사파이어 웨이퍼
C/R/A/M 플레인 방향의 고품질 사파이어 기판, Epi-Ready CMP 표면, 그리고 LED 및 RF 애플리케이션에 적합한 우수한 열전도성을 제공합니다.
개요
사파이어 웨이퍼는 단결정 α-Al₂O₃로 제작됩니다. 경도 9 Mohs, 융점 2,040°C, 그리고 150nm–5,500nm의 넓은 투과 범위를 바탕으로 <strong>에피택시</strong> 및 광학 용도에 적합합니다.
C/R/A/M 플레인과 미스컷 ±0.2°(표준) / ±0.05°(정밀) 조건의 2″–8″ 사파이어 웨이퍼를 선택하세요. EPD < 5 × 10³/cm² 및 Class 100 포장이 고수율 공정을 지원합니다.
<strong>Epi-Ready</strong> CMP RMS < 2Å, <strong>EPD</strong> < 5 × 10³/cm² — GaN LED 에피택시용으로 준비됨.
결정 성장 방법
KY, EFG, HEM 세 가지 성장 루트를 사파이어 α-Al₂O₃ 단결정용으로 비교해보세요. KY는 최적의 C(0001) 방향에서 EPD가 가장 낮고, 매우 큰 잉곳 직경에도 대응하여 고품질 epi-ready 사파이어 웨이퍼에 적합합니다. EFG는 필름 공급 방식의 비용 효율적 성장으로 높은 생산성을 제공하며 R(1-102)/A(11-20) 방향을 타깃으로 합니다. HEM은 매우 무거운 잉곳을 성장시킬 수 있고 결함 밀도를 극저 수준으로 낮춰 광학급 소재 또는 고성능 레이저 응용이 필요할 때 이상적입니다.
Kyropoulos (KY)
C-플레인 에피에 최적
KY는 매우 큰 고품질 잉곳을 성장시키며 EPD가 가장 낮아 C-플레인 LED 에피택시에 적합합니다.
Edge-Defined Film-Fed (EFG)
비용 효율 R/A-플레인
EFG 리본 성장은 낮은 비용과 높은 생산성을 균형 있게 제공하며 R/A-플레인 소재 요구에 부합합니다.
Heat Exchanger Method (HEM)
최저 EPD, 광학급
HEM은 매우 무거운 잉곳을 성장시킬 수 있으며 결함 밀도를 극저 수준으로 낮춰 광학 및 레이저 응용에 적합합니다.
결정 방향
적절한 사파이어 면을 선택해 에피 성장 품질과 소자 성능을 제어하세요. 서로 다른 결정 방향은 표면 특성을 원하는 용도에 맞게 최적화합니다.
C-플레인 (0001)
C-플레인은 사파이어에서 GaN/InGaN 에피 성장의 표준 방향입니다. 일반적으로 표면 에너지가 가장 낮아 고성능 LED와 전력 소자에 유리합니다.
R-플레인 (1-102)
R-플레인은 실리콘 위 사파이어(SOS) 에피 성장과 이종 에피 통합에 널리 사용됩니다. 사파이어 표면에서 안정적인 성장 거동을 구현하는 데 도움이 됩니다.
A-플레인 (11-20)
A-플레인은 비극성 면으로, 양자 구속 스타크 효과를 줄여줍니다. 비극성 LED와 광 효율 향상이 필요한 레이저 다이오드에 이상적입니다.
패터닝 사파이어 기판(PSS)
PSS는 C면 사파이어 표면에 원뿔/피라미드 미세 패턴을 식각해 GaN LED의 광 추출 효율을 높입니다.
패턴 피치, 깊이 및 측벽 각을 정밀 제어하며 2"–8" 사이즈를 지원해 대량 생산용 에피 성장에 적합한 Epi-Ready 표면을 제공합니다.
GINECHIP는 표준 및 커스텀 PSS 패턴 설계를 제공하며, <strong>Epi-Ready</strong> 표면 RMS < 2Å와 함께 적용됩니다.
실리콘 온 사파이어(SOS)
SOS는 R면 사파이어 위에 이종 에피 박막 실리콘을 형성하며, 절연 기판으로 낮은 기생 캐패시턴스를 구현합니다.
RF 집적회로, 내방사선 소자, 고온 MEMS에 적합하며, 9.9 eV 광대역 밴드갭이 우수한 전기적 절연 성능을 제공합니다.
사양
| 매개변수 | 사용 가능한 범위 / 값 |
|---|---|
| 재료 | Single-crystal α-Al₂O₃ (Sapphire), various grades |
| 결정 방향 | C-plane (0001), R-plane (1-102), A-plane (11-20), M-plane (10-10) |
| 지름 | 2″ (50.8mm), 3″ (76.2mm), 4″ (100mm), 6″ (150mm), 8″ (200mm) |
| 두께 | 330μm, 430μm, 650μm, 1,000μm standard |
| 표면 연마 | SSP, DSP, Epi-Ready CMP, RMS < 2Å |
| TTV | ≤ 5μm |
| 활 / 워프 | Bow ≤ 10μm, Warp ≤ 15μm for 4″ diameter |
| EPD(에칭 피트 밀도) | < 5 × 10³/cm² |
| 경도 | 9 Mohs, 2,000 kg/mm² Knoop |
| 열전도율 | 40 W/m·K @ 300K |
| CTE | 5.0–6.6 × 10⁻⁶/K (anisotropic, orientation-dependent) |
| 융점 | 2,040°C |
| 밴드갭 | 9.9 eV (wide-bandgap optical insulator) |
| 굴절률 | nₒ = 1.768, nₑ = 1.760 @ 633nm |
| 투과 범위 | 150nm–5,500nm (UV-grade: 85% @ 250nm) |
| 미스컷 공차 | ±0.2° standard, ±0.05° precision |
| 포장 | Class 100 cleanroom, vacuum-sealed single-wafer cassette |
대표 응용 분야
LED 에피택시
C면 Epi-Ready 표면 RMS <2Å로 GaN/InGaN LED 에피 성장.
레이저 다이오드
A/C면 저결함 기판으로 블루/바이올렛 레이저 다이오드 에피 성장.
실리콘 온 사파이어
R면 이종 에피택시 기판으로 RF 및 내방사선 집적회로.
패턴 사파이어 기판
C면 미세 패턴으로 GaN LED 광 추출 효율 향상.
RF & 마이크로웨이브
낮은 유전 손실과 넓은 밴드갭 9.9 eV로 고주파 소자에 적합.
광학 윈도우
150nm–5,500nm 광대역 투과를 제공하여 광학 윈도우 및 레이저 부품에 사용.
계측 및 품질 관리
모든 사파이어 웨이퍼는 개별 검사됩니다. 각 출하물에는 완전한 계측 보고서가 동봉되어 추적 가능하고 적용 준비가 완료된 검증을 제공합니다.