עמידות לקרינה |
איכות ושרשרת אספקה
כל המצעים עוברים בדיקת איכות נכנסת קפדנית. מעקב מלא בשרשרת אספקה מוסמכת ISO 9001:2015.
צריך מצעי מוליכים למחצה מורכבים?
ציין חומר, קוטר, סוג ודרישות epi-ready.