化合物半導体インゴット バルク販売 | GINECHIP
GINECHIPの化合物半導体インゴットをバルクで提供：GaAs、InP、SiC、サファイア。XRD/EPD/抵抗率マッピングを含む完全なCoAとSEMI/RoHS/REACH適合。
市場概要
GaAs および InP インゴットは RF/フォトニクス製造を支え、SiC は高出力エレクトロニクスを可能にします。サファイアインゴットは LED 成長をはじめとする光電用途で幅広く利用されています。
各バッチは <strong>完全CoA</strong>（XRD、EPD、抵抗率マッピングを含む）を添付し、トレーサビリティとロット間の信頼性を高めます。材料は SEMI、RoHS、REACH および Conflict Minerals の要件に適合しています。
<strong>各インゴットには完全な CoA と、独自のトレーサビリティ ID が付属。</strong>生産記録を確認でき、受入検査と工程管理に対応します。
GaAs（ガリウムヒ素） インゴット供給
化合物半導体向けの GaAs インゴットを大ロットで供給します。<strong>VGF/LEC</strong> に対応し、直径 2″–6″、SI / N型 / P型を用意。欠陥密度は <strong>EPD < 5×10³/cm²</strong> を管理し、最大長は <strong>300 mm</strong> です。
成長方式
VGF (Vertical Gradient Freeze)
VGF で成長した GaAs インゴットは、<strong>2″–6″</strong> の直径オプションで結晶品質を安定化します。SI / N型 / P型に対応。EPD の代表的な目標値は <strong>EPD < 500（4″）</strong> で、VGF 成長です。
LEC (Liquid-Encapsulated Czochralski)
LEC で成長した GaAs インゴットは、化合物半導体向けの安定供給を目的に設計されています。<strong>2″–6″</strong> の直径に対応し、SI / N型 / P型のオプションも提供。EPD の代表的な目標値は <strong>EPD < 5×10³/cm²</strong> で、LEC 成長です。
InP（インジウムリン） インゴット供給
RF/フォトニクスおよび先進的な化合物半導体用途向けの InP インゴット。<strong>VGF/LEC</strong> に対応し、直径 2″–4″、<strong>EPD < 5×10⁴/cm²</strong> で管理。長さは最大 <strong>200 mm</strong>。SI または N型のオプションも対応します。
成長方式
VGF (Vertical Gradient Freeze)
VGF で成長した InP インゴットは、精密な化合物半導体製造のため欠陥レベルを制御します。典型仕様は <strong>2″–4″</strong> の直径と <strong>EPD < 5×10⁴/cm²</strong>、さらに SI または N型の対応が可能です。
LEC (Liquid-Encapsulated Czochralski)
LEC で成長した InP インゴットは、先進的な化合物半導体ライン向けに安定供給をサポートします。<strong>2″–4″</strong> の直径で <strong>EPD < 5×10⁴/cm²</strong> を管理し、抵抗率は SI または N型として利用可能。LEC 成長です。
SiC（炭化ケイ素） インゴット供給
高出力・過酷環境向けの半導体用途に最適な SiC インゴット。<strong>PVT</strong> で製造し、直径 <strong>4″–8″</strong>、ポリタイプは 4H-SiC & 6H-SiC、N型および SI に対応。<strong>MPD</strong> は <strong>MPD < 1/cm²</strong> を管理し、最大厚さは <strong>50 mm</strong> です。
成長方式
PVT (Physical Vapor Transport)
SiC インゴットは <strong>PVT（物理気相輸送）</strong>で成長。<strong>4H-SiC</strong> および <strong>6H-SiC</strong> のポリタイプに対応し、<strong>N型</strong>および <strong>SI</strong> も選択可能です。目標性能として、4″〜8″ 径で <strong>MPD ＜ 1/cm²</strong> を確保し、さらに <strong>6″：＜ 0.5/cm²</strong>、<strong>8″：＜ 1/cm²</strong> といった厳しい条件も設定。厚みは最大 <strong>50 mm</strong> まで対応します。
サファイア（Al₂O₃） インゴット供給
サファイア（Al₂O₃）の材料カード：結晶成長およびウエハー供給向けに、<strong>2″〜12″</strong>（50〜300 mm）の直径で提供します。結晶方位は <strong>C-plane</strong>、<strong>R-plane</strong>、<strong>A-plane</strong> から選択可能。<strong>bubble-free</strong> 品質（KY/HEM 成長）にも対応しています。成長方式は <strong>KY</strong>、<strong>EFG</strong>、<strong>HEM</strong>（KY/HEM は <strong>bubble-free</strong>）です。
成長方式
Kyropoulos (KY)
Kyropoulos（KY 泡成長法）で育成したサファイアインゴット。<strong>大径</strong>、<strong>低応力</strong>で、<strong>バブルフリー</strong>品質を実現します。<strong>2″–12″</strong> の直径範囲、最大 <strong>500 mm</strong> の長さに対応。
EFG (Edge-Defined Film-Fed Growth)
EFG（Edge-Defined Film-Fed Growth）で育成したサファイアインゴットは、高い <strong>成形効率</strong>と、ルールに基づく安定した断面形状を重視しています。<strong>バブルフリー</strong>品質に対応し、成長方式は KY / EFG / HEM。<strong>2″–12″</strong> までのサイズに対応可能です。
HEM (Heat Exchanger Method)
HEM（Heat Exchanger Method）で育成したサファイアインゴットは、<strong>高品質</strong>な結晶成長と、<strong>転位の少なさ</strong>に適しています。大径生産にも対応し、KY / EFG / HEM の各成長ラインで <strong>バブルフリー</strong>を提供します。
インゴットの歩留まり優位性
欠陥目標を制御し、安定したロット出荷を実現。ドキュメント化された品質により、切断歩留まりの安定化とウェハ工程の再現性を支えます。
結晶成長歩留まり
高い適格率と再現性のある成長制御。低EPD目標を基盤に、性能の均一性を確保します。
直径の活用率
幅広い直径レンジに対応し、ウェハの効率的な切断を可能に—生産ラインでの材料ロスを低減します。
ロット間一貫性
独自のインゴットIDと成長ロット履歴により高い追跡性を実現。シード系譜とマッピング特性がロット間の安定加工を支えます。
リードタイムとMOQ
化合物半導体インゴットのバッチ出荷リードタイムを材質別に記載しています。ご注文前に在庫状況と吸湿材料の窒素密封要件をご確認ください。
| 材料 | 標準リードタイム | 最低MOQ | 納品サイクル |
|---|---|---|---|
| GaAs（VGF、4″–6″） | 2〜4週間 | 5 本 | 3〜5週間 |
| InP（VGF、2″–4″） | 4〜6週間 | 5 本（窒素密封梱包） | 5〜7週間 |
| SiC（PVT、6″–8″） | 6〜10週間 | 3 本 | 8〜14週間 |
| サファイア（KY、4″–12″） | 8〜12週間 | 2 本 | 10〜16週間 |
<strong>納期のまとめ</strong>：大量発注および長期契約は条件交渉が可能です。MOQ はプロジェクトのスケジュールや予測に応じて相談できます。
ドーピング＆導電性制御
当社は、化合物半導体インゴットを<strong>半絶縁</strong>および<strong>導電型</strong>で提供します。材料とお客様の要件に合わせて、ドーパント種および目標濃度をカスタマイズ可能です。SiC（4H/6H）はRF/フォトニクス用基板に、GaAs/InP は光電・電子用途に対応します。
半絶縁（SI）
デバイス動作の安定性を支える高抵抗の半絶縁グレード。代表例：<strong>SI-GaAs：抵抗率 >10⁷ Ω·cm</strong>、<strong>SI-InP</strong>。RF/フォトニクス用基板向けの高抵抗SiCも対応します。
N型 / P型 導電
電子・光電用途向けの導電型ドーピング。例：<strong>GaAs のN型</strong>（Si、S）；<strong>GaAs のP型</strong>（Zn、Cr）。<strong>InP</strong> ではN型（S、Sn）およびZn/Si系のP型に対応、<strong>SiC</strong> はN型（N）およびAl系のP型に対応します。
カスタムドーピング
お客様の目標<strong>抵抗率</strong>／<strong>キャリア濃度</strong>に合わせてドーピングを最適化します。ドーパントの分布均一性とロット間の一貫性を確保し、信頼できるデバイス製造を支援します。ドーピング濃度はご要望により設定可能です。
用途
GaAs RF・通信
無線モジュールや RF フロントエンド向けに最適です。<strong>GaAs</strong> インゴット（VGF/LEC、2″–6″、SI/N/P型）で <strong>EPD < 5×10³/cm²</strong> を満たし、300mm 製造に適しています。
InP フォトニクス
光通信および光電デバイス向けに構成されています。<strong>InP</strong> インゴット（VGF/LEC、2″–4″、N型/SI）で <strong>EPD < 5×10⁴/cm²</strong> を満たし、200mm ウェハー処理を確実に支えます。
SiC パワーエレクトロニクス
高信頼性のパワーデバイスや過酷な環境用途に最適です。<strong>SiC</strong> インゴット（PVT、4″–8″、4H/6H、N & SI）で <strong>MPD < 1/cm²</strong> を達成し、50mm 製造の安定性を支えます。
サファイア LED 照明
LED/照明向けの設計で、<strong>サファイア（Al₂O₃）</strong> インゴット（KY/EFG/HEM、2″–12″）を使用。C/R/A面、かつ <strong>バブルフリー</strong> 品質により、500mm 規模の加工をサポートします。
研究・エピタキシー
化合物半導体の実験やエピタキシャル積層開発をサポートします。用途に応じて <strong>GaAs</strong>（VGF/LEC、2″–6″、EPD < 5×10³/cm²）、<strong>InP</strong>（VGF/LEC、2″–4″、EPD < 5×10⁴/cm²）、または <strong>SiC</strong>（PVT、4″–8″、MPD < 1/cm²）のインゴットを選択可能です。
宇宙向け半導体
衛星通信や宇宙向けエレクトロニクスで、耐久性の高いウェハーが必要な用途に対応します。<strong>GaAs</strong>（VGF/LEC、2″–6″、EPD < 5×10³/cm²、300mm）と、<strong>InP</strong>（VGF/LEC、2″–4″、EPD < 5×10⁴/cm²、200mm）でフォトニクス統合を支えます。
量産向け製造
高品質な化合物インゴットで量産を拡大できます。<strong>SiC</strong>（PVT、4″–8″、4H/6H、N & SI、MPD < 1/cm²）で 50mm 加工を安定化し、<strong>サファイア</strong>（KY/EFG/HEM、2″–12″、バブルフリー）で 500mm 向け基板供給を支えます。
化合物基板供給
化合物半導体のファブ／ウェハー製造に適合しています。<strong>GaAs</strong>（VGF/LEC、2″–6″、SI/N/P型、EPD < 5×10³/cm²）、<strong>InP</strong>（VGF/LEC、2″–4″、N型/SI、EPD < 5×10⁴/cm²）、<strong>SiC</strong>（PVT、4″–8″、MPD < 1/cm²）、<strong>サファイア</strong>（KY/EFG/HEM、2″–12″、バブルフリー）をラインアップし、調達を効率化します。
品質・適合
すべてのインゴットに、完全なCoAとフルのトレーサビリティ記録を添付してお届けします。XRD、EPD、抵抗率マッピング等（材料に応じて）を含み、安定したウェハ/基板製造と検証をサポートします。
技術仕様（主要パラメータ）
| 項目 | 仕様 / 値 |
|---|---|
| GaAs インゴット | VGF/LEC, 2″ – 6″ diameter, SI / N-type / P-type, EPD ＜ 5×10³/cm², up to 300mm length |
| InP インゴット | VGF/LEC, 2″ – 4″ diameter, N-type SI available, EPD ＜ 5×10⁴/cm², up to 200mm length |
| SiC インゴット | PVT, 4″ – 8″ diameter, 4H-SiC & 6H-SiC, N-type & SI, MPD ＜ 1/cm², up to 50mm thickness |
| サファイアインゴット | Kyropoulos / EFG / HEM, 2″ – 12″ diameter, C/R/A-plane, bubble-free, up to 500mm length |
| ドーピングレベル | Per material specification and customer requirement |
| 結晶方位 | On-axis or off-axis per specification |
| 表面 | As-grown, ground, oriented flats/notches |
| 品質ドキュメント | Full CoA including XRD, EPD, resistivity mapping for each ingot |
| トレーサビリティ | Unique ingot ID, growth run history, seed lineage |
| 梱包 | Custom crate with vibration isolation, nitrogen-purged container for hygroscopic materials (InP) |
| 準拠規格 | SEMI Standards, RoHS, REACH, Conflict Minerals |