갈륨 아세나이드 웨이퍼
GINECHIP은 2″–6″ 직경의 GaAs 웨이퍼를 제어된 도핑(N-type Si, P-type Zn)과 외연에 적합한 제조 준비 표면으로 공급합니다. 오프컷 2°–15° 조건의 (100), (111)A, (111)B 오리엔테이션을 제공하며, VGF/LEC/HB로 성장합니다.
개요
갈륨 아세나이드(GaAs)는 복합 반도체로, 직접 밴드갭 1.424 eV와 높은 전자 이동도 8,500 cm²/V·s를 제공합니다.
SI 무도핑, N형 Si(10⁻³–10⁻¹ Ω·cm), P형 Zn 등 다양한 기판 옵션을 선택할 수 있습니다. 가능한 오리엔테이션은 (100), (111)A, (111)B이며 오프컷은 2°–15°, 직경은 2″–6″입니다.
Epi-Ready 표면은 외연 준비성을 위해 RMS <3Å를 목표로 하며, SEMI M1–M13 및 RoHS, REACH, JEDEC를 준수합니다.
EPD를 <5×10²/cm²(UHP)까지 낮춘 Epi-Ready GaAs 기판.
결정 성장 방법
VGF, LEC, HB 기술로 GaAs를 성장시켜 품질과 외연 준비성에 대한 다양한 요구를 지원합니다.
VGF 프라임
최상의 수율과 품질
VGF（Vertical Gradient Freeze）로 성장한 GaAs는 낮은 전위 밀도와 높은 저항률을 목표로 합니다. EPD를 <5×10²–5×10³/cm² 범위에서 제어하여 포토닉 및 RF 기판 용도에서 최상의 수율과 품질을 제공합니다.
LEC 볼륨
성숙한 대량생산
LEC（Liquid-Encapsulated Czochralski）로 성장한 GaAs는 성숙한 대량생산과 안정적인 공정 제어에 최적화되어 있습니다. 대구경 웨이퍼에 잘 맞으며, EPD는 보통 1–5×10⁴/cm² 범위로 설정되어 전반적인 볼륨 성능이 좋습니다.
HB 스페셜티
특수 형상
HB（Horizontal Bridgman）로 성장한 GaAs는 특수 폼팩터를 위해 D-쉐이프의 비원형 웨이퍼 형태로 제공될 수 있습니다. 이 등급은 특수 형상에 맞추어 설계되었으며, 웨이퍼 외곽선이 핵심 요구사항인 응용에 적합합니다. EPD는 <5×10³/cm²로 제어합니다.
성장 방법 비교
VGF, LEC, HB를 비교하여 EPD 성능, 저항률 목표, 또는 외연 응용을 위한 전반적인 수율 등 여러분의 우선순위에 맞게 선택하세요.
VGF — 포토닉스 & RF에 최적
VGF는 낮은 EPD, 높은 저항률, 우수한 수율을 제공하는 데 도움을 주어, 첨단 소자 제조에 필요한 Epi-Ready GaAs 요구사항을 지원합니다.
LEC 대량 생산
LEC는 더 큰 GaAs 웨이퍼 직경에 대해 성숙한 대량 생산을 제공하여, 확장 가능한 제조를 지원합니다.
HB 스페셜티 (D-형상)
HB 웨이퍼는 D-형상 스페셜 지오메트리를 사용해 원형이 아닌 포맷을 제공하며, 특정 용도와 맞춤 레이아웃에 적합합니다.
RF 및 마이크로웨이브 응용
반절연 GaAs는 5G, 레이더, 위성 시스템을 위한 저손실 고주파 소자 구현을 가능하게 하며, 전력 증폭기와 저잡음 증폭기를 포함합니다.
GaAs 기반 RF 소자는 고성능 전력 증폭기, 저잡음 증폭기, RF 스위치 등 까다로운 시스템에 적합합니다.
전자 이동도 8,500 cm²/V·s를 바탕으로 GaAs는 5G, 레이더, 위성 애플리케이션에서 뛰어난 고주파 성능을 구현하도록 돕습니다.
저손실 RF 프런트엔드를 위한 반절연 GaAs
광전자 응용
GaAs는 직접 밴드갭 1.424 eV를 가져 LED와 레이저 다이오드에서 효율적인 발광/흡광을 지원합니다.
GaAs 웨이퍼는 포토디텍터 및 이미징 애플리케이션에 적합하며, 까다로운 광학 시스템에서도 안정적인 성능을 제공합니다.
GaAs 웨이퍼는 태양광(파워볼타익)과 솔라 셀에 적용되며, 광통신 시스템에서도 활용됩니다.
기술 사양
| 매개변수 | 사용 가능한 범위/값 |
|---|---|
| 지름 | 2″ (50.8mm), 3″ (76.2mm), 4″ (100mm), 6″ (150mm) |
| 도펀트 유형 | SI-Undoped, N-type Si-doped, P-type Zn-doped |
| 비저항 | SI: >10⁷ Ω·cm; N-type: 10⁻³–10⁻¹ Ω·cm |
| 결정 방향 | (100), (111)A, (111)B, off-cut 2°–15° toward (110) |
| 두께 | 350μm, 500μm, 625μm standard (custom on request) |
| 표면 연마 | SSP, DSP, Epi-Ready — RMS < 3Å (AFM 5×5μm) |
| EPD(에칭 피트 밀도) | < 5×10³/cm² (prime); < 5×10²/cm² (UHP grade) |
| TTV / 보우 / 워프 | TTV < 5μm, Bow < 10μm, Warp < 15μm |
| 전자 이동도(μₑ) | 8,500 cm²/V·s (undoped GaAs at 300K) |
| 밴드갭 | 1.424 eV (direct, Γ-valley) |
| 전위 밀도 | Grade-dependent: prime < 5×10³/cm²; UHP < 5×10²/cm² |
| 성장 방법 | VGF (Vertical Gradient Freeze), LEC (Liquid-Encapsulated Czochralski), HB (Horizontal Bridgman) |
| 뒷면 처리 | Etched, polished, or laser-marked per customer specification |
| 레이저 마킹 | SEMI M12/M13 compliant: soft-mark on front or back side |
| 플랫 / 노치 | Per SEMI M1: EJ (EJ-standard) or US flat configuration |
| 입자 수 @ 0.3μm | ≤ 10 particles (laser surface scan, SEMI M53 equivalent) |
| 포장 | Vacuum-sealed single-wafer cassettes, Class 100 cleanroom |
| 규정 준수 | SEMI M1–M13, RoHS, REACH, JEDEC |
응용
RF 및 마이크로파 소자
반절연 GaAs는 5G, 레이더, 전력 증폭기에 적용되는 고주파 저손실 소자를 가능하게 합니다.
LED 및 광전자
직접 밴드갭은 효율적인 발광을 지원하며 LED 및 광전자 부품에 적합합니다.
이미징 및 IR 센서
GaAs 포토디텍터와 적외선 이미징은 직접 밴드갭 특성의 이점을 얻습니다.
연구 개발용 기판
맞춤형 결정 방향을 통해 (100) 및 (111) 계열을 포함한 연구 요구를 지원합니다.
초고속 통신
브로드밴드 및 고속 디지털 애플리케이션은 GaAs의 특성을 활용해 빠른 성능을 구현할 수 있습니다.
위성 및 항공우주 전자
GaAs 웨이퍼는 위성 및 항공우주 시스템을 위한 방사선 내성 전자 기술을 지원합니다.
품질 및 인증
GINECHIP의 GaAs 웨이퍼는 ISO 9001:2015 기준으로 생산되며 100% 검사로 품질을 보장하고, SEMI M1–M13 표준 및 RoHS/REACH 요구사항에 맞춰 제공됩니다.