砒化ガリウムウェハ
GINECHIP は、2″–6″ 径の GaAs ウェハを、制御されたドーピング（N 型 Si、P 型 Zn）と外延に向けた製造準備完了の表面とともに提供します。(100)、(111)A、(111)B の配向、オフカット 2°–15° に対応し、成長は VGF/LEC/HB です。
概要
砒化ガリウム（GaAs）は化合物半導体で、直接バンドギャップ 1.424 eV と高い電子移動度 8,500 cm²/V·s を備えます。
SI でドープなし、N 型 Si（10⁻³–10⁻¹ Ω·cm）、P 型 Zn などの基板を選べます。対応方位は (100)、(111)A、(111)B で、オフカットは 2°〜15°、直径は 2″〜6″です。
Epi-Ready 対応の表面では RMS <3Å を目標とし、外延成長に向けた準備性を高めます。さらに SEMI M1–M13、RoHS、REACH、JEDEC に対応しています。
EPD を <5×10²/cm²（UHP）まで低減した Epi-Ready GaAs 基板。
結晶成長プロセス
VGF、LEC、HB の各技術で GaAs を成長させ、品質や外延の準備性に対するさまざまな要件を支援します。
VGF プライム
最良の歩留まりと品質
VGF（Vertical Gradient Freeze）によるGaAsは、転位密度を低く抑え、高い抵抗率を実現することを目的としています。光・フォトニクス用途やRF向け基板で、<5×10²〜5×10³/cm²の範囲でEPDを管理しながら、最良の歩留まりと品質を提供します。
LEC ボリューム
成熟した量産
LEC（Liquid-Encapsulated Czochralski）によるGaAsは、成熟した量産と安定したプロセス制御を重視して最適化されています。大口径ウェハに適しており、EPDは概ね1〜5×10⁴/cm²の範囲で、全体として良好な量産性能を実現します。
HB スペシャルティ
スペシャリティな形状
HB（Horizontal Bridgman）によるGaAsは、D形の非円形ウェハとして提供でき、特別な形状要件に対応します。このグレードは、ウェハ形状（アウトライン）が重要な条件となる用途を想定したスペシャリティ設計で、EPDは<5×10³/cm²に制御します。
成長方法の比較
VGF、LEC、HB を比較して、EPD の性能、抵抗率の目標、または外延用途における総合歩留まりなど、優先事項に合わせて選べます。
VGF — フォトニクス＆RF向け
VGF は低 EPD、高い抵抗率、優れた歩留まりを実現し、先進デバイス製造に必要な Epi-Ready GaAs 要件を支援します。
LEC 大量生産
LEC は、大口径の GaAs ウエハに向けた成熟した量産体制を提供し、スケールに対応した製造を支援します。
HB 専用（D字形）
HB ウエハは D 字形の専用形状を採用し、非円形フォーマットで特定用途やカスタムレイアウトに対応します。
RF・マイクロ波向け用途
半絶縁性の GaAs は、5G、レーダー、衛星システム向けの低損失な高周波デバイスを可能にし、パワーアンプや低雑音アンプなどに対応します。
GaAs を用いた RF デバイスは、高性能なパワーアンプ、低雑音アンプ、RF スイッチなどの用途で、要求の高いシステムを支えます。
電子移動度 8,500 cm²/V·s により、GaAs は 5G、レーダー、衛星用途で高い高周波性能を実現するのに役立ちます。
低損失 RF フロントエンド向けの半絶縁 GaAs
光エレクトロニクスの用途
GaAs は直接バンドギャップ 1.424 eV を持ち、LED やレーザーダイオード向けに効率的な発光と吸収を支えます。
GaAs ウェハはフォトディテクタやイメージング用途に適しており、要求の高い光学システムでも安定した性能を提供します。
GaAs ウェハは太陽光発電（PV）やソーラーセルに対応し、光通信システムでも活用されます。
技術仕様
| パラメータ | 利用可能な範囲 / 値 |
|---|---|
| 直径 | 2″ (50.8mm), 3″ (76.2mm), 4″ (100mm), 6″ (150mm) |
| ドーパント種 | SI-Undoped, N-type Si-doped, P-type Zn-doped |
| 抵抗率 | SI: >10⁷ Ω·cm; N-type: 10⁻³–10⁻¹ Ω·cm |
| 結晶方位 | (100), (111)A, (111)B, off-cut 2°–15° toward (110) |
| 厚さ | 350μm, 500μm, 625μm standard (custom on request) |
| 表面研磨 | SSP, DSP, Epi-Ready — RMS < 3Å (AFM 5×5μm) |
| EPD（エッチピット密度） | < 5×10³/cm² (prime); < 5×10²/cm² (UHP grade) |
| TTV/ボウ/ワープ | TTV < 5μm, Bow < 10μm, Warp < 15μm |
| 電子移動度（μₑ） | 8,500 cm²/V·s (undoped GaAs at 300K) |
| バンドギャップ | 1.424 eV (direct, Γ-valley) |
| 転位密度 | Grade-dependent: prime < 5×10³/cm²; UHP < 5×10²/cm² |
| 成長方法 | VGF (Vertical Gradient Freeze), LEC (Liquid-Encapsulated Czochralski), HB (Horizontal Bridgman) |
| 裏面処理 | Etched, polished, or laser-marked per customer specification |
| レーザーマーキング | SEMI M12/M13 compliant: soft-mark on front or back side |
| フラット / ノッチ | Per SEMI M1: EJ (EJ-standard) or US flat configuration |
| パーティクルカウント @ 0.3μm | ≤ 10 particles (laser surface scan, SEMI M53 equivalent) |
| パッケージング | Vacuum-sealed single-wafer cassettes, Class 100 cleanroom |
| 準拠規格 | SEMI M1–M13, RoHS, REACH, JEDEC |
アプリケーション
RF・マイクロ波デバイス
半絶縁 GaAs により、高周波で低損失のデバイスを実現できます。5G、レーダー、パワーアンプ用途に適しています。
LED・光デバイス
直接バンドギャップにより効率的な発光を支え、LEDや光電デバイスに適しています。
イメージング・赤外センサー
GaAs のフォトディテクタや赤外イメージングは、直接バンドギャップの特性を活かせます。
研究開発用基板
カスタムの方位により、(100) や (111) 系などの選択肢で研究ニーズに対応します。
高速通信
ブロードバンドや高速デジタル用途では、GaAs の特性を活かして高速な性能を実現できます。
衛星・航空宇宙
GaAs ウエハーは、衛星や航空宇宙システム向けに、耐放射線性のあるエレクトロニクスを支えます。
品質と認証
GINECHIP の GaAs ウェハは ISO 9001:2015 に基づく製造と 100% 検査を実施し、SEMI M1–M13 規格および RoHS/REACH 要求にも対応します。