첨단 패키징용 유리 기판
고주파·고속 시대를 위한 궁극의 기판 — 유리는 차세대 패키징을 위해 10배의 상호연결 밀도, 거의 제로에 가까운 유전 손실 및 조정 가능한 CTE를 제공합니다.
개요
유리 기판은 유기 기판에 이어 차세대 기술 프런티어로 부상하고 있으며, 이는 첨단 패키징에서 더 높은 상호연결 밀도, 더 낮은 신호 손실, 더 나은 치수 안정성에 대한 끊임없는 수요에 의해 주도됩니다. 유리는 독특한 특성 조합을 제공합니다: 실리콘에 맞게 조정 가능한 CTE(3–8 ppm/K), 10 GHz에서 0.005 미만의 유전 손실(유기 소재보다 10배 우수), 그리고 어떤 유기 라미네이트보다 미세한 리소그래피 패터닝을 가능하게 하는 원자 수준의 표면 평활도입니다.
업계는 유리 기판 기술에 대규모로 투자하고 있습니다. Intel은 차세대 서버 프로세서용 유리 코어 기판을 시연했고, Samsung은 2.5D 패키징용 유리 인터포저를 개발 중이며, 여러 OSAT가 유리 기반 패널 레벨 패키징을 인증하고 있습니다. 224 Gbps 이상의 고속 시그널링에서 유리는 신호 무결성 요구 사항을 충족할 수 있는 유일한 실행 가능한 기판 재료로 점점 더 인식되고 있습니다.
주요 기술 특징
조정 가능한 열팽창
유리 CTE는 조성 제어를 통해 3~8 ppm/K로 설계할 수 있어 실리콘(3.2 ppm/K)과 일치하며 멀티 다이 어셈블리의 열 응력을 최소화합니다. 이는 일반적으로 CTE가 15 ppm/K를 초과하는 유기 기판에 비해 결정적인 장점입니다.
초저 유전 손실
10 GHz에서 손실 계수(Df) <0.005인 유리는 유기 기판(Df ~0.02)에 비해 신호 손실을 극적으로 줄입니다. 이를 통해 224 Gbps PAM4 이상의 시그널링이 가능해져 차세대 SerDes 및 광 I/O 애플리케이션에 유리가 필수적입니다.
뛰어난 표면 품질
유리 표면은 추가 공정 없이 서브나노미터 수준의 조도(Ra <0.5nm)를 달성하여 직접 미세 피치 리소그래피를 가능하게 합니다. 이는 유기 기판에 필요한 평탄화 층의 필요성을 없애고 1μm 이하의 L/S 패터닝을 지원합니다.
TGV(유리 관통 비아) 기술
유리 관통 비아는 유리 기판을 관통하는 수직 전기 연결을 제공합니다. 직경 20–50μm, 종횡비 최대 6:1인 TGV는 고밀도 수직 상호연결을 구현합니다. GINECHIP은 전체 TGV 금속화 공정 흐름을 지원합니다.
GINECHIP 솔루션
CTE 3.25 ppm/K, 우수한 내화학성 및 높은 투과율을 갖춘 붕규산 유리. 패널 레벨 패키징 및 유리 인터포저 애플리케이션에 이상적입니다.
초저 CTE(0.55 ppm/K), 뛰어난 UV 투과율 및 거의 제로에 가까운 유전 손실. 고주파 RF 및 포토닉 패키징 애플리케이션을 위한 프리미엄 선택입니다.
극도의 경도, 높은 열전도율(35 W/m·K) 및 우수한 전기 절연성. 열 관리가 중요한 고전력 RF 및 LED 패키징에 사용됩니다.
압전 특성, 높은 Q 인자 및 우수한 온도 안정성. 5G/6G 통신 시스템용 RF 필터, 발진기 및 타이밍 소자에 사용됩니다.
대상 애플리케이션
유리 기판은 AI/ML 가속기 패키징(패널 레벨 CoPoS), 고성능 컴퓨팅 인터포저, RF/mmWave 통신 모듈, 포토닉 집적 회로 및 MEMS/센서 플랫폼에 채택되고 있습니다. 이 기술은 열 사이클과 진동 하에서 신뢰성이 가장 중요한 자동차 전자 분야에서도 주목받고 있습니다.