フォトリソグラフィサービス
コンタクト、プロキシミティ、プロジェクションリソグラフィ、0.5μm解像度。
概要
フォトリソグラフィは半導体・MEMS製造の基盤パターニング技術であり、ミクロンからサブミクロンスケールのパターンをフォトマスクからレジスト塗布ウェーハに転写します。GINECHIPは5つの異なるリソグラフィプラットフォームを運用しています。
コンタクトリソグラフィ（0.5～2μm MEMS用）からi線投影ステッパー（0.35μmサブミクロンCMOS用）、マスクレス直描（迅速試作）、ナノインプリント（サブ50nm）まで、技術をアプリケーションに適合させます。
リソグラフィ技術
コンタクトリソグラフィ
解像度0.5～2μm。マスクアライナ：SUSS/EVG。基板：フラグメントから200mm。両面/片面アライメント。両面アライメント対応。
プロキシミティリソグラフィ
解像度2～5μm。プロキシミティギャップ10～50μm。マスク摩耗低減。コンタクト比で高スループット。ギャップ均一性制御。
投影ステッパー（i線）
解像度0.35～0.5μm。縮小率4×/5×。i線365nm。オーバーレイ< 50nm。スループット60～80枚/時。
マスクレス直描リソグラフィ
解像度0.6～2μm。描画速度最大300mm²/min。GDSII/DXF/CIF入力。マスクコストなし。研究開発・試作に最適。
ナノインプリントリソグラフィ（NIL）
解像度< 50nm。UV-NILおよび熱NIL。スタンプ：Si、石英、フレキシブル。フルウェーハおよびステップ＆リピート。アスペクト比最大15:1。
レジストポートフォリオ
ポジ型フォトレジスト
DNQ/ノボラック系（i線、g線）および化学増幅型（DUV 248nm）。解像度0.35μmまで。高コントラスト、130°Cまでの良好な熱安定性。MEMS・CMOS前工程の標準。
ネガ型フォトレジスト
SU-8（エポキシ系）高アスペクト比MEMS構造用。環化ポリイソプレン湿式エッチング用。SU-8膜厚0.5μm～>200μm。優れた耐薬品性。
イメージリバーサルレジスト
露光後反転ベークによりポジ/ネガ両方のパターンを単一レジストで実現。ネガティブ側壁スロープのリフトオフプロファイル。メタルリフトオフに最適。
厚膜レジスト・特殊コーティング
SU-8最大500μm MEMSモールド用。ポリイミド永久誘電体層用。BCBウェーハボンディング・平坦化用。スプレーコーティング高段差表面用。
プロセス能力
| パラメータ | 能力 |
|---|---|
| Minimum Feature Size | 0.35μm (stepper), 0.5μm (contact), 0.6μm (direct-write) |
| Overlay Accuracy | < 50nm (stepper), < 1μm (contact) |
| Wafer Size Range | Fragments to 300mm |
| Resist Thickness Range | 0.3μm–500μm |
| Double-Side Alignment | Front-to-back < 2μm (contact/proximity) |
| Exposure Wavelengths | i-line (365nm), g-line (436nm), broadband UV |
| Mask Data Formats | GDSII, DXF, CIF, Gerber |
| Cleanroom Class | ISO Class 5 (Class 100) |
代表的な用途
櫛歯駆動構造、メンブレン、カンチレバー、マイクロミラー、マイクロ流体チャネル。0.5～5μm用コンタクト/プロキシミティリソグラフィ。
高解像度ピクセルアレイ。i線ステッパーリソグラフィ、< 50nmオーバーレイ精度で多層カラーフィルタ・マイクロレンズ統合。
200～300mmウェーハ上の大面積デバイスパターニング。高エネルギ注入マスキング用厚膜レジスト処理。縦型デバイス構造の両面アライメント。
ファインライン相互接続と受動部品。0.35μmゲート定義用投影ステッパー。複雑なRFレイアウトのGDSIIサポート。
PDMSキャスティング用SU-8モールド製造。チャネル幅5μmまで。厚膜レジスト処理最大500μm。ガラス・ポリマー基板対応。
Si₃N₄・SOI導波路パターニング。シングルモード動作向けサブミクロン線幅制御。グレーティングカプラ用ナノインプリント。
マスク設計とサポート
マスクサポートチームがGDSIIファイルレビュー、DRC、極性検証、バイアス補償、多層アライメントマーク設計を提供します。
リソグラフィ計測
リソグラフィ後計測：CD-SEM、オーバーレイ計測、光学顕微鏡検査、分光反射法膜厚測定。
品質保証
全リソグラフィプロセスはISOクラス5クリーンルームで温湿度制御（±0.5°C、±2% RH）下で運用。粒子モニタリングは連続的。各ロットにレジストプロセス管理ウェーハを含む。