シリコンインゴットの一括販売 | GINECHIP
CZ/MCZ/FZ/多結晶のシリコンインゴットを直径100–450mmで一括提供。CZ/FZは純度9N–11N、多結晶は6N–7N。CoAおよびSEMIグレードの書類に対応。
大口向けシリコンインゴット供給
GINECHIP は CZ、MCZ、FZ、ならびに多結晶シリコンインゴットを供給直径 100–450 mm、純度 9N–11N（N / P / 準固有）に対応。インゴット長は 200–2000 mm の範囲で選択可能で、<strong>SEMI 規格</strong>に準拠し、完全な CoA をご提供します。
多結晶の太陽電池グレードシリコンインゴット（6N–7N）は、低コストでの太陽光発電製造に最適です。単結晶シリコンインゴットは <strong>ロジック、メモリ、パワー</strong> および <strong>RF</strong> デバイスに対応。N 型（P/As/Sb）、P 型（B）、および本質（イントリンシック）FZ をご用意しています。
すべてのシリコンインゴットに、完全な CoA、結晶品質データ、トレーサビリティ記録を同梱。ご要望に応じてインゴット長と仕様のカスタムにも対応します。
成長方法
当社は4つの主要技術によって作製したシリコンインゴットを提供します：<strong>CZ</strong>、<strong>MCZ</strong>、<strong>FZ</strong>、および<strong>多結晶</strong>。各方式はコスト、純度、酸素含有量の面で異なるトレードオフがあり、プロセスやデバイス要件に最適な材料選定を支援します。
CZ (Czochralski)
最も一般的な成長方法
CZ（チョクラルスキー）成長は、シリコンインゴット製造で広く採用されている方法です。重要な結晶パラメータを信頼性高く制御しながら、大量生産を支えます。<strong>実績のある歩留まりと幅広い供給性</strong>を求める場合は、CZをご検討ください。
MCZ (Magnetic CZ)
酸素取り込みを調整可能
MCZ（磁気チョクラルスキー）成長は、従来のCZに比べて酸素管理をより厳密に行えます。成長中に磁場を用いることで、酸素の取り込みを調整し、安定した結晶品質を支援します。スケールで<strong>デバイス要件に合わせた酸素量の制御</strong>が必要な場合に最適です。
FZ (Float Zone)
るつぼ由来の汚染なし
FZ（フロートゾーン）成長では、一般的なるつぼとの接触を回避しやすく、<strong>容器由来の汚染</strong>を最小限に抑えることが可能です。極めて低い酸素レベルと高い電気抵抗率を支援し、厳しい純度要求の用途に適します。<strong>低汚染</strong>と最大限の電気性能が重要な場合は、FZを選択してください。
方式比較
デバイスの目標と製造上の優先度に応じて成長方式を選定してください：<strong>コスト重視</strong>はCZ、<strong>低酸素</strong>要件はMCZ、<strong>超高純度</strong>が必要な場合はFZです。
CZ（チョクラルスキー）— 100–450mm
成熟して広く採用されているプロセスで、<strong>酸素含有量：12–18 ppma</strong>、<strong>抵抗率：0.001–100 Ω·cm</strong>。<strong>ロジックおよびパワーデバイス</strong>の量産に適します。
MCZ 磁場直拉シリコンインゴット（150–300mm）
MCZ は<strong>磁場</strong>で溶融体の対流を抑制し、安定した結晶成長と、<strong>酸素含有量</strong>の精密な制御を可能にしてバルク用シリコンインゴットの品質を安定させます。
FZ フロートゾーン シリコンインゴット（100–200mm）
FZ（フローティングゾーン）は<strong>るつぼなし</strong>でシリコンを成長させ、<strong>最高純度</strong>を実現して高い要求を満たす工程向けの材料品質を提供します。
多結晶シリコンインゴット
鋳造による <strong>多結晶シリコンインゴット</strong>をバルクで供給。太陽電池向けの用途や高純度要件に対応し、<strong>多結晶純度 6N–7N</strong>です。
<strong>156mm × 156mm の正方形インゴット</strong>を採用し、多結晶ウェーハ製造でのコストパフォーマンスを重視。生産計画で <strong>コスト優位</strong>を求める方に最適です。
歩留まりと経済性
下表は、晶錠直径ごとの典型的な <strong>ウェーハ歩留まり推定値</strong>を、<strong>鋸刃の損失（鋸縫損失）</strong>も含めてまとめたものです。
これらの推定値を活用して、<strong>10cmあたり</strong>および <strong>整錠あたり</strong>の想定ウェーハ枚数を見込み、さらに <strong>鋸縫損失</strong>（直径により 180–200 μm、160–180 μm、140–160 μm）を考慮した計画にしてください。
| 晶錠直径 | 10cmあたりのウェーハ枚数 | 整錠あたりのウェーハ枚数 | 鋸縫損失 |
|---|---|---|---|
| 150mm (6″) | ~66 | ~1,300 | 180 – 200 μm |
| 200mm (8″) | ~49 | ~1,000 | 180 – 200 μm |
| 300mm (12″) | ~33 | ~660 | 160 – 180 μm |
| 450mm (18″) | ~22 | ~440 | 140 – 160 μm |
太陽電池グレード vs 半導体グレード
プロセスに合ったシリコンインゴットを選びましょう。IC向けの高純度 <strong>半導体グレード</strong> か、PV向けのコスト効率重視 <strong>太陽電池グレード</strong> です。
半導体グレード（半導体グレードシリコン）
9N–11Nの高純度シリコンインゴット。<strong>IC</strong>用途向けで、<strong>Dash</strong>技術により欠陥を低減します。
太陽電池グレード 単結晶
<strong>CZ</strong>製法の単結晶太陽電池用シリコンインゴット。安定したPV生産と高効率セル製造に対応します。
太陽電池グレード 多結晶
鋳造タイプの多結晶太陽電池用シリコンインゴット。<strong>コスパ</strong>重視で、低コストなPV製造に適しています。
品質と認証
バルク販売は追跡可能な書類付き。ISO 9001:2015に準拠し、SEMI規格に対応。さらに<strong>各インゴットごとのCoA</strong>を同梱します。
技術仕様
| パラメータ | 仕様 |
|---|---|
| 成長方法 | CZ (Czochralski), MCZ (Magnetic CZ), FZ (Float Zone), Multicrystalline (cast) |
| 直径 | 100mm, 125mm, 150mm, 200mm, 300mm, 450mm |
| 長さ | 200mm – 2000mm, custom lengths available |
| ドーパント種 | N-type (P, As, Sb), P-type (B), Intrinsic (FZ) |
| 抵抗率 | 0.001 – 10,000+ Ω·cm, application-dependent |
| 結晶方位 | 〈100〉, 〈111〉, 〈110〉, off-cut available |
| 純度 | 9N – 11N (CZ/FZ), 6N – 7N (multicrystalline) |
| 酸素含有量 | CZ: 12 – 18 ppma, MCZ: 6 – 12 ppma, FZ: ＜ 0.1 ppma |
| 炭素含有量 | CZ: ≤ 0.1 ppma, FZ: ＜ 0.05 ppma |
| ライフタイム | FZ: ＞ 1,000 μs minority carrier lifetime |
| 転位密度 | CZ: dislocation-free (Dash technique), Multi: 10³ – 10⁶/cm² |
| インゴット形状 | Cylindrical, square (156mm × 156mm for solar), rectangular |
| エッジ丸め | Ground, etched, as-cut |
| 表面仕上げ | As-grown, ground, etched, polished crown |
| 梱包 | Wooden crate, foam-lined, vacuum-sealed, shock-resistant |
用途
AI チップ
CZ/FZ の高純度シリコンインゴットで、安定したウェハ製造と <strong>AI／ニューラルネットワーク加速器</strong> に向けた信頼性の高い性能を支えます。電気抵抗率 0.001〜10,000+ Ω·cm に対応可能です。
パワーデバイス
パワー半導体製造向けに設計されたシリコンインゴットで、<strong>電源管理およびパワーエレクトロニクス</strong> の要求に対応します。純度は CZ/FZ 9N〜11N、ポリ 6N〜7N をご用意。
太陽光発電
太陽光発電セル向けの 156mm×156mm ソーラーグレード シリコンインゴット。<strong>0.001〜10,000+ Ω·cm</strong> の抵抗率範囲で設計の自由度を支援します。
MEMS
MEMS センサーおよびアクチュエータの製造向けのシリコンインゴットで、<strong>マイクロマシンデバイス</strong> に必要な一貫したウェハ品質を実現します。CZ/FZ とポリの純度オプションで工程要件に対応。
RF/アナログ
高純度シリコンインゴットは、RF/アナログ用ウエハでの安定した電気特性を支えます（広い抵抗率範囲）。
通信機器
通信機器向けシリコンインゴットは、5Gおよび一般的なトランシーバ用途での信頼性あるウエハ製造を後押しします。
科学計測
検出器や精密計測用ウエハでは、高純度シリコンが性能と再現性の土台になります。
LED/光電デバイス
シリコンインゴットは、発光ダイオードやフォトディテクタなどの用途に向けたLED/光電デバイス製造で活用でき、安定したウエハプロセスを支援します。
まとめ買い価格
大量購入でよりお得。数量連動で価格は調整可能、納期も短めです。
多結晶シリコンインゴット
太陽光発電向けグレード。<strong>最安値の単価</strong>でコスト効率を最大化。
CZ シリコンインゴット
<strong>IC</strong>用途と太陽光用途の両方に対応。性能とコストのバランスが良好です。
FZ シリコンインゴット
最高純度で<strong>ハイエンド</strong>用途に最適。要求の高い製造に対応します。
サプライチェーンとリードタイム
バルクのシリコンインゴット需要に対応する<strong>安定供給</strong>を、能力計画に基づいて実現し、継続生産のスケジュールをサポートします。
物流と保護に配慮：木箱、フォーム、真空シール、防振対応などのパッケージをご用意し、材料の健全性を守ります。
在庫調整と<strong>リードタイム</strong>のサポートにより、調達計画を安心して立てられ、生産の継続性を支えます。
特注寸法や特定仕様が必要ですか？お客様の要件に合わせて<strong>規格・寸法の対応</strong>を行い、適切な供給計画を調整します。
大量需要ですか？見積を依頼
必要な数量、納品先、希望するパッケージをご共有ください。シリコンインゴットの大口注文に対して<strong>リードタイムと価格</strong>の選択肢をご案内します。