더미/기계 웨이퍼
도구 설정, 용광로 충진, 열 균일성 제어 및 기계적 취급 인증을 위한 비생산 실리콘 웨이퍼입니다. 웨이퍼당 최저 비용 - 느슨한 저항률 및 유형 사양. 연장된 열 순환 수명을 위해 베어 실리콘, 산화 또는 질화물 코팅으로 제공됩니다.
더미 및 기계 웨이퍼
더미 및 기계 등급 실리콘 웨이퍼는 반도체 웨이퍼 위계에서 가장 저렴한 실리콘 기판으로, 가장 완화된 사양으로 제조되며 비생산 응용 전용입니다. 이들의 유일한 목적은 물리적 공간을 차지하고 전기적 또는 표면 품질 요구 없이 공정 장비에서 열적/기계적 존재감을 제공하는 것입니다.
이 웨이퍼는 prime 또는 test 등급 사양을 충족하지 못하는 CZ 실리콘 잉곳 부분으로 제조됩니다 — 일반적으로 잉곳 꼬리 및 콘 끝단, 사양을 벗어난 비저항 재료, 또는 외관이나 치수 이유로 prime 등급 검사에서 탈락한 웨이퍼입니다. 이 재료는 폐기되거나 재활용되는 대신 비용 효율적인 더미 웨이퍼로 재활용되어, 퍼니스 충전 및 툴 셋업 작업에 prime 등급 재료를 소비하는 것보다 팹에 연간 수백만 달러를 절감해 줍니다.
GINECHIP에서는 모든 표준 직경(100mm–300mm)의 더미 및 기계 웨이퍼를 랩핑(무광)에서 단면 폴리싱까지의 표면 마감으로 공급합니다. 산화물 코팅 옵션 — 100nm~2μm의 열 SiO₂ — 은 실리콘 표면을 피트와 오염 흡착으로부터 보호하여 여러 열 사이클에 걸쳐 사용 수명을 연장합니다. LPCVD 질화물 코팅은 고온 산화 환경에 추가 보호를 제공합니다. 당사는 공격적인 대량 가격을 제공합니다: 주문량이 많을수록 장당 비용이 낮아집니다.
더미 웨이퍼 응용
Furnace Fill & Thermal Uniformity
Horizontal and vertical diffusion/LPCVD furnaces require full boat-loading for proper gas flow dynamics and temperature uniformity. Dummy wafers fill vacant slots at the ends of each boat (end-caps) and between production lots, maintaining consistent thermal mass and gas residence time. A single vertical furnace may use 60–120 dummy wafers continuously.
Tool Setup & Chamber Conditioning
New etch, deposition, or implant chambers require tens to hundreds of wafers for initial conditioning — coating chamber walls, stabilizing RF plasma impedance, and seasoning shields and clamps before production wafers are committed. Using dummy wafers for this task avoids wasting costly prime or monitor-grade material.
Temperature Profiling & Thermal Uniformity
Thermocouple-instrumented dummy wafers map temperature distribution across furnace boats and RTP chambers. Multiple thermal profiling runs with TC wafers characterize ramp rates, overshoot, and steady-state uniformity before production qualification begins.
Mechanical Handling Qualification
Automated material handling systems (AMHS), wafer sorters, EFEMs, and load-lock robots require testing with physical wafers to verify alignment, gripping force, mapping sensors, and wafer-centering accuracy. Dummy wafers allow extensive handling trials with zero risk to product material.
산화 더미 웨이퍼
베어 실리콘 더미 웨이퍼는 작동 수명이 제한적입니다. 산화성 또는 반응성 공정 환경에서 1–2회 열 사이클을 거치면 실리콘 표면에 피트, 거칠기 및 오염 흡착이 생겨 파티클을 발생시키고 공정 챔버를 오염시킬 수 있습니다. 더 긴 더미 웨이퍼 수명이 필요한 팹을 위해 산화 더미 웨이퍼는 교체 전 여러 열 사이클을 견디는 보호 SiO₂ 배리어를 제공합니다.
산화물 층은 희생 배리어 역할을 합니다 — 각 퍼니스 사이클마다 서서히 두꺼워지고 열화되지만, 아래의 실리콘을 피트와 중금속 오염 흡착으로부터 보호합니다. 산화물이 결국 너무 두꺼워지거나(＞ 3μm), 너무 거칠어지거나, 허용 한계 이상으로 오염되면 웨이퍼는 prime 웨이퍼 비용의 일부로 새로운 산화 더미 웨이퍼로 간단히 교체됩니다.
| 산화물 두께 | 사용 가능 열 사이클 | 최적 용도 |
|---|---|---|
| 100nm SiO₂ | 1–2 thermal cycles | Short furnace seasoning, single-use |
| 200nm SiO₂ | 3–5 thermal cycles | Standard weekly furnace fill rotation |
| 500nm SiO₂ | 8–12 thermal cycles | Extended campaigns, reduced replacement frequency |
| 1μm SiO₂ | 15–25 thermal cycles | Long-life dummy wafers, monthly replacement |
| 2μm SiO₂ | 30–50+ thermal cycles | Maximum lifetime, minimum cost-per-cycle |
염소계 화학물을 사용하는 강한 공정(예: HCl 게터링 사이클, TCA 튜브 세정)을 운영하는 팹에서는 LPCVD 질화규소 코팅 더미 웨이퍼(100nm 또는 200nm Si₃N₄)가 뛰어난 내화학성을 제공합니다. 질화물 코팅 웨이퍼는 HCl 함유 분위기에서 최대 100회의 열 사이클을 견디며, 빈번한 인시투 세정을 받는 퍼니스 튜브에 선호되는 선택입니다.
표면 마감 옵션
랩핑(무광)
가장 저렴한 표면 마감입니다. 웨이퍼 표면은 절단/랩핑 직후 상태로 남아 무광의 비반사 외관을 띱니다. 표면 품질이 중요하지 않은 퍼니스 엔드캡 및 기계적 핸들링 테스트에 적합합니다. 장당 비용이 가장 낮아 고소비 응용에 이상적입니다.
식각 표면
화학 에칭은 절단 손상과 표면 아래 미세 균열을 제거하여 폴리싱 비용 없이 더 매끄럽고 파티클이 적은 표면을 만듭니다. 더미 웨이퍼 자체에서 발생하는 파티클을 최소화해야 하는 응용에 더 적합합니다.
단면 폴리싱(SSP)
한쪽 표면을 경면 마감으로 폴리싱합니다. 더미 웨이퍼가 생산 웨이퍼의 열 방사율과 가스 흐름 상호작용을 밀접하게 모사해야 할 때 필요합니다. RTP 및 에피택셜 반응기 툴 셋업에 사용됩니다.
대량 주문 및 물량 할인
더미 웨이퍼는 대량 소모품입니다. 단일 300mm 팹은 퍼니스 충전, 챔버 컨디셔닝, 툴 셋업을 위해 월 2,000–5,000장의 더미 웨이퍼를 소비할 수 있습니다. GINECHIP의 공급망은 대량 공급에 맞춰져 있어 월 물량 약정이 클수록 장당 가격이 낮아집니다. 일반적인 가격 구간은 월 500장, 2,500장, 10,000장 이상에 적용됩니다.
소비 패턴이 예측 가능한 팹을 위해 매월 예정된 납품이 포함된 포괄 구매 계약을 제공하여 반복적인 RFQ 필요성을 없애고 일관된 공급을 보장합니다. 더미 웨이퍼를 다른 기판 유형(prime, test, SOI)과 함께 합배송하면 추가 운송 최적화와 통합 문서화 혜택을 받을 수 있습니다.
기술 사양
| 매개변수 | 사용 가능 범위/값 |
|---|---|
| Wafer Type | Dummy Grade, Mechanical Grade (non-production, lowest cost) |
| Growth Method | CZ (Czochralski) — recycled ingot tail/cone ends accepted |
| Diameter | 100mm, 125mm, 150mm, 200mm, 300mm (all diameters) |
| Dopant Type | Any — P-type or N-type, no guarantee of consistent type lot-to-lot |
| Resistivity Range | Any — loose/no specification (lowest-cost sourcing) |
| Crystal Orientation | 〈100〉 or 〈111〉 — as available, not selected |
| Thickness | Per SEMI M1–M13, wide tolerance (±20μm or greater) |
| TTV (Total Thickness Variation) | ≤ 10μm (200mm), ≤ 15μm (300mm) |
| Bow / Warp | ≤ 50μm Bow, ≤ 60μm Warp (all diameters, as-sawn tolerance) |
| Surface Finish | As-lapped (matte), etched (chemical), or single-side polished (SSP) |
| Oxide Coating (Thermal SiO₂) | 100nm, 200nm, 500nm, 1μm, 2μm (for extended thermal cycling) |
| Nitride Coating (LPCVD Si₃N₄) | 100nm, 200nm (high-temperature oxidation/diffusion barrier) |
| Edge Profile | As-sawn or SEMI standard round/T-edge if polished |
| Flat / Notch | May or may not conform to SEMI — as available |
| Particle Specification | None — visual inspection for gross contamination only |
| Laser Mark | Optional — batch-level marking only (no individual wafer traceability) |
| Backside Treatment | As-lapped or etched — no additional treatment required |
| Packaging | Bulk cassette, multi-wafer pack, or plastic shippers — cost-optimized |
| Cost vs. Prime | 70–90% cost reduction vs. equivalent prime-grade wafers |
품질 및 검사
더미 웨이퍼는 prime 및 test 등급 재료에 적용되는 철저한 계측 대상은 아니지만, GINECHIP은 웨이퍼가 안전하게 취급되고 고객 장비를 손상시키지 않도록 최소 검사 프로토콜을 수행합니다.
더미 또는 기계 웨이퍼가 필요하십니까?
필요한 직경, 표면 마감, 산화물 코팅 두께(해당되는 경우), 월 수량 및 목표 가격대를 지정해 주십시오 — 당사의 공급망 팀이 24시간 이내에 경쟁력 있는 견적을 확보해 드립니다. 월 500장 이상 약정 시 물량 할인을 이용할 수 있습니다.