エッジ研削 — ウェーハエッジプロファイリング・面取り | GINECHIP

> 90%欠け低減

Bullet · T-Type · Customエッジプロファイル

100–300mmウェーハ直径

< 0.1μm Ra研磨仕上げ

概要

エッジ研削は切断後のウェーハエッジをSEMI M1規格に適合する精密加工面取りプロファイルに変換します。適切な処理がないと粒子汚染や欠けが発生します。

GINECHIPは全範囲に対応：弾丸/対称プロファイル（ロボットハンドリング用）、T型フラットアペックス（大ダイ用）、SEMI M1準拠のノッチ/フラット加工、研削後エッジポリッシュ。粗研削→精研削→ポリッシュ→洗浄の多段階プロセス。

エッジ研削サービス

弾丸/円形プロファイル研削

SEMI M1に従った対称弾丸/円形エッジプロファイル。半径200～400μm。欠け90%以上低減。ロボットハンドリング最適化。100～300mm。

Bullet/symmetric round profileEdge radius: 200–400μm typicalChipping reduction: > 90%Applicable: 100–300mm wafersSEMI M1-0312 compliantRobot handling optimized

T型/フラットアペックスプロファイル

フラットアペックスT型プロファイル、使用可能面積を最大化。エッジ除外1mmまで。大ダイ・イメージセンサー用に最適化。精密ダイヤモンド研削、プロファイル計測付き。

T-type/flat apex profileEdge exclusion: down to 1mmMaximized usable wafer areaLarge-die / image sensor optimizedPrecision diamond grindingProfile metrology included

ノッチ・フラット研削

SEMI M1準拠ノッチ（1.00 ± 0.25mm、90° ± 5°）およびフラット加工。方位とドーパントタイプ識別用のプライマリ/セカンダリフラット。

Notch: SEMI M1 compliantNotch depth: 1.00 ± 0.25mmNotch angle: 90° ± 5°Flat: SEMI M1 compliantPrimary flat width: per specSecondary flat (n/p type ID)

エッジポリッシュ

研削後CMPエッジポリッシュでRa < 0.1μm。粒子80%以上低減。エピ成膜品質向上。ボンディング界面改善。

Edge Ra: < 0.1μm (post-polish)Particle reduction: > 80%Enhanced epi quality at edgeBonding interface improvementCMP edge polishing availableAll wafer diameters

面取り・カスタムプロファイル

面取り角度15°～45°、幅±25μmに制御。薄ウェーハ・3D-IC/TSV最適化。仕様に基づくカスタムプロファイル。

Chamfer angle: 15°–45°Chamfer width: controlled to ±25μmTransition radius: specifiedThin wafer handling optimized3D-IC / TSV compatibleCustom profiles available

エッジ研削プロセスフロー

受入検査と計測

受入エッジの光学コンパレータとレーザープロフィロメトリー。エッジ状態の文書化。ロットトレーサビリティ割当。

粗研削（ラフプロファイリング）

ダイヤモンド砥石粒度800～1,200でバルク材料を除去。高MRR、制御送り。DI水冷却。インプロセス光学モニタリング。

精密研削（精密仕上げ）

より細かいダイヤモンド砥石粒度2,000～4,000で表面を精加工。低減送り速度。インラインレーザープロフィロメトリーで半径と面取りを検証。

ノッチ・フラット加工

専用ノッチ・フラット研削ツーリング。SEMI M1プロファイル：深さ1.00 ± 0.25mm、角度90° ± 5°。制御されたフラット幅と角度方向。

エッジポリッシュ

酸化セリウムまたはコロイダルシリカスラリーによるCMPまたは機械的エッジポリッシュ。表面下損傷を除去。Ra < 0.1μm。ポリッシュ後光学検査。

洗浄と最終検査

メガソニック洗浄で切り屑と残留物を除去。最終エッジプロファイル検証。表面粗さ測定。文書化と梱包。

エッジ研削品質仕様

パラメータ	目標仕様	測定方法
Edge Radius	200–400μm (bullet)	Laser Profilometer
Chamfer Angle	15°–45° ± 1°	Laser Profilometer
Edge Exclusion	< 1mm (T-type), < 3mm (bullet)	Optical Comparator
Edge Roughness (Ra)	< 0.1μm (polished), < 0.5μm (ground)	AFM / Optical Profiler
Notch Depth	1.00 ± 0.25mm	Optical Comparator
Notch Angle	90° ± 5°	Optical Comparator
Edge Chipping	< 0.3mm depth, < 3/10mm density	Optical Microscope
Particle Adders	< 10 @ 0.2μm (post-clean)	Wafer Surface Scanner

全仕様をロットごとに検証。完全な計測レポートと適合証明書を同梱。

エッジプロファイル選択ガイド

弾丸/対称プロファイル

弾丸プロファイルは業界標準の対称エッジ輪郭（SEMI M1）。表面から裏面まで滑らかな半径、ロボットハンドリング信頼性を最大化。エッジ半径：通常200～400μm。

T型/フラットアペックスプロファイル

T型プロファイルはフラットアペックスと面取り遷移を持ち、エッジ除外ゾーンを最小化して使用可能面積を最大化。大ダイ用途（イメージセンサー、パワーデバイス）に不可欠。

エッジ品質と検査基準

エッジ欠け制御

エッジ欠けは主要欠陥モード。当社の研削プロセスは切断ままエッジ比で欠けを90%以上低減。SEMI M1に従って分類：

最大欠け深さ：< 0.3mm 欠け密度：< 3個/10mm SEMI M1-0312準拠

エッジ粒子生成

不十分な研削のエッジは粒子汚染の重大な発生源。当社の研磨エッジ仕上げは以下を達成：

エッジ Ra：< 0.1μm 粒子低減：> 80% クラス5クリーンルーム処理

薄ウェーハエッジ研削

200μm未満のウェーハは独自の課題：剛性低下で破壊リスク増加、熱効果で反り。当社のプロセスは低減力、最適化砥石、インラインモニタリングで50μmまで安全に処理。

極薄ウェーハ（50～100μm）には支持研削を提供。剛性キャリアへの一時接合でエッジの応力集中を排除。

ノッチ・フラット研削

ノッチはSEMI M1に従って研削（深さ1.00 ± 0.25mm、角度90° ± 5°）。制御された幅と角度方向のプライマリ/セカンダリフラット。セカンダリフラットはSEMI M1に従いドーパントタイプを識別。

エッジ検査と計測

各研削エッジは3段階検査：(1) 50～200×光学顕微鏡、(2) レーザープロフィロメトリー、(3) AFM粗さ測定。各出荷に完全な計測レポートを添付。

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ISO 9001認証 SEMI M1準拠エッジプロフィロメトリークラス5クリーンルーム