מכירות בתפזורת של מוליכים למחצה מרוכבים | GINECHIP
מכירות בתפזורת של אינגוטים למוליכים למחצה מרוכבים מ‑GINECHIP: GaAs, InP, SiC וספיר עם CoA מלא (XRD, EPD, מיפוי התנגדות) ועמידה ב‑SEMI/RoHS/REACH.
סקירת שוק
אינגוטים של GaAs ו‑InP תומכים בייצור לתחומי RF והפוטוניקה, בעוד ש‑SiC מאפשר אלקטרוניקה בהספק גבוה. אינגוטים מספיר משמשים רבות כמצעים לצמיחת LED וליישומי אופטרו־אלקטרוניקה נוספים.
כל אצווה מסופקת עם <strong>CoA מלא</strong> הכולל XRD, EPD ומיפוי התנגדות כדי לחזק יכולת עקיבות וביטחון בין אצוות. החומרים עומדים בדרישות SEMI, RoHS, REACH ו‑Conflict Minerals.
<strong>כל אינגוט נשלח עם CoA מלא ומזהה ייחודי למעקב.</strong> תיעוד גידול מאומת—מוכן לאימות בכניסה ובקרת תהליך.
GaAs (גליום ארסניד) אספקת אינגוטים
אינגוטים ל-GaAs לייצור של מוליכים למחצה מרוכבים—זמינים בשיטת <strong>VGF/LEC</strong>, בקוטר 2″–6″, SI / מסוג N / מסוג P, עם בקרה על EPD (<strong>EPD < 5×10³/cm²</strong>) ואורכים עד <strong>300 מ״מ</strong>.
שיטות גידול
VGF (Vertical Gradient Freeze)
אינגוטים של GaAs שגדלו בשיטת VGF מספקים איכות גבישית בשליטה, עם אפשרויות קוטר <strong>2″–6″</strong>, ותמיכה ב-SI / N / P. יעד טיפוסי ל-EPD: <strong>EPD < 500 (ב-4″)</strong>, עם גדילה לפי VGF.
LEC (Liquid-Encapsulated Czochralski)
אינגוטים של GaAs שגדלו בשיטת LEC מיועדים לאספקה יציבה של מוליכים למחצה מרוכבים, עם זמינות בקוטר <strong>2″–6″</strong> ואפשרויות SI / N / P. יעד טיפוסי ל-EPD: <strong>EPD < 5×10³/cm²</strong>, עם גדילה לפי LEC.
InP (אינדיום פוספיד) אספקת אינגוטים
אינגוטים של InP ליישומי RF/פוטוניקה ומוליכים למחצה מרוכבים מתקדמים—זמינים ב-<strong>VGF/LEC</strong>, קוטר 2″–4″, <strong>EPD < 5×10⁴/cm²</strong>, ואורך עד <strong>200 מ״מ</strong>. זמינים SI או N-type.
שיטות גידול
VGF (Vertical Gradient Freeze)
אינגוטים של InP שגדלו ב-VGF עם רמות פגמים בשליטה לייצור מדויק של מוליכים למחצה מרוכבים. מפרט טיפוסי כולל <strong>2″–4″</strong> קוטר ו-<strong>EPD < 5×10⁴/cm²</strong>, עם אפשרות SI או N-type.
LEC (Liquid-Encapsulated Czochralski)
אינגוטים של InP שגדלו ב-LEC תומכים באספקה יציבה עבור קווי ייצור מתקדמים של מוליכים למחצה מרוכבים. מוצעים בקוטר <strong>2″–4″</strong> עם <strong>EPD < 5×10⁴/cm²</strong>, ועם זמינות התנגדות ל-SI או N-type—באמצעות גדילת LEC.
SiC (סיליקון קרביד) אספקת אינגוטים
אינגוטים של SiC ליישומי מוליכים למחצה בהספק גבוה ובתנאים קשים—מיוצרים בשיטת <strong>PVT</strong>, בקטרים <strong>4″–8″</strong>, פוליטיפים 4H-SiC & 6H-SiC, N-type ו-SI, עם בקרה על <strong>MPD</strong> (<strong>MPD < 1/cm²</strong>) ובעובי עד <strong>50 מ״מ</strong>.
שיטות גידול
PVT (Physical Vapor Transport)
אינגוטים של SiC גדלים בשיטת <strong>PVT (Physical Vapor Transport)</strong>. זמינים בפוליטיפים <strong>4H-SiC</strong> ו-<strong>6H-SiC</strong>, עם אפשרויות <strong>N-type</strong> ו-<strong>SI</strong>. מפרט הביצועים כולל <strong>MPD < 1/cm²</strong> עבור קוטר <strong>4″–8″</strong>, עם רמות מחמירות יותר: <strong>6″: < 0.5/cm²</strong> ו-<strong>8″: < 1/cm²</strong>, ובעובי עד <strong>50 mm</strong>.
ספיר (Al₂O₃) אספקת אינגוטים
כרטיסי חומר לספיר (Al₂O₃) לצורך גידול גבישים ואספקת פרוסות, בקטרים של <strong>2″–12″</strong> (50–300 מ״מ). ניתן לבחור אוריינטציה: <strong>C-plane</strong>, <strong>R-plane</strong> או <strong>A-plane</strong>. איכות <strong>ללא בועות (bubble-free)</strong> זמינה עבור גידול מסוג KY/HEM. סוגי גידול: <strong>KY</strong>, <strong>EFG</strong> ו-<strong>HEM</strong> (ל-KY/HEM — <strong>ללא בועות</strong>).
שיטות גידול
Kyropoulos (KY)
גבישי ספיר הגדלים בשיטת Kyropoulos (KY) מספקים <strong>קוטר גדול</strong>, <strong>עומס/מאמצים נמוכים</strong> ואיכות <strong>ללא בועות</strong>. זמינים בקטרים של <strong>2″–12″</strong> ובאורך עד <strong>500 מ״מ</strong>.
EFG (Edge-Defined Film-Fed Growth)
ספירים באינגוטים בשיטת EFG (Edge-Defined Film-Fed Growth) המיועדים ליעילות <strong>גבוהה ליצירת צורה</strong> ולגאומטריות עקביות לפי חתכים מוגדרים. איכות <strong>ללא בועות</strong>; אפשרויות גידול KY / EFG / HEM, בקטרים עד <strong>2″–12″</strong>.
HEM (Heat Exchanger Method)
אינגוטים מספיר בשיטת HEM (Heat Exchanger Method) מיועדים לגידול גביש <strong>באיכות גבוהה</strong> עם <strong>פחות דיסלוקציות</strong>. מתאימים לייצור בקוטר גדול יותר ומספקים תוצר <strong>ללא בועות</strong> בכל קווי הגידול KY / EFG / HEM.
יתרון התשואה של האינגוט
מותאם לתפוקה יציבה של אצוות עם יעדי פגמים בשליטה. איכות מתועדת מסייעת לשמור על תשואת חיתוך ולהבטיח תהליך פרוסות שניתן לחזור עליו.
תשואת גידול גביש
שיעור התאמה גבוה עם שליטה בגידול שניתנת לחזרה—מבוסס על יעדי EPD נמוכים לביצועים אחידים.
ניצול קוטר
טווח קטרים רחב מאפשר חיתוך יעיל יותר של פרוסות עם פחות בזבוז חומר בקווי הייצור.
עקביות בין אצוות
באמצעות ID ייחודי לאינגוט והיסטוריית ריצת גידול מתקבלת עקיבות מדויקת. שושלת הזרע ותכונות ממופות תומכות בעיבוד יציב בין אצוות.
זמני אספקה ו-MOQ
זמני אספקה עבור הזמנות בכמות (באצוות) של אינגוטים למוליכים למחצה מתקדמים לפי חומר. נא לאשר זמינות ודרישות לאריזת אטימה בחנקן בעת הזמנה.
| חומר | זמן אספקה סטנדרטי | כמות מינימלית להזמנה (MOQ) | מחזור אספקה |
|---|---|---|---|
| GaAs (VGF, 4″–6″) | 2–4 שבועות | 5 אינגוטים | 3–5 שבועות |
| InP (VGF, 2″–4″) | 4–6 שבועות | 5 אינגוטים (אריזת אטימה בחנקן) | 5–7 שבועות |
| SiC (PVT, 6″–8″) | 6–10 שבועות | 3 אינגוטים | 8–14 שבועות |
| ספיר (KY, 4″–12″) | 8–12 שבועות | 2 אינגוטים | 10–16 שבועות |
<strong>סיכום זמני אספקה</strong>: ניתן לנהל משא ומתן על תנאים עבור הזמנות בכמויות גדולות וחוזים ארוכי טווח. ניתן לדון ב-MOQ בהתאם ללוח הזמנים של הפרויקט ולתחזית הביקוש.
סוגי דופינג ושליטה במוליכות
אנו מספקים אינגוטים של מוליכים למחצה במבנה תרכובות בגרסאות <strong>חצי-מבודדות</strong> ו-<strong>מוליכות</strong>. סוג הדופינג והרמה היעדית מותאמים לפי החומר ולפי דרישות הלקוח. התמיכה כוללת SiC (4H/6H) עבור מצעי RF/פוטוניקה, וכן GaAs/InP עבור יישומים אופטרואלקטרוניים ואלקטרוניים.
חצי-מבודד (SI)
דרגות חצי-מבודדות בעלות התנגדות גבוהה לתפעול יציב של התקנים. לדוגמה: <strong>SI-GaAs: התנגדות >10⁷ Ω·cm</strong>; <strong>SI-InP</strong>. בנוסף, SiC בעל התנגדות גבוהה עבור יישומי מצעי RF/פוטוניקה.
מוליך מסוג N / מוליך מסוג P
דופינג מוליך לצרכים אלקטרוניים ואופטו-אלקטרוניים. דוגמאות: <strong>GaAs מסוג N</strong> (Si, S); <strong>GaAs מסוג P</strong> (Zn, Cr). <strong>InP</strong> תומך ב-N (S, Sn) וב-P על בסיס Zn/Si; <strong>SiC</strong> תומך ב-N (N) וב-P על בסיס Al.
דופינג מותאם
אנו מתאימים את הדופינג ליעדי ה-<strong>התנגדות</strong> / <strong>ריכוז נושאי המטען</strong> שלך. שומרים על פיזור אחיד של הדופנט ועל עקביות בין אצוות לצורך עיבוד מכשירים אמין. ניתן להגדיר את רמות הדופינג לפי דרישה.
יישומים
GaAs לתקשורת וסל״ם
מתאים למודולי קצה RF ותקשורת אלחוטית תוך שימוש ב-<strong>GaAs</strong> (VGF/LEC, 2″–6″, טיפוסי SI/N/P) עם <strong>EPD < 5×10³/cm²</strong> לעיבוד יציב במערך 300mm.
InP לפוטוניקה
מיועד לתקשורת אופטית ולרכיבים אופטרואלקטרוניים באמצעות <strong>InP</strong> (VGF/LEC, 2″–4″, N-type/SI) עם <strong>EPD < 5×10⁴/cm²</strong> לעיבוד אמין על 200mm.
SiC לאלקטרוניקה להספק
למכשירי הספק בעלי אמינות גבוהה ויישומים בתנאים קשים באמצעות <strong>SiC</strong> (PVT, 4″–8″, 4H/6H, N & SI) עם <strong>MPD < 1/cm²</strong> לייצור עקבי ב-50mm.
ספיר לתאורת LED
מותאם לתאורת LED/הארה ולהכנת מצע עם <strong>ספיר (Al₂O₃)</strong> (KY/EFG/HEM, 2″–12″), מישורי C/R/A ו-<strong>ללא בועות</strong> לאפשר עיבוד בקנה מידה גדול על 500mm.
מו״פ ואפיטקסיה
תומך בפיתוח ניסויי ובבניית שכבות אפיטקסיאליות באמצעות מוליכים-למחצה מרוכבים: בחרו את המתאים מבין <strong>GaAs</strong> (VGF/LEC, 2″–6″, EPD < 5×10³/cm²), <strong>InP</strong> (VGF/LEC, 2″–4″, EPD < 5×10⁴/cm²) או <strong>SiC</strong> (PVT, 4″–8″, MPD < 1/cm²).
מוליכים-למחצה לחלל
ליישומי תקשורת לוויינית ואלקטרוניקה חללית הדורשת פרוסות עמידות, תוך שימוש ב-<strong>GaAs</strong> (VGF/LEC, 2″–6″, EPD < 5×10³/cm²) ב-300mm ו-<strong>InP</strong> (VGF/LEC, 2″–4″, EPD < 5×10⁴/cm²) לשילוב פוטוניקה על 200mm.
ייצור תעשייתי של פרוסות
לגידול בייצור בקנה מידה עם אינגוטים איכותיים: <strong>SiC</strong> (PVT, 4″–8″, 4H/6H, N & SI, MPD < 1/cm²) לעיבוד אמין ב-50mm ו-<strong>ספיר</strong> (KY/EFG/HEM, 2″–12″, ללא בועות) לאספקת מצעים על 500mm.
אספקת תשתיות מוליכות-למחצה
מתאים לפאבים של מוליכים-למחצה מורכבים ולייצור פרוסות: <strong>GaAs</strong> (VGF/LEC, 2″–6″, SI/N/P-type, EPD < 5×10³/cm²), <strong>InP</strong> (VGF/LEC, 2″–4″, N-type/SI, EPD < 5×10⁴/cm²), <strong>SiC</strong> (PVT, 4″–8″, MPD < 1/cm²) ו-<strong>ספיר</strong> (KY/EFG/HEM, 2″–12″, ללא בועות) כדי לייעל את שרשרת האספקה.
איכות ועמידה בתקנים
כל אינגוט מסופק עם CoA מלא ורשומות מלאות של יכולת עקיבה. המסמכים כוללים XRD, EPD ומיפוי התנגדות (לפי התאמה לחומר), כדי לתמוך בייצור עקבי של וייפרים/מצעים ובאימות איכות.
מפרטים טכניים (פרמטרים מרכזיים)
| פרמטר | מפרט / ערך |
|---|---|
| אינגוטים של GaAs | VGF/LEC, 2″ – 6″ diameter, SI / N-type / P-type, EPD ＜ 5×10³/cm², up to 300mm length |
| אינגוטים של InP | VGF/LEC, 2″ – 4″ diameter, N-type SI available, EPD ＜ 5×10⁴/cm², up to 200mm length |
| אינגוטים של SiC | PVT, 4″ – 8″ diameter, 4H-SiC & 6H-SiC, N-type & SI, MPD ＜ 1/cm², up to 50mm thickness |
| אינגוטי ספיר | Kyropoulos / EFG / HEM, 2″ – 12″ diameter, C/R/A-plane, bubble-free, up to 500mm length |
| רמת אילוח | Per material specification and customer requirement |
| אוריינטציית גביש | On-axis or off-axis per specification |
| משטח | As-grown, ground, oriented flats/notches |
| תיעוד איכות | Full CoA including XRD, EPD, resistivity mapping for each ingot |
| עקיבות | Unique ingot ID, growth run history, seed lineage |
| אריזה | Custom crate with vibration isolation, nitrogen-purged container for hygroscopic materials (InP) |
| תאימות לתקנים | SEMI Standards, RoHS, REACH, Conflict Minerals |
מוכנים לרכוש אינגוטים של מוליכים למחצה מרוכבים בכמויות?
צרו קשר עם צוות המכירות שלנו לצורך פנייה, דוגמאות ופרטי MOQ וזמני אספקה. אנו מספקים GaAs (VGF/LEC, 2″–6″), InP (VGF/LEC, 2″–4″), SiC (PVT, 4″–8″, 4H/6H) וספיר (KY/EFG/HEM, 2″–12″; C/R/A-plane) עם CoA מלא ויכולת עקיבה מלאה.