6+ 産業アプリケーション分野
50カ国以上グローバル供給
ISO 9001認証品質
24時間対応技術サポート
概要
半導体基板の選択はデバイス性能の基盤です。MEMS慣性センサー、GaNパワーアンプ、シリコンフォトニックトランシーバー、あるいは先進2.5Dパッケージのいずれを設計する場合でも、基板材料、ウェーハサイズ、結晶方位、抵抗率、表面品質の選択が歩留まり、信頼性、電気的性能を直接決定します。
Ginechipは、大量生産CMOS向けの標準シリコンウェーハから、ニッチなフォトニクスおよびRF用途向けの特殊なIII-V化合物半導体まで、半導体アプリケーションスペクトル全体にわたる包括的なエンジニアリング基板を供給しています。すべての基板は認定メーカーから調達され、お客様の仕様に従って検査され、完全な材料トレーサビリティ付きで納品されます。当社のアプリケーションエンジニアリングチームは、材料選択、プロセス適合性、サプライチェーン戦略の検討を支援し、お客様がデバイスイノベーションに集中できるようにします。
産業
MEMS・センサー
慣性センサー、圧力センサー、マイク、マイクロミラー、バイオMEMS向けシリコン、SOI、ガラス、圧電基板。DRIEおよびウェーハボンディング対応。気密パッケージサポート。100mm–200mm径。
Si, SOI, Glass, Piezo100mm–200mmDRIE & Bonding-readyHermetic packaging
RF・パワーデバイス
RFスイッチ、パワーアンプ、LNA、mmWaveフロントエンドモジュール向け高抵抗率シリコン、GaAs、GaN-on-Si/SiC基板。低損失正接。mmWave対応。50mm–200mm径。
HR-Si, GaAs, GaN-on-Si/SiC50mm–200mmLow loss tangentmmWave compatible
フォトニクス・LiDAR
シリコンフォトニクス、光トランシーバー、LiDARビームステアリング、光集積回路向けSOI、InP、LiNbO₃、SiO₂基板。BOX厚0.5μm～3μm。光学グレード研磨。100mm–300mm。
SOI, InP, LiNbO₃, SiO₂100mm–300mmBOX: 0.5μm–3μmOptical-grade polish
パワーエレクトロニクス (SiC/GaN)
MOSFET、ショットキーダイオード、HEMT向けSiC（4H、6H）およびGaN-on-Si基板。マイクロパイプ密度 < 1/cm²。高温安定。100mm–200mm径。
SiC (4H, 6H), GaN-on-Si100mm–200mmMicropipe density < 1/cm²High-temp stable
先端パッケージング
2.5D/3D集積向けシリコンおよびガラスインターポーザー。TSV 5μm～100μm。300mm対応。FOWLPキャリア。ファインピッチRDLおよびマイクロバンプ対応基板。
Si & Glass interposersTSV: 5μm–100μm300mm compatibleFOWLP carriers
研究開発・試作
研究・試作向けフラグメントからフルウェーハまでの供給。最小数量なし。カスタムスタック対応。アカデミック価格。技術コンサルテーション付き。
Fragment to full waferNo minimum quantityCustom stacks availableAcademic pricing
ソリューション
ファブ間供給
大量半導体製造向けのマルチソース認定、委託在庫、JIT納品、サプライチェーン分析。単一ソースリスクを低減。
Multi-source qualificationConsignment inventoryJIT deliverySupply chain analytics
研究機関サポート
大学および研究所向けのアカデミック価格体系、技術コンサルテーション、非標準材料調達、助成金提案サポート。
Academic pricing tiersTechnical consultationNon-standard materialsGrant support
スタートアップ・試作キット
迅速なプロトタイピングのための事前キュレーションされたウェーハセット。迅速なサンプリング、NPI加速、スタートアップに優しい商業条件。ファーストシリコンまでの時間を短縮。
Pre-curated wafer setsRapid samplingNPI accelerationStartup-friendly terms
アプリケーション選択ガイド
アプリケーションに適した基板を選択するには、材料特性、プロセス互換性、数量要件、予算のバランスを取る必要があります。以下は、アプリケーションエンジニアがお客様の基板選択を支援する際に最もよく対応する質問です。
Q1MEMSデバイスに最適な基板材料は何ですか？
変換メカニズムとプロセスフローによって異なります。シリコン（CZ）はほとんどの表面およびバルクマイクロマシニングMEMSのデフォルトです。SOIウェーハは固有の電気的絶縁を持つDRIE定義構造の精密なデバイス層を提供します。ガラスウェーハ（Borofloat®、溶融シリカ）は陽極接合と光学MEMSに適しています。シリコン上のAlNやPZTなどの圧電材料はBAW/SAWデバイスに一般的です。
Q2GaN-on-SiとGaN-on-SiCのどちらを選ぶべきですか？
GaN-on-SiCは、SiCの3倍高い熱伝導率（490 W/m·K vs Si 150 W/m·K）により、5G基地局パワーアンプやレーダーなどの高周波（> 3 GHz）・高出力RFアプリケーションに適しています。GaN-on-Siはよりコスト効率が高く、スイッチング周波数が1 MHz未満の電力変換アプリケーション（急速充電器、データセンターPSU、モータードライブ）で主流です。
Q3アプリケーションに適したウェーハ直径は？
100mmと150mmはMEMS、化合物半導体、研究開発の主力径で、最も幅広い装置互換性と開発サイクルあたり最低の基板コストを提供します。200mmは大量生産CMOS、パワーデバイス、先端MEMS生産の標準です。300mmは最先端ロジック、メモリ、一部の先端パッケージングアプリケーションに必要です。
Q4エピタキシャル成長に必要な表面仕上げは？
エピタキシャル成長（MOCVD、MBE、LPE）には、Ra < 0.5 nmの表面粗さ、レーザー検査で検証されたヘイズフリー、自然酸化膜脱着能力を備えたエピレディウェーハが必要です。CMP研磨ウェーハがこの要件を満たします。Siエピタキシーでは> 1100°Cの水素ベークが標準です。III-Vエピタキシーでは制御された自然酸化膜が重要です。
Q5カスタム抵抗率仕様の基板は入手できますか？
はい。シリコンウェーハのカスタム抵抗率を < 0.001 Ω·cm（高濃度ドープ）から > 10,000 Ω·cm（高抵抗率FZ）まで提供しています。標準製品ではウェーハ内均一性 < ±3%、ロット間一貫性 < ±5%を保証します。カスタム仕様では、調整されたインゴット選択と計測検証により、ウェーハ内均一性 < ±1%、ロット間 < ±2%を達成できます。
Q6どのような文書と認証を提供していますか？
各注文にはISO 9001:2015適合証明書、インゴットまたはブールまで遡るロットトレーサビリティレポート、完全な計測データパッケージ（抵抗率マップ、厚さプロファイル、TTV/ボウ/ワープ、表面粗さ、パーティクルカウント）、保管条件付き梱包明細が含まれます。
基板選択のサポートが必要ですか？
アプリケーションエンジニアがお客様の要件を確認し、デバイスに最適な基板材料、サイズ、仕様を無料で推奨します。
ISO 9001:2015 完全ロットトレーサビリティ SEMI規格 グローバル物流