リン化インジウムウェハー
GINECHIP は、直径 2″–4″ の InP ウェハに加え、制御されたドーピング（N 型 S/Sn、P 型 Zn、SI Fe ドープ）と、エピタキシー用の量産対応表面を提供します。(100)、(111)A、(111)B の配向で、off-cut 2° または 3° に対応。VGF/LEC による成長です。
概要
リン化インジウム（InP）は化合物半導体で、直接バンドギャップは 1.344 eV、電子移動度は高く 5,400 cm²/V·s です。
SI Fe ドープ（>10⁷ Ω·cm）、N 型 S または Sn、P 型 Zn などの基板オプションをお選びいただけます。利用可能な配向は (100)、(111)A、(111)B で、(110) 方向への off-cut が 2° または 3°、直径は 2″–4″ です。
Epi-Ready 表面は、強いエピタキシー適合性のため RMS <2Å を目標にし、SEMI M1–M13 に加えて RoHS および REACH に準拠しています。
EPD が <5×10³/cm² までの Epi-Ready InP 基板（先進グレード）。
結晶成長プロセス
VGF と LEC の技術を用いて InP を成長させ、品質とエピタキシャル成長の準備性に関するさまざまな要件を支えます。
VGF プライム
最良の歩留まりと品質
VGF（Vertical Gradient Freeze）による InP は、転位密度の低さと高い抵抗率を目的に設計されています。光学フォトニクスおよびレーザー基板用途において、最良の歩留まりと品質を提供し、EPD は <5×10³–5×10⁴/cm² の範囲で制御されます。
LEC ボリューム
成熟した量産
LEC（Liquid-Encapsulated Czochralski）による InP は、成熟した量産と安定したプロセス制御のために最適化されています。大径ウェハに適しており、全体の量産性能を良好にするため EPD は通常 5×10⁴–1×10⁵/cm² の範囲です。
成長方法の比較
VGF、LEC、そして新興の VCZ を比較して、EPD 性能、抵抗率のターゲット、またはエピ用途における全体の歩留まりなど、優先度に合わせられます。
VGF — フォトニクス＆レーザー向けの最適解
VGF は低 EPD、高い抵抗率、優れた歩留まりの実現を支援し、先進的なデバイス製造に必要な Epi-ready InP 要件を満たします。
LEC 大量生産
LEC は、より大きい InP ウェハ径に対応した成熟した量産プロセスを提供し、スケーラブルな製造を支えます。
注目：VCZ プロセス
蒸気圧制御チョクラルスキー（VCZ）は、In 空孔密度が低い InP ウエハ向けに注目が高まっており、次世代のフォトニクスおよび電子デバイス要件を支えます。
フォトニクス & レーザー応用
リン化インジウム（InP）は直接遷移型のバンドギャップ 1.344 eV を持ち、1310 nm と 1550 nm のテレコム波長で、レーザーダイオードおよびフォトニクス集積回路の効率的な発光を可能にします。
InP ウエハは、データセンター、5G 光トランスポート、コヒーレント光ネットワークで使用される DFB レーザー、可変レーザー、EML（エレクトロアブソープション変調レーザー）に対応します。
オンチップのフォトニクス統合により、レーザー、変調器、導波路、フォトディテクタを単一の InP チップに集積し、コンパクトで高速な光学モジュールを実現します。
電子移動度 5,400 cm²/V·s の高さと低い光学損失により、InP は 800G および 1.6T 光トランシーバーの最適な基板です。
ミリ波＆高速エレクトロニクス
InP の HEMT と HBT は、5G/6G、レーダー、衛星通信向けにミリ波周波数で最高の利得と効率を実現します。
InP ウェハーにより、THz 対応デバイスと超高速のミックスドシグナル回路を実現でき、fT/fmax は 300 GHz 超です。
5G/6G、レーダー、衛星通信向け InP — fT/fmax 300 GHz 超
技術仕様
| パラメータ | 利用可能な範囲 / 値 |
|---|---|
| 直径 | 2″ (50.8mm), 3″ (76.2mm), 4″ (100mm) |
| ドーパント種 | N-type S-doped, N-type Sn-doped, SI Fe-doped, P-type Zn-doped |
| 抵抗率 | N-type: 10⁻³–10⁻¹ Ω·cm; SI Fe-doped: > 10⁷ Ω·cm |
| 結晶方位 | (100), (111)A, (111)B, off-cut 2° or 3° toward (110) |
| 厚さ | 350μm, 500μm, 625μm standard (custom on request) |
| 表面研磨 | SSP, DSP, Epi-Ready — RMS < 2Å (AFM 5×5μm) |
| EPD（エッチピット密度） | < 5×10⁴/cm² (prime); < 5×10³/cm² (advanced grade) |
| TTV/ボウ/ワープ | TTV < 5μm, Bow < 10μm, Warp < 15μm |
| 電子移動度（μₑ） | 5,400 cm²/V·s (N-type InP at 300K) |
| バンドギャップ | 1.344 eV (direct, zincblende structure) |
| 熱伝導率 | 68 W/m·K at 300K |
| 成長方法 | VGF (Vertical Gradient Freeze), LEC (Liquid-Encapsulated Czochralski) |
| 裏面処理 | Etched, polished, or laser-marked per customer specification |
| レーザーマーキング | SEMI M12/M13 compliant: soft-mark on front or back side |
| フラット構成 | Per SEMI M1: EJ or US standard flat per diameter |
| パーティクルカウント @ 0.3μm | ≤ 10 particles (laser surface scan) |
| パッケージング | Vacuum-sealed, single-wafer shippers, Class 100 cleanroom |
| 準拠規格 | SEMI M1–M13, RoHS, REACH |
アプリケーション
光通信
InPレーザーとフォトディテクターが、データセンターから海底ケーブルまで、高速な光ネットワークを駆動します。
フォトディテクタ & イメージング
InPフォトディテクターは、高い感度（レスポンス）と低い暗電流を実現し、通信・センシング・イメージング用途に対応します。
高周波エレクトロニクス
5,400 cm²/V·sの高い電子移動度が、高速デジタル・アナログ回路向けのHBTおよびHEMTデバイスを支えます。
フォトニック集積回路
レーザー、変調器、導波路のオンチップ集積により、次世代光モジュール向けの小型PICが実現します。
研究開発・量子フォトニクス
研究グレードのInP基板は、量子フォトニクス、もつれ光子源、先進的なエピタキシー開発を支えます。
衛星・航空宇宙
耐放射線性のInP光電子デバイスは、衛星レーザー通信や宇宙航空システムを支えます。
品質と認証
GINECHIP の InP ウェハーは ISO 9001:2015 に基づき製造され、100% 検査を実施。SEMI M1–M13 規格、ならびに RoHS/REACH 要件にも対応可能です。