パターンカスタマイズ
ウェーハ上のカスタムリソグラフィパターン — レーザースクライブマーク、アライメントマーク、計測ターゲット、お客様のプロセス要件に合わせた専用テスト構造。
概要
パターンカスタマイズは、フォトリソグラフィとエッチングにより、ベアシリコン、ガラス、SOIウェーハに機能的または識別用の特徴を追加します。トレーサビリティのためのウェーハレベルレーザースクライブマーク、ステッパー用アライメントマーク、プロセス制御用のカスタム計測ターゲットなど、お客様の正確な仕様に合わせてウェーハをパターニングします。
業界トップクラスのパターン忠実度と完全なトレーサビリティを提供します — すべてのパターン化ウェーハには、ウェーハマップ、CD-SEMレポート、オーバーレイ精度データ、ISO 9001:2015およびSEMI規格準拠の適合証明書を含む完全な文書パッケージが付属します。
レーザースクライブ・識別マーク
レーザーまたはリソグラフィにより付与される永久的なウェーハ識別およびトレーサビリティマーク：
| パラメータ | 利用可能な範囲 / 値 |
|---|---|
| Mark Type | OCR alphanumeric, 2D Data Matrix, QR code, custom logo/graphic |
| Character Height | 0.3mm–3.0mm (SEMI T7 compliant) |
| Dot Matrix Density | 5×7, 7×9, 9×13, 11×15 (custom grids) |
| Mark Position | SEMI M1.15 standard zone, custom quadrant/edge placement |
| Marking Technology | Laser (soft-mark < 5μm depth, hard-mark 5–50μm depth) |
| OCR Readability | > 99.9% read rate (SEMI M12/M13 compliant) |
| Font Options | SEMI OCR standard, high-density, human-readable only, custom |
ソフトマーク（レーザースクライブ）
- OCR、2Dデータマトリックス、QRコード、英数字テキスト
- ウェーハ表面、裏面、またはエッジに付与
- マーク深さ：SEMI T7ソフトマーク規格に準拠し< 5μm
- SEMI T7、M12、M13準拠
- 最小面積消費のためのウェーハエッジ2Dコード
ハードマーク（ディープエッチ）
- 酸化、拡散、エッチングに耐える永久的なマーク
- エッチング深さ：5～50μm、長寿命トレーサビリティ用
- レーザーまたはDRIEエッチングによる英数字、2Dコード、カスタムパターン
- 複数のプロセス工程後も自動光学検査（AOI）で読み取り可能
- 永久ウェーハID用SEMI T7およびM12規格に対応
アライメント・位置合わせマーク
リソグラフィ装置、ウェーハボンディング装置、計測システム用の精密アライメントおよび位置合わせマーク。
| パラメータ | 利用可能な範囲 / 値 |
|---|---|
| Alignment Mark Type | Cross, chevron, box-in-box, Vernier scale, custom |
| Mark Depth / Height | 100nm–5μm (etched), 50nm–2μm (deposited contrast layer) |
| Placement Accuracy | ±0.5μm standard, ±0.1μm precision (stepper-aligned) |
| Mark Material | Etched Si, trench-refilled poly-Si, W-plug, TiN, Cr |
| Global Alignment Grid | 5-point, 9-point, full-contact exposure grid, custom |
| ASML / Nikon / Canon | Compatible mark designs for major scanner platforms |
エッチングアライメントマーク
複数のプロセスステップにわたるステッパーおよびスキャナーアライメント用にウェーハ表面にエッチングされた永久的なアライメントマーク。
堆積金属アライメントマーク
patternCustomization.depositedMarksDesc
計測・CDターゲット
プロセス開発およびインライン計測用の包括的なCD、オーバーレイ、膜厚測定ターゲット。
すべてのパターン化ウェーハは出荷前にアライメントマーク精度と配置精度が検証されます。
フラット・ノッチ
ウェーハ方位識別、ドーピングタイプ表示、自動装置互換性のためのSEMI標準フラットおよびカスタムノッチ。
| パラメータ | 利用可能な範囲 / 値 |
|---|---|
| Primary Flat | Per SEMI M1: {110} flat for 〈100〉, {110} flat for 〈111〉 |
| Notch | Per SEMI M1: {110} notch for 200mm+, {110} notch for 300mm |
| Custom Flat Angle | Any crystallographic direction (±0.1° tolerance) |
| Custom Notch Shape | Standard JIS/SEMI, custom depth/width, dual-notch |
| Secondary Flat | Per SEMI M1 for conductivity type identification |
| Edge Profile | SEMI standard, T-style, C-style, custom chamfer |
カスタムウェーハエッジが必要な理由
- エッジチッピングの低減 — カスタムエッジプロファイルがハンドリング中のパーティクル発生を最小化
- 装置互換性の向上 — 特定のウェーハハンドリングシステムおよびカセットに最適化されたエッジ形状
- ウェーハ破損の低減 — 工学的に設計されたエッジプロファイルがウェーハ周辺の応力集中を低減
- SEMI規格準拠 — すべてのエッジ形状がSEMI M1およびM13寸法仕様に準拠
エッジプロファイルオプション
- ラウンド（ブルノーズ） — エッジチッピング低減、自動ハンドリングに最適
- ベベル — ボンディング中の機械的応力を低減する角度付きエッジ
- ポリッシュエッジ — ミラー仕上げ、パーティクル発生を最小化
- 研削エッジ — 経済的、非重要用途に適する
ダイレベルカスタマイズサービス
トレーサビリティ、個片化、マルチプロジェクト統合のため、ウェーハ全体のダイレベルで適用される精密パターン。
ダイシリアル化
アセンブリプロセス全体を通じたトレーサビリティと自動ソーティングのための固有のダイレベル識別コード。
- ダイごとのOCRおよび2Dデータマトリックスコード
- ダイ座標およびウェーハロット系譜エンコーディング
- 自動ダイボンダーおよびピックアンドプレースに対応
- デザインルールに基づくカスタムフォント、サイズ、配置
カスタムダイシングストリート
プロセス開発および特殊な個片化方法用のカスタムダイシングストリートパターン。
- ステルスダイシングまたはプラズマダイシング開発用エッチングダイシングレーンパターン
- ダイシングストリート内へのTEG（テスト要素グループ）配置
- カスタムストリート幅：30～200μm
- 優先劈開のための結晶方位へのアライメント
マルチプロジェクトウェーハ（MPW）フレーム
コストシェア試作のためのレチクルレベルアライメント、チップID、テスト構造を含むマルチプロジェクトウェーハ（MPW）フレームレイアウト。
- チップIDおよびアライメントマーク付きカスタムレチクルフレーム
- レチクル間アライメント検証構造
- レチクルごとのテスト構造およびプロセス制御モニター（PCM）
- GDSIIおよびOASISレイアウトフォーマットに対応
裏面アライメントマーク
MEMS、パワーデバイス、3D-IC両面アライメント用の裏面IR透過アライメントマーク。
- 表面-裏面オーバーレイ精度：±0.5μm
- IRカメラ対応アライメントターゲット設計
- EVG、SUSS、AMLウェーハボンダーに対応
- シリコン、ガラス、SOI基板上にパターニング
計測・プロセス制御構造
プロセス特性評価、統計的プロセス制御（SPC）、装置認定のための内蔵計測ターゲット — お客様の生産またはモニターウェーハ上に直接パターニング。
- シート抵抗モニター：Rsおよび接触抵抗（Rc）用Van der Pauwクロス、ギリシャ十字、ブリッジ抵抗器
- 膜厚モニター：膜厚検証用ステップ高さ構造、エリプソメトリーパッド、プロフィロメトリー溝
- 応力・ひずみ：薄膜応力測定用カンチレバーアレイ、リング・ビーム構造、座屈ビームアレイ
- ミスアライメントモニター：100nm未満の分解能でのX/Yアライメント誤差定量用バーニア構造、オーバーラップコムパターン
- エッチングレートモニター：深さマーカー、埋め込みエッチストップインジケーター、多深さ校正構造
- 電気試験：ケルビン接触抵抗構造、絶縁試験パターン、絶縁破壊電圧試験構造
- 欠陥検出：検査装置認定および感度検証用の既知サイズ・位置の意図的欠陥アレイ
- プロセス制御モニター（PCM）：ウェーハレベルプロセス監視用のトランジスタ、コンデンサ、抵抗器、ダイオードを含む完全なPCMドロップインモジュール
アプリケーション
品質と認証
すべてのパターン化ウェーハはISO 9001:2015認証施設で製造されています。各ウェーハはAOI、CD-SEM検証、オーバーレイ計測を受けます。各出荷時に完全な文書が提供され、パターン設計から最終納品までの完全なトレーサビリティを確保します。